TI将嵌入式FRAM作为新非易失存储器技术

德州仪器公司 (TI) 已在标准 CMOS 逻辑工艺中生产出64兆位铁电存储器 (FRAM) 芯片，从而将该技术在各种应用领域中确定为嵌入式闪存及嵌入式 DRAM 的经济高效型替代技术。与处理器、外设及其它器件一样，在同一芯片上嵌入内存不仅会降低系统芯片数目及复杂性，而且还能够提高系统性能与数据的安全性。为了降低制造成本、实现超低功耗，TI 在众多的嵌入式内存中选择了 FRAM。TI 生产的64兆位 FRAM 器件还拥有迄今为止业界最小的 FRAM 单元，仅为 0.54um2。
FRAM 所具有的快速访问时间、低功耗、小单元尺寸及低制造成本等特性使之可用于程序和数据的应用，从而使它非常适合于无线产品。其它潜在市场应用还包括宽带接入、消费类电子产品及 TI 种类繁多的可编程 DSP。
TI 最初的 FRAM 测试芯片是采用仅需两个额外掩膜步骤的标准 0.13微米铜线互连工艺制造而成。1.5V 的芯片展示了迄今为止最小的 FRAM 单元，经测量仅 0.54um