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SIP、3D IC和FinFET将并存

作者:王莹时间:2013-02-07来源:电子产品世界收藏

  三者未来会并行存在,各有千秋,不会出现谁排挤谁的现象。  

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/141901.htm
 

  (Mentor)电子科技有限公司亚太区技术总监李润华称,从系统角度看,(系统封装)和 IC通过堆叠,可以把更多的芯片堆叠在一起,在某种程度上,以前是盖一层楼,现在是盖三层楼,可以提升空间密度。另外, IC可以在同一个设计上衍生出更多不同的产品,这对于IC设计企业是另外一个形成差异化的可选项。例如手机有不同的内存版本,16G,32G、64G……,将来芯片也可能通过这种方式去做不同的堆叠,形成差异化。

  目前还比较容易被市场接受。因为SIP的生态系统比较成熟,需要牵涉的设计上的调整也较小。关于 IC,新的设计会比较容易去采用,好处是可以把堆叠做到更高的效率,因为可以把芯片和芯片之间的连接做更好的优化。FinFET是在一个晶体管上做3D化,好处是空间效率更高,器件可以更小;但是在工艺上实现较难,需要对芯片和晶圆片有较大的技术突破。



关键词: 明导 SIP 3D

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