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flash接口电路的实现

作者:时间:2011-06-01来源:网络收藏

  1.3 以HY29LV160为例的Flash的使用方法

  下面,我们使用HY29LV160来构建存储系统。由于ARM微处理器的体系结构支持8位/16位/32位的存储器系统,对应的可以构建8位、16位、32位的Flash存储器系统。32位的存储器系统具有较高的性能,而16位的存储器系统则在成本及功耗方面占有优势,而8位的存储器系统现在已经很少使用。下面主要介绍16位和32位的Flash存储器系统的构建。

  1.3.1.16位的FLASH存储器系统

  在大多数的系统中,选用一片16位的Flash存储器芯片(常见单片容量有1 MB 、2MB 、4MB 、8MB 等)构建16位Flash的存储系统已经足够,在此采用一片HY29LV160构建16位的Flash存储器系统,其存储容量为2MB。Flash存储器在系统中通常用于存放程序代码,系统上电或复位后从此处获取指令并开始执行,因此,应将存有程序代码的Flash存储器配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0,即将S3C4510B的nRCS0>(Pin75)接至HY29LV160的CE#端。

  HY29LV160的RESET#端接系统复位信号;

  OE#端接S3C4510B的nOE(Pin72);

  WE#端S3C4510B的nWBE0>(Pin100);

  BYTE#上拉,使HY29LV160工作在字模式(16位数据宽度);

  RY/BY#指示HY29LV160编程或擦除操作的工作状态,但其工作状态也可通过查询片内的相关寄存器来判断,因此可将该引脚悬空;

  地址总线[A19~A0]与S3C4510B的地址总线[ADDR19~ADDR0]相连;

  16位数据总线[DQ15~DQ0]与S3C4510B的低16位数据总线[XDATA15~XDATA0]相连。

  注意此时应将S3C4510B的B0SIZE[1:0]置为“10”,选择ROM/SRAM/FLASH Bank0为16位工作方式。

  1.3.2. 32位的FLASH存储器系统

  作为一款32位的微处理器,为充分发挥S3C4510B的32性能优势,有的系统也采用两片16位数据宽度的Flash存储器芯片并联(或一片32位数据宽度的Flash存储器芯片)构建32位的Flash存储系统。其构建方式与16位的Flash存储器系统相似。

  采用两片HY29LV16并联的方式构建32位的FLASH存储器系统,其中一片为高16位,另一片为低16位,将两片HY29LV16作为一个整体配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0,即将S3C4510B的nRCS0>(Pin75)接至两片HY29LV16的CE#端;

  两片HY29LV160的RESET#端接系统复位信号;

  两片HY29LV160的OE#端接S3C4510B的nOE(Pin72);

  低16位片的WE#端接S3C4510B的nWBE0>(Pin100),高16位片的WE#端接S3C4510B的nWBE2>(Pin102);
  两片HY29LV160的BYTE#均上拉,使之均工作在字模式;

  两片HY29LV160的地址总线[A19~A0]均与S3C4510B的地址总线[ADDR19~ADDR0]相连;

  低16位片的数据总线与S3C4510B的低16位数据总线[XDATA15~XDATA0]相连,高16位片的数据总线与S3C4510B的高16位数据总线[XDATA31~XDATA16]相连。

  注意此时应将S3C4510B的B0SIZE[1:0]置为“11”,选择ROM/SRAM/FLASH Bank0为32位工作方式。

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关键词: 实现 电路 接口 flash

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