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飞思卡尔新RF功率产品降低了面向多载波无线基站的放大器复杂性和运营成本

作者:时间:2010-09-30来源:电子产品世界收藏

  半导体推出3款新型RF LDMOS功率晶体管,提供在无线基站收发器里使用Doherty多载波功率(MCPA)要求的超高输出电平。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/113173.htm

   MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S 产品是RF功率中高压第8代(HV8)产品系列的最新成员。 它们在1800和1900MHz频段中,提供飞思卡尔RF LDMOS 功率晶体管产品组合的最高输出电平。

  MCPA支持无线服务提供商提高现有基站的覆盖面和功率,不用像过去那样经常要在每载波里提供一个专用。 MCPA技术允许单个放大器处理多个载波,从而减少终端产品尺寸和组件数量。 此外,Doherty配置提高了功率放大器的能源效率,并减少了基站每年的运营成本。

  飞思卡尔副总裁兼RF部门总经理Gavin P. Woods表示, “我们设计飞思卡尔HV8组合来帮助设计人员提高运营效率,降低基站系统的整体能耗和运营成本。 由于增加了先进的MCPA、 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和 MRF8S19260H/S产品,我们的LDMOS产品得到进一步扩展,从而为客户带来更多选择,以满足他们的设计需求,特别是满足大量无线服务提供商的要求。”

  新产品满足了Doherty放大器体系结构的特殊要求,该体系结构将以AB级模式运行的载波放大器与以效率更高的C类模式运行的峰值放大器相组合到一起。 它们的这些特性还能够特别满足数字预失真(DPD)电路的要求,从而保证了高阶预制方案规定的高线性。

  晶体管通过内部匹配提供简化的总成,性能十分牢固,而且在32伏的直流电压中生成10:1 VSWR的额定功率。 它们被安装到飞思卡尔NI1230陶瓷气腔封装包里,提供集成的静电放电(ESD)保护,从而更好地防止在总成线上所遇到杂散电压;当以C类模式操作时,-6至+10 V这样广泛门限电压范围则能提高其性能。

  MRF8P18265H/S 是双路径器件,在单个封装中需要同时集成载波和峰值放大器来实施Doherty末级别放大器。

  特性:

  MRF8S18260H/S

  · 1805 至1880 MHz

  · P1dB 功率为260W CW

  · 平均输出功率达到74W时,AB类漏极效率为31.6%

  · 增益为17.9 dB

  MRF8S19260H/S

  · 1930 至1,990 MHz

  · P1dB 功率为245W CW

  · 平均输出功率达到74W时,AB类漏极效率为 34.5%

  · 增益为18.2 dB

  MRF8P18265H/S

  · 1805 至1880 MHz

  · 峰值(P3dB)功率为280W

  · 平均输出功率达到72W 时,Doherty漏极效率为43.7%

  · Doherty增益为16dB



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