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英飞凌新一代高压MOSFET设立能效新标准

—— 首款集成快速体二极管的高压晶体管
作者:时间:2011-05-29来源:电子产品世界收藏

  的最新一代高压CoolMOS™ 取得了又一项创新,设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上,展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2,它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点,不仅可以提高能效,而且具备更软的交换功能,从而降低了电磁干扰(EMI),提升产品的竞争优势。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/119889.htm

  650V CoolMOS™ CFD2集快速开关超级结技术的优越性于一身,包括更出色的轻载效率、更低栅极电荷、易于应用和出众的可靠性等。此外,该产品具备更低单位面积通态电阻和更低容性开关损耗,允许轻松控制开关行为,并且提供了当前市场上最结实耐用的体二极管。相比于前代产品600V CFD,新推出的CoolMOS™ CFD2产品还降低了系统成本。总体而言,它是适用于谐振开关拓扑的最优选择。

  预计,650V CoolMOS™ CFD2的最大潜在市场包括太阳能逆变器、服务器、照明装置和用于通信系统的开关电源(SMPS)等。

  英飞凌科技高压MOS产品线经理Jan-Willem Reynaerts指出,“凭借我们具有革命意义的CoolMOS™技术,英飞凌已成为能效及功率密度方面的市场领袖。650V CFD2解决方案进一步壮大了CoolMOS™产品阵营,并且设立了新的行业标准,例如,将光伏逆变器的效率提高至98.1%。”

  供货情况及定价

  IPW65R080CFD(650V、导通电阻80毫欧姆、TO247封装)样片现已开始供货。起订量为1万颗时,单价为6.00美元。

  英飞凌650V CoolMOS™ CFD2已在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上精彩亮相(12号展厅404号展台)。

  关于全新CFD2产品家族的更多信息,敬请登录www.infineon.com/cfd2



关键词: 英飞凌 MOSFET

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