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飞兆扩大P通道PowerTrench® MOSFET产品线

—— 设备提供轻薄包装和低闸(门极)漏电流
作者:时间:2012-08-09来源:电子产品世界收藏

  帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关,半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线 。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/135563.htm

  Z 和 FDME910PZT 具备 MicroFET™ MOSFET 包装,并按照它们的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越热性能,让它们完全匹配开关和线性模式应用。 在 20V 的额定电压下,设备提供低通路电阻。 为预防静电放电 (ESD) 失败,Z 和 FDME910PZT 装有优化稳压二极管保护设备,这也将使最大额定 IGSS 泄漏从 10μA 降至 1μA。  

 

  特色及优势:

  Z

  • 最大 RDS = 20 mΩ,需 VGS = -4.5V,ID = -9.4 A
  • 最大 RDS = 24 mΩ,需 VGS = -2.5V,ID = -8.6 A
  • 最大 RDS = 34 mΩ,需 VGS = -1.8V,ID = -7.2 A
  • 低配置-配备 HBM ESD 保护的 MicroFET 2 X 2 mm 包装最大为 0.8 mm级别 > 2.8kV 标准

  PDME910PZT

  • 最大 RDS= 24mΩ,需 VGS = -4.5 V,ID = -8A
  • 最大 RDS= 31mΩ,需 VGS = -2.5 V,ID = -7A
  • 最大 RDS= 45mΩ,需 VGS = -1.8 V,ID = -6A
  • 低配置: 配备 HBM ESD 保护的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包装最大为 0.55 mm级别 > 2kV 标准

  FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含卤化物和氧化锑,并且为 RoHS 兼容。 两种设备都提供低电压安全操作,并适用于手机和便携式设备。



关键词: 飞兆 FDMA910P

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