IR推出超高速沟道绝缘栅双极晶体管

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ，该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。

　　全新1200 V IGBT 器件采用 IR 成熟的纤薄晶圆场沟道技术，提供关键的性能优势，包括可降低功耗和提升功率密度的低 VCE (on) 及超高速开关。此外，新器件还具有 1300 V 重复峰值额定值，以增强系统可靠性。这些 IGBT 与低正向电压高峰值电流软正向恢复二极管一起封装，从而优化共振零电流开启操作。

　　IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR 新型 1200 V IGBT 的可靠性极高，而且能够提升功率密度及效率，是感应加热和共振应用的理想之选。”

　　全新 IGBT 使 IR 的 IGBT 系列在电机驱动和硬开关应用的表现上更加完善。IR 对功率应用的专注，使该公司能够充分优化器件，以满足不同功率系统的技术需求。