在存储器芯片市场上，垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大，全球企业间的竞争也将渐趋激烈。
据韩国MT News报导，2016年前3D V-NAND市场规模预估将扩大10倍，而除目前独占市场的三星电子(Samsung Electronics)外，也将有更多半导体厂加速生产V-NAND。三星独大V-NAND市场，为拉大与后起业者的差距，生产产品将从目前的32层堆叠结构，增加到48层。
外电引用市调机构IHS iSuppli资料指出，以NAND Flash的技术分类，V-N
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三星 V-NAND
固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。日、韩快闪记忆体(Flash)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)记忆体解决方案，并将于2015～2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发价格媲美传统硬碟的产品，驱动SSD在笔电、工控、企业端及消费性储存市场出货量翻扬。
慧荣科技产品企画处副总经理段喜亭表示，今年SSD总出货量将较去年成长一倍以上，主要因素在于SSD开发商扩大导入低成本的3D NAND和TLC Flash，让终
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3D NAND SSD
在经历多次市场价格的大起大落后，全球存储器芯片产业终于在近年来迈向整合，使得定价渐趋稳定。不过，近来存储器大厂新帝(SanDisk)接连2季下修预测数据，并归因于快闪存储器的价格下滑，引发外界质疑新兴的稳定机制是否为昙花一现的假象，又或现状仅是个别公司所遭遇的瓶颈。
据Barron's Asia报导指出，眼下虽然存储器芯片价格有所衰退，但许多专家仍对整体产业抱持乐观态度，认为与2014年积弱不振的表现相比，快闪存储器的市场供需平衡现已渐入佳境，多数问题的发生恐是因公司而异，并非普遍的业界趋势。
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存储器 3D NAND
固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。日、韩快闪记忆体(Flash)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)记忆体解决方案，并将于2015～2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发价格媲美传统硬碟的产品，驱动SSD在笔电、工控、企业端及消费性储存市场出货量翻扬。
慧荣科技产品企画处副总经理段喜亭表示，今年SSD总出货量将较去年成长一倍以上，主要因素在于SSD开发商扩大导入低成本的3D NAND和TLC Flash，让终
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3D NAND SSD
2014年NAND flash销售数据出炉，IHS报告称，前四大业者中，三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)销售皆有成长，唯有二哥东芝(Toshiba)疑似因为产品出包遭苹果召回，市占和业绩双双下滑。
BusinessKorea报导，IHS 13日报告称，三星电子稳居NAND flash老大，去年销售年增4%至90.84亿美元，市占率成长0.1%至36.5%。二哥东芝去年市占率由34.3%减至31.8%，销售也大减将近3亿美元。
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三星 NAND flash
近年来，固态硬盘似乎已经成为了计算机的标配。而随着SSD的普及，人们对于速度和容量的渴求也在迅速膨胀。为了能够在单颗闪存芯片上塞下更大的存储空间，制造商们正在想着3D NAND技术前进。与传统的平面式(2D)设计相比，垂直(3D)堆叠能够带来更显著的容量提升。但是最近，一家名为Stifel的市场研究公司却发现：为了实现这一点，制造商们正在砸下大笔投资，而这种成本压力却无法在多年的生产和销售后减退多少。
影响利润的一个主要原因是，3D NAND芯片的生产，比以往要复杂得
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3D NAND SSD
英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。
这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限
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英特尔 NAND
英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。
这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限
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英特尔 镁光 3D NAND
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出符合JEDEC(电子元件工业联合会) e∙MMC™ 版 5.1[1]标准、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND闪存产品。新产品集成了采用15nm工艺技术制造的NAND芯片，广泛适用于各类数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB和64GB产品样品即日起出货，32G
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东芝 NAND
虽然东芝的宣传口号是“智社会 人为本，以科技应人之求”，但2015慕尼黑上海电子展上，仔细观看东芝强大产品阵容之后，我倒更愿意用“半导体技术温暖你的心”来形容它。因为东芝的很多设计确实很贴心，真的可以让生活更加方便快捷。
东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司说，中国市场大体上有两种产品需求，一是以量价为中心的产品，另一种是以提高附加值为中心的产品。东芝有非常宽广的产品线来满足以上两种市场的需求。
东芝展位
存储产品解决方案
东
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东芝 LED NAND
全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司近日宣布成功开发出48层第二代3D NAND闪存(亦称为BiCS2)。 计划于2015年下半年在位于日本四日市的合资工厂内投入试生产，于2016年进行规模化商业生产。
闪迪存储技术部执行副总裁Siva Sivaram博士表示：“我们非常高兴能够发布第二代3D NAND，它是一种48层架构，与我们的合作伙伴Toshiba共同研发。 我们以第一代3D NAND技术为基础，完成了商业化的第二代3D NAND的开发;我们相信，它将为我们的客户提供让人赞
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闪迪 NAND
TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示，随着 TLC 产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往 eMMC / eMCP 与 SSD 等OEM储存装置移动，加上 NAND Flash 业者陆续推出完整的TLC储存解决方案，预估今年TLC产出比重将持续攀升，将在第四季接近整体 NAND Flash 产出的一半。
DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，由于成本较具优势，过去TLC广泛应用在记忆卡与随身碟等外插式产品中。三星(Samsung)从2013年起积极将
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TLC NAND
三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破，加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进，使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高，因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。
三层式储存(TLC) NAND快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。
在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及TLC三种形式的NAND
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三星 TLC NAND
由EMC公司发布的一份图表显示，传统SAN驱动器阵列销售衰退的趋势已然出现，与此同时超融合型、软件定义以及全闪存阵列存储业务则及时赶上，填补了这部分市场空间。
William Blair公司分析师Jason Ader在本月十号出席了EMC战略论坛大会，并以邮件的形式向客户发布了此次会议的内容总结。
EMC公司的管理层引用了一部分IDC研究公司的调查数据，其中显示从2014年到2018年外部存储系统市场的复合年均营收(目前为260亿美元)将实现3%增幅。在此期间，“传统独立混合系
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EMC NAND
中国大陆智能型手机的高成长，使得内存等零组件的消耗激增。这也使得南韩的内存供应商不管是从零组件竞争还是手机整机的竞争上都倍感压力。
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DRAM NAND Flash
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