- IC设计第3季财报全数公布完毕，累计前3季，联发科(2454-TW)每股税后盈余23.41元，稳居IC设计每股盈余获利王，也是税后净利获利王，其次是触控IC厂F-敦泰(5280-TW)，前3季每股税后盈余为13.67元，排名第二，第三名则是FLASH控制晶片厂群联(8299-TW)，前3季每股盈余为13.34元，排名第三。
根据公开资讯站资料显示，联发科前3季税后净利与每股税后盈余稳居IC设计之冠，表现亮眼，显示行动装置需求持续升温，第3季旺季效应加持发威下，相关厂商营运表现都相当亮眼，联发科第
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联发科 触控IC FLASH
- TrendForce最新研究报告显示，随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放，GDP成长率呈现高度的成长，所伴随而来的就是惊人的消费潜力，无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下权威内存研究机构DRAMeXchange最新数据显示，以2Gb颗粒来换算，2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿与70.36亿，分别占全球产能19.2%与20.6%。
从DRAM市场来观察，PC-DRAM在中国市场的消化量已经来到15%，内需市场的强劲
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内存 DRAM Flash
- 引言
FLASH(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存储介质有较大区别，使用FLASH时必须根据其自身特性，对存储系统进行特殊设计，以保证系统的性能达到最优。
FLASH的特点
FLASH是一种非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory)，根据结构的不同可以将其分成NORFLASH和NANDFLASH两种。但不
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FLASH NAND
- 第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下，eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年，NAND Flash价格表现也相对稳健，使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流，有助于各家业者成本结构的改善，而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世，整体N
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NAND Flash SSD iPhone6
- 在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器，在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据，MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash，可用于存储非易失性数据，但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距，所以在实际应用中，这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应
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MSP430 Flash EEPROM
- 由于航天应用对可靠性提出了更高的要求，这是与一般的FPGA开发最大的不同。当高能粒子撞击可编程逻辑器件时，撞击的能量会改变器件中的可配置的SRAM单元的配置数据，使系统运行到无法预知的状态，从而引起整个系统失效。这在航天设备中是必须要避免的。以FLASH和反熔丝技术为基础的FPGA与以SRAM为基础的FPGA相比，在抗单粒子事件方面具有很大的优势，可靠性高。
ACTEL公司是可编程逻辑解决方案供应商。它提供了多种服务，包括基于反熔丝和闪存技术的FPGA、高性能IP核、软件开发工具和设计服务，定位
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FPGA FLASH 反熔丝
- 摘要：提出了一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法，并完成了设计和仿真。
关键词：微控制器 在线仿真 开发系统 Flash SRAM
由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级，MCU应用的领域也不断扩展， 因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比，最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作，顺应了MCU功能不断修改的需求;另一方面，Flash MCU市场价格也在不断下降。因此，许多OEM已将Flash MCU用于产品的批量生产。对于F
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MCU Flash 仿真器
- TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，由于智能手机、平板电脑等移动装置需求稳健增长，固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加，而物联网应用也将逐渐导入NANDFlash，2015年NANDFlash整体产业规模将提升至266亿美元，年增长9%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2014年NANDFlash需求位增长率为36%，在更多元化的产品开始导入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增长率将依旧有35%。市场趋势观察的重
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NAND Flash 穿戴性装置
- 摘要：本文以ARM7内核的MCU LPC2458在片外FLASH上运行程序时，采用SWI软中断的方法实现同时写片外FLASH的例子，详细讲述ARM7内核的MCU如何设计SWI软中断程序的流程、方法和应用原理。
1 背景描述
笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核，带512K字节的片内FLASH，98k字节的片内RAM，支持片外LOCAL BUS总线，可从片外NOR FLASH启动CPU。由于代码量较大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
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ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
- 今年上半年，上海海尔集成电路公司推出十几款单片机产品，有其自主知识产权内核的HR7P155~170、201、192、196等系列，还有新的触摸按键芯片等，容量涵盖0.5~64kB，管脚数从10pin至80pin。丰富的资源为客户的方案设计提供了多样选择。
专注于专用MCU的上海海尔，为何此次在如此多的通用产品上发力?在芯片本土化的热潮下，上海海尔的愿景是什么?
处于从专用向通用MCU升级的开端
MCU(单片机，微控制器)一般有通用和专用两类。很多欧美大公司喜欢推出通用单片机，而日本、
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海尔 MCU Flash 201408
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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LVDS FPGA Flash
- 2013年eMMC需求在智能手机市场带动下大幅成长，2014年，平板电脑应用需求亦值得期待，尤其在中国大陆销售的平板电脑中，有90%尚未采用eMMC，这可能进一步扩大eMMC市场规模，引来业内厂商混战一片......
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Flash 控制芯片
- 随着FPGA的功能日益强大和完善，FPGA在项目中的应用也越来越广泛，其技术关键在于控制日益广泛而丰富的外围器件。本文以Flash存储器件为FPGA的外围，叙述了FPGA中SPI总线接口的Flash驱动模块的设计，其接口基本符合Avalon总线的规范要求，并且通过实际的读写操作验证
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Flash 驱动 FPGA
- 静态随机存储器(static RAM)，简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。 1、VDMS16M32芯片介绍 VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
- 本文提出一个基于FPGA的SPI Flash读写硬件实现方案，该方案利用硬件对SPI Flash进行控制，能够非常方便地完成Flash的读写、擦除、刷新及预充电等操作，同时编写的SPI Flash控制器IP核能够进行移植和复用，作为SOC芯片的功能模块。
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FPGA Flash SOC CPU VHDL
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