- 德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。
NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生
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TI MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进，为设计者提供更好的仿真精度、效率和用户友好度。
Vishay的ThermaSim是一个免费工具，可让设计者在制造原型前，对器件进行细致的热仿真，从而加快产品上市。ThermaSim是首款使用结构复杂的功率MOSFET模型的在线MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技术生成的MOSFET模型提高了仿真精度。
设计者还可以定义其他散热器件，并仿真这些元器件对M
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Vishay 热仿真工具 MOSFET ThermaSim
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%.
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半导体
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为 2833亿美元，增长率达到23.2%。
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%，MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率
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MOSFET IGBT
- Maxim推出单端口、供电设备(PSE)控制器MAX5971A，适用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太网供电(PoE+)应用。器件集成导通电阻为0.5Ω的功率MOSFET和检测电阻，有效节省了空间和成本，能够为IP电话、IP照相机、无线LAN接入点以及视频监控照相机等用电设备(PD)提供每端口高达40W的功率。
MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at标准。器件工作在32V至60V电压范围，为IEEE 802.3af/at兼容
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Maxim 控制器 MOSFET
- 电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
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MOSFET VP-P 120 电压
- 电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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MOSFET 高频特性 放大器
- 英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米)，高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米)。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电感，使设计者能以全新方式有效降低高功率密度应用所需的系统解决方案尺寸。
全新封装采用表面贴装方式，在8x8毫米的无管脚封装内，贴装业界标准TO-220晶粒，并具备金属裸焊盘，便于内部高效散热。其低矮外形便于设计者设计出更薄的电源外壳，满足当今市场对时
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英飞凌 MOSFET SMD ThinPAK
- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 用作功率开关的MOSFET
随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代，平面栅极功率MOSFET
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考量 设计 MOSFET 功率 基于
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。
新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 引言
通信电路板常常采用负载点(PoL)DC-DC转换器来为数字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供电。一般而言，一个48V的背板采用中间总线架构(IBA)作为电路板的输入电源，为不同负载点(PoL)供电，而中间电压通常选为12V(见图1)。这种传统方案包含一个分立式PoL，该PoL是以分立的方式使用控制器、驱动器和MOSFET。由于该方案需要额外的设计和制造时间，故半导体供应商目前开始转而采用完全集成的调节器解决方案，以期缩短上市时间，减小PCB空间，并使终端应用达到更高的效率水平。本
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Fairchild 电源设计 MOSFET
- 据国外媒体报道，欧洲第二大芯片制造商英飞凌(Infineon Technologies AG)近日公布的财报显示，结束于3月份的本财年第二财季净利润为7900万欧元(约合1.042亿美元)，去年同期亏损2.39亿欧元;第二财季营收为 10亿欧元，同比增长55%。
第二财季净利润好于分析师预期，营收与分析师预期相当。据彭博社调查的分析师此前曾预计，该公司第二季度经调整净利润7130万欧元。第二财季为英飞凌连续第三季度实现盈利，而在那之前10个季度该公司累计亏损额高达39亿欧元。
英飞凌上调了
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英飞凌 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺，将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布，两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称MOSFET、双MOSFET和单MOSFET。
英飞凌低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示：“我们的客户将从功
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英飞凌 MOSFET 飞兆半导体
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