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z-nand 文章 进入z-nand技术社区

3D NAND堆叠竞争鸣枪　SK海力士、东芝苦追三星

  • 　　为提升NAND Flash性能而将Cell垂直堆叠的3D堆叠技术竞争逐渐升温。目前三星电子(Samsung Electronics)已具备生产系统独大市场，SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等半导体大厂也正加速展开相关技术研发和生产作业。 　　据ET News报导，NAND Flash的2D平面微细制程，因Cell间易发生讯号干扰现象等问题，已进入瓶颈。主要半导体大厂转而致力确保将Cell垂直堆叠的3D技术。半导体业界的技术竞争焦点从制程微细化，转变为垂直堆
  • 关键字： NAND  三星  

美光开放日：引领互联世界存储潮流

  • 　　近日，美光科技在上海举行以“存储及其发展如何帮助实现未来互联世界”为主题的“美光开放日”活动。美光科技高层与业内专家、学者和媒体共同分享公司在该领域的见解和创新解决方案，探讨和展望未来行业发展趋势。 　　美光科技作为仅有的两家能够提供提供全存储类型解决方案的厂商，占据整个存储器22%以上的市场份额，稳居第二位。如今美光科技面向网络建设、机器对机器、移动设备、云和大数据五大应用领域，提供全球最广泛的存储产品组合，包括：DRAM芯片和存储条、固态硬盘、NA
  • 关键字： 美光  存储器  NAND  201503  

美光与希捷宣布成立策略联盟

  • 　　希捷科技(Seagate Technology)与美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布签署策略性协议，设立一结合两家公司创新与专业技术之架构。在此协议的架构基础上，双方客户能够同时受益于领先业界的储存解决方案，进而更快速且有效率地实现创新。 　　尽管在合作初期，美光与希捷将着重于下个世代的 SAS 固态硬碟(SSD)与策略性 NAND 型快闪记忆体的供货，但是双方皆预期这项长达数年的结盟协议在未来将有机会发展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快闪记忆体的企业级储存解决
  • 关键字： 美光  希捷  NAND   

半导体市场今年迎向高规格之争

  • 　　2015年由行动装置带动的高规格半导体之争蓄势待发;行动应用处理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三阶储存单元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半导体需求增加，被视为半导体产业成长新动能。 　　据韩媒亚洲经济的报导，智慧型手机的功能高度发展，让核心零组件如应用处理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半导体的需求日渐增加。首先是AP从32位元进化到64位元，可望让多工与资料处理
  • 关键字： 半导体  NAND Flash  LPDDR4  

NAND闪存下一步指向3D架构14纳米

  • 　　存储是电子产品中最重要的部分之一，它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。近年来，存储芯片行业热点话题不断：3D NAND的生产制造进展情况如何?LPDDR4在市场上的应用进程是怎样的?移动产品中eMCP将成为主流封装形式吗?存储技术发展的路径或许会争论不休，但是整体方面却不会改变，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存储速度、更加节能以及更低的成本。 　　2015年手机存储市场 　　着眼用户体验提升 　　目前业界对于2015年中国智能手机市场走势的预测很多，总的观点是增长率放缓。当
  • 关键字： NAND  14纳米  

2014年Q4品牌NAND供应商营收仅成长2%

  • 　　根据市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新报告， 2014年第四季 NAND Flash 市况虽依旧维持健康水准，但在三星电子(Samsung)、东芝(Toshiba)与晟碟(SanDisk)各自面临价格与产销端的压力影响营收、及第三 季呈现微幅衰退的情况下，品牌供应商营收仅较第三季成长2%至87.5亿美元。 　　DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，因需求端面临淡季效应，2015年第一季整体市况将转为供过于求，在价格滑落幅度转趋明显的情况下
  • 关键字： NAND  英特尔  三星  

淡季影响销售，NAND Flash 供应商 Q1 将供过于求

  • 　　根据 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新报告显示，第四季 NAND Flash 市况虽依旧维持健康水准，但在三星电子、东芝与晟碟各自面临价格与产销端的压力影响营收、及第三季呈现微幅衰退的情况下，品牌供应商营收仅较第三季成长 2% 至 87.5 亿美元。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，因需求端面临淡季效应，2015 年第一季整体市况将转为供过于求，在价格滑落幅度转趋明显的情况下，业者将藉由加速先进制程的转进，改善成本架构，以减低价格跌幅的冲击。 　
  • 关键字： NAND Flash  三星  东芝  

国际大厂找Mobile RAM货源　敲开与台厂合作大门

  • 　　存储器厂持续在eMCP(eMMC结合MCP封装)领域扩大进击，继东芝(Toshiba)与南亚科洽谈策略联盟，新帝(SanDisk)亦传出首度来台寻找移动式存储器Mobile RAM合作伙伴，考虑与南亚科签定长约或包下产能，显示国际存储器大厂亟欲寻找Mobile RAM货源，并敲开与台厂合作大门。 　　半导体业者透露，在三星电子和SK海力士主导下，智能型手机内建存储器规格从eMMC转为eMCP，原本NAND Flash芯片外加关键零组件Mobile RAM芯片，2015年东芝??新帝阵营将展开大反扑。
  • 关键字： NAND Flash  Mobile RAM  

NAND Flash价格续滑　难摆脱供给过剩困境

  • 　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供应量持续增加，造成价格连续两个月下滑，业界预期若三星电子(Samsung Electronics)等业者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生产比重，后续MLC产品价格下滑情况恐将更明显。 　　根据韩媒DigitalTimes报导，由于USB、硬碟与记忆卡市场进入淡季，加上库存堆积，导致NAND Flash价格走滑，市场供给过剩情况恐持续到农历春节。业界认为目前NAND Flash下滑走势虽大部分是受
  • 关键字： NAND Flash  三星  

无线应用成2015半导体市场最大增长动力

  • 　　2015年全球半导体行业收入预计将达3580亿美元，较2014年增长5.4%，但仍然低于之前5.8%的增长预期。 　　半导体市场的增长动力包括智能手机专用标准电路ASSP，以及超移动PC和固态硬盘中使用的DRAM和NAND闪存芯片。 　　“由于DRAM恢复传统的降价方式，而整个行业需要消耗假期的过多库存，因此2015年的半导体收入增长可能较2014年的7.9%有所放缓。”业内人士认为，“由于供应短缺，DRAM价格在2014年基本保持坚挺，使之成为2014年增速最
  • 关键字： 物联网  DRAM  NAND  

群联砸3.8亿 入股宇瞻

  • 　　储存型快闪记忆体(NAND Flash)控制晶片大厂群联(8299)昨(19)日宣布，参与记忆体模组厂宇瞻私募，将以每股25.38元、总金额3亿8,070万元，取得宇瞻9.9%股权，成为宇瞻最大法人股东，双方将携手冲刺工控应用固态硬碟(SSD)市场。 　　群联昨股价上涨2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 　　群联斥资约3.8亿元，取得宇瞻9.9%股权，成为最大法人股东。图为群联董事长潘健成。 本报系资料库 　　分享 　　上述私募价格是采依过去30个交易日均价31
  • 关键字： 群联  宇瞻  NAND Flash  

半导体事业关键时刻 救了三星的面子与里子

  • 　　三星电子(Samsung Electronics)日前发布2014年第4季暂定财报，营收止跌回升为52兆韩元(约478.8亿美元)，其中半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部贡献达一半以上，可说是最大功臣。 　　据韩媒ChosunBiz报导，三星电子在1月8日发布2014年第4季暂定财报，业绩终于跌回升，营收为52兆韩元，营业利益达5.2兆韩元。 　　韩国KDB大宇证券推估，三星电子DS部门第4季贡献营业利益约2.9兆韩元，比IT暨移动通讯(IM)事业部高出1兆韩元左右。第3季DS部门营业利益(2
  • 关键字： 苹果  DRAM  NAND Flash  

Gartner：蓬勃的DRAM市场为内存制造商带来增长

  • 　　Gartner发布初步统计结果，2014年全球半导体总营收为3398亿美元，与2013年的3150亿美元相比增长7.9%。前25大半导体厂商合并营收增长率为11.7%，优于该产业整体表现。前25大厂商占整体市场营收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 　　Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示：“就群体来看，DRAM厂商的表现胜过半导体产业其他厂商。这股趋势始于2013年DRAM市场因供给减少及价格回稳双重因素而蓬勃发展并持续至今，2014年营收也因而增长31.
  • 关键字： Gartner  DRAM  NAND  

三星2015年内量产48层V NAND　已着手研发64层产品

  • 　　三星电子(Samsung Electronics) 为与其他尚无法生产V NAND的竞争业者将技术差距拉大到2年以上，并在次世代存储器芯片市场上维持独大地位，计划在2015年内量产堆叠48层Cell的3D垂直结构NAND Flash。 　　据首尔经济报导，三星近来已完成48层结构的V NAND研发，并着手研发后续产品64层结构V NAND。48层V NAND将于2015年内开始量产。原本韩国业界推测三星会在2015年下半完成48层V NAND，并在2016年才投入量产，然三星大幅提前了生产日程。
  • 关键字： 三星  NAND  Intel  

高交会上东芝引领闪存技术走向

  • 　　全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼，位出货量季成长25%以上，营收较上季度成长23.7%。 　　东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露，2014年东芝在中国的闪存生意非常好，在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的，从MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的产品，并且东芝的技术动向，也在引领未来闪存的发展趋势。
  • 关键字： 东芝  NAND  闪存  3D  201501  
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