罗姆开发出车载用内置绝缘元件的栅极驱动器

　　日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部位于日本京都市)开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”，最适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。

　　本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术，作为内置了绝缘元件的栅极驱动器，是业界最小※的小型封装，有助于逆变器电路的小型化。另外，与传统的光耦方式相比，可大幅降低耗电量，而且由于具备了所有必要的保护功能和品质要求，可减少设计时的工作量。　　

 　　不仅如此，还支持作为新一代功率半导体备受期待的SiC(Silicon carbide：碳化硅)的功率MOSFET的高速开关，非常有助于实现更加高效、更加低功耗的新一代电动汽车。

　　生产基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)，预计从2012年6月份开始销售样品(样品价格：1,000日元)，从 2012年9月份开始以月产1万个的规模投入量产。

　　※　根据罗姆的调查(截至2012年5月22日)

　　近年来，随着EV和HEV的不断普及，为了进一步提高性能，对动力单元的逆变器电路小型化的要求高涨。一方面，一般每个车载用逆变器内置6个栅极驱动器，为了实现逆变器电路的小型化，栅极驱动器的小型化势在必行。此外，在车载特有的苛刻的驱动环境中，为实现确保安全性的逆变器电路，不仅需要各种保护功能，为了防止驾驶员触电，作为绝缘元件必须配备光耦等外置零件。在这种情况下，对于内置绝缘元件、并且小型的栅极驱动器的需求日益高涨。

　　另一方面，有望内置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆变器电路时，解决其高速开关性能所导致的噪音也已成为重大课题。　　

 　　此次罗姆采用独创的微细加工技术，开发出片上变压器工艺，进而成功开发出小型并且内置了绝缘元件的栅极驱动器。无需外置零件，同时通过采用小型封装，与传统产品相比，安装面积减少了约50%。不仅如此，由于内置车载逆变器电路所需的全部保护功能，不仅有助于实现逆变器的小型化，还非常有助于减轻设计负担。