飞兆扩大P通道PowerTrench® MOSFET产品线

　　帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench^® MOSFET 产品线 。

　　FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具备 MicroFET™ MOSFET 包装，并按照它们的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越热性能，让它们完全匹配开关和线性模式应用。 在 20V 的额定电压下，设备提供低通路电阻。 为预防静电放电 (ESD) 失败，FDMA910PZ 和 FDME910PZT 装有优化稳压二极管保护设备，这也将使最大额定 IGSS 泄漏从 10μA 降至 1μA。　　

　　特色及优势：

　　FDMA910PZ

• 最大 RDS = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A
• 最大 RDS = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A
• 最大 RDS = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A
• 低配置-配备 HBM ESD 保护的 MicroFET 2 X 2 mm 包装最大为 0.8 mm级别 > 2.8kV 标准

　　PDME910PZT

• 最大 RDS= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A
• 最大 RDS= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A
• 最大 RDS= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A
• 低配置： 配备 HBM ESD 保护的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包装最大为 0.55 mm级别 > 2kV 标准

　　FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含卤化物和氧化锑，并且为 RoHS 兼容。 两种设备都提供低电压安全操作，并适用于手机和便携式设备。