英飞凌射频大功率管技术交流会成功举办

　　2011年12与1日，全球知名的半导体企业英飞凌携手其增值服务分销商世强电讯，在福建泉州联袂举办“英飞凌射频大功率管技术交流会”，会议主要邀请了来自泉州及周边城市微波射频领域的资深技术工程师、管理人员等前来参会。

　　图：英飞凌射频大功率管技术交流会签到处

　　本次会议旨在向业内客户分享射频领域最新的技术应用与市场情况，同时趁此机会与现场的工程师们面对面交流技术设计中的种种疑问，并探讨最佳的解决之道。会议首先由来自英飞凌的工程师介绍英飞凌LDMOS产品路线及封装科技，对于现场工程师们比较关注的infineon LDMOS APD Doherty设计经验分享则放在本次会议的重心环节，详细介绍了Infineon LDMOS供电pin脚的特殊之处，以及如何通过LDMOS型号功率来进行功率分配，微带计算，从而进行Doherty功放设计;同时针对目前技术发展需求，介绍了非对称2路Doherty PA的设计方法，3路Doherty PA设计方法，并着重介绍了如何调试的问题;另外，还就Infineon小信号这一块，如LNA做了相关介绍;主办方还安排出充足的时间对现场提出的各种问题进行了深度交流与沟通。

　　图为：英飞凌射频大功率管技术交流会现场

　　来自世强的资深FAE重点对几款英飞凌LDMOS功放DEMO做了介绍，如针对单载波WCDMA设计的射频方案，针对PICO 1W项目设计的方案，针对宽带LDMOS设计的射频方案等，这些demo方案，大多是由世强射频实验室设计而成，根据不同客户的需求做的一些方案设计，在保证客户性能的同时，力求设计简单，匹配容易，效率高，与预失真配合良好等特点。现场还详细介绍了Infineon LDMOS性价比非常高的几款产品，尤其是针对大功率，如250W单管封装，340W的LDMOS产品。针对这些产品与技术方案，世强电讯可凭借强有力的FAE支持团队，给予客户更大力度的支持。