AP8268高性能多模式PWM控制芯片，结合混合调制技术QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode三种模式，具有高性能、低待机功耗、低成本等特点，被广泛应用于待机电源、开放式开关电源以及适配器中，下面跟随骊微电子芯朋微代理了解下AP8268高性能多模式PWM控制芯片的功能特征。

1. 启动：AP8268 PWM控制芯片的启动电流相当低，故VDD电压可快速的被充电到大于UVLO阈值电压UVLOoff，因此可使用一个较大的启动电阻用于减小损耗，同时获得较快的启动速度。当VDD电压达到16.5V，芯片开始工作。启动过程结束后，变压器辅助绕组对VDD电容提供能量。

2. 软启动：启动阶段，CS脚内部的最大峰值电流电压限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为6ms。

3. 振荡器：AP8268 在 PWM 模式振荡频率固定，当IDMG>330uA时，系统处于高输入电压段，此时工作频率为65kHz，当IDMG<330uA时，系统处于低输入电压段，此时工作频率为90kHz。AP8268通过提高低输入压时的工作频率，可降低对变压器的要求。根据DMG上偏电阻设置线电压分频点。

4. 降频工作模式：AP8268 PWM控制芯片提供降频工作模式，通过检测FB脚电压，在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当FB脚电压小于VFB_PFM_L，芯片进入降频工作模式，开关频率随负载降低而降低，直至最小频率25kHz。

5. 谷底开通：AP8268 PWM控制芯片根据开关管波形计算励磁电感与寄生电容振荡周期，在DCM模式下实现精确谷底开通，提高转换效率。

6. 间歇工作模式：极轻载时，AP8268 PWM控制芯片进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻，反馈电压减小；当FB脚电压小于VFB_BM_L（典型1.15V），芯片进入间歇工作模式，功率管关断。当FB脚超过VFB_BM_H时，开关管再次导通。

7. 输出驱动：AP8268 PWM控制芯片的输出级采用的是图腾柱结构，用于驱动外部MOSFET的栅极。死区时间防止了电源到地的直接通路，既降低了功耗，同时又保证了高压驱动管不被烧坏。输出驱动的最大电压被内部的齐纳二极管箝位在12V。AP8268经过优化的输出驱动电路，可减小开关损耗同时又有很好的EMI特性。

8. 斜坡补偿：AP8268 PWM控制芯片采用峰值电流控制，内置斜坡补偿功能，通过将电压锯齿信号叠加在采样电压信号上，以改善系统闭环稳定性。

9. 自适应的线电压补偿：AP8268 PWM控制芯片通过DMG引脚上偏电阻检测输入电压，从而产生线补偿电流 ILC 到 CS 引脚，其中ILC=K*IDMG，K=0.375为采样DMG引脚电流的比例系数。线补偿电流ILC通过偏置连接在CS引脚与CS检测电阻Rcs间的电阻R3产生补偿电压，补偿量的大小由电阻R3的阻值决定。

10. 过压保护：AP8268PWM控制芯片通过在消磁阶段采样辅助绕组电压，实现精确的过压保护。当采样的DMG平台电压大于3V且持续7个PWM周期，触发输出OVP保护，输出关闭。通过选择合适的DMG下偏电阻R2阻值来设置DMG OVP保护点。

11. 过载保护：负载电流超过预设定值时，系统会进入过载保护；在异常情况下，可对系统进行保护。当VFB电压超过4.4V，经过固定60ms的延迟时间，开关模式停止。

12. 过温保护：AP8268 PWM控制芯片集成了片上过温保护，当芯片温度超过150℃，芯片进入过温保护状态。

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