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IR推出高功率、高速度、高密度的分立解决方案

作者:时间:2010-11-15来源:电子产品世界收藏

  全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称) 推出适用于DC-DC节能汽车应用的 AUS2191S 600V 驱动 IC 和 AUGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 绝缘栅双极晶体管 () 。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/114519.htm

  新器件具有非常快的开关速度和高功率密度,非常适合高频 DC-DC 应用,包括用于电动汽车和混合动力电动汽车的高功率 DC-DC 开关电源 (SMPS) 转换器。

  AUIRS2191S 双通道 600V 驱动 IC 可使半桥式拓扑结构中的高侧和低侧实现独立控制。该器件可提供高达3.5 A/-3.5A (源/汇) 的电流能力,具有非常快的传播延迟时间 (典型值达到 90ns) ,使开关可以高度响应驱动器指令。该集成电路的高侧和低侧具有独立控制功能,并可定制死区时间以实现最低功耗,两个通道还可匹配传播延迟。该产品还提供高达 150°C 的工作结温和双通道欠压锁定功能,从 COM 电源接地引脚中分离出来的逻辑接地偏移引脚 Vss 对于 COM 瞬态电压变化具有更高的免疫力。

  AUIRS2191S IC采用专有的高压集成电路 (HVIC) 和闭锁免疫CMOS技术,可提供坚固耐用的单片式结构。输出驱动器具有适用于最低驱动跨导的高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用来驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 ,工作电压最高可达600V。此外,这些器件具有基准负电压尖峰免疫力,即使在极端开关条件和短路情况下也能实现可靠运行。

  AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型绝缘栅双极晶体管与 25A 超快软恢复二极管共同封装,开关速度高达150kHz,使其成为高功率SMPS应用中MOSFET的理想替代产品。这款新型车用器件利用IR的薄晶圆制造技术,有助于缩短少数载流子的消耗时间,加快关断速度。

  该器件的关断拖尾电流极小,关断开关损耗很低,有助于设计人员提高电路的工作频率。该产品具备更完善的开关性能,配合经优化的正温度系数特性和更低的栅极导通电荷,有效提升了电流密度。在并行模式下,正温度系数能发挥安全、可靠、高效的电流共享性能。

  IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR 一直致力于提供领先的汽车专用解决方案,这些新器件有效地满足了 DC-DC 汽车应用对高速和高压的需求。”

  新器件符合 AEC- Q10x 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格

 

器件编号

拓扑

高侧电源偏移电压

封装

输出源/汇电流

Vcc 范围

Vbs 范围

典型传播延迟

AUIRS2191S

双通道高/低侧驱动器

600V

SOIC16

+3.5A

/-3.5A

10-20V w/UVLO

10-20V w/UVLO

90/90ns /

 

器件编号

封装

VCES

IC @ 25°C

VCE(on)

典型

共同封装

二极管

Qg

AUIRGP50B60PD1

TO-247

600

60A

2.0V @ 33A

25A HEXFRED

205nC



关键词: IR IGBT

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