宏力建立国内首个0.18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

中国上海，2012年6月21日－上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”），专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功建立国内首个0.18微米“超低漏电” (Ultra-Low-Leakage，ULL) 嵌入式闪存工艺平台。

0.18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。 此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0.18微米“低功耗”（Low-Power，LP）工艺平台上实现了进一步技术提升，其N/P晶体管在1.8伏操作电压下可分别输出与“低功耗”工艺等同的525 / 205 μA/μm驱动电流，但其N/P管静态漏电分别仅为0.6pA/μm和0.2 pA/μm，达到业界领先水平。

0.18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台生产的芯片具有超低漏电(小于1pA/μm)、静态功耗低的特点，在电池容量有限的情况下能够提供更长的待机时间。基于该平台生产的低功耗微控制器（MCU）、触摸屏控制芯片（Touch Panel Controller）主要适用于平板电脑、数码相机和手机等手持式便携设备。

“0.18微米‘超低漏电’嵌入式闪存工艺平台可为客户提供高可靠性、低成本的解决方案，进而大幅提升客户产品的市场竞争力。”企业发展暨战略单位副总经理傅城博士表示，“目前，已有多家客户在该平台试产，各项指标均达到或超过客户要求。”