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super junction mosfet 文章 进入super junction mosfet技术社区

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。与IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一种能
  • 关键字： OBC  SiC MOSFET  

工业电机用功率半导体的动向

  • Steven Shackell  （安森美半导体 工业业务拓展经理）摘  要：电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机；工业电机需要更高能效的电机，同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词：电机；电动工具；MOSFET；工业；IGBT；IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列，尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋，并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 （例如电动工具），
  • 关键字： 202003  电机  电动工具  MOSFET  工业  IGBT  IPM  

英飞凌650V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

  • 近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
  • 关键字： SiC  MOSFET  

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

  • 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。
  • 关键字： 儒卓力  威世N-Channel MOSFET  封装  

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57mΩ产品

  • 奈梅亨，2020年2月19日：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 很多应用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
  • 关键字： 安世半导体  MOSFET  RDS(on)  

NVIDIA预告新旗舰显卡：专为《赛博朋克2077》定制

  • 仅仅是靠“PPT”,《赛博朋克2077(Cyberpunk 2077)》就冲入了Steam去年的畅销游戏榜,相信今年9月17日发售后,游戏的热度将会空前高涨。上周末,NVIDIA GeForce和Cyberpunk 2077官方账号在社交平台互动,内容是关于打造一款赛博朋克限量版显卡。NV随后公布了一张模糊的显卡图,长度至少是RTX 2080 Super级别,同样配备双涡轮风扇。外界猜测,会不会可能是RTX 2080 Ti Super或者7nm Ampere(安培)?上方为限量卡,下方为RTX 2080
  • 关键字： 英伟达  赛博朋克  2077RTX   2080 TiRTX   2080 Ti Super  

Super AMOLED是什么？

  • Super AMOLED超炫屏，全称：Super Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，由三星推出，相比传统AMOLED炫屏而言，摒弃了之前触控感应层+显示层的架构设计，操控更为灵敏。此外还带来了更佳的阳光下显示效果。
  • 关键字： Super AMOLED  三星  

Vishay推出高效80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mW*nC，达到同类产品最佳水平。
  • 关键字： SiR680ADP  MOSFET  Vishay  

Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
  • 关键字： MOSFET  N沟道  

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字： Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  

RX 5700 XT库存告急：RTX 2070将重新铺货上市

  • 上月有消息称，RTX 2070显卡恢复生产，考虑到RTX 2060 Super与RTX 2070性能接近，老黄的操作有些让人看不懂。不过，Gamers Nexus的报道坐实了传言。非公厂商爆料称，他们正积极从NVIDIA下单芯片，以补充RTX 2070库存。之所以出现上述情况，据说是竞品AMD RX 5700系列尤其是RX 5700 XT备货不足导致的，究其根本，就要怪罪到台积电的头上，当下7nm的需求是在是太火爆了。当然，对于NV和AIC来说，如何重新对RTX 2070定价也值得关注。RTX 2060的
  • 关键字： RTX 2070  RX 5700 XT  RTX 2070 SUPER  

功率MOSFET的参数那么多，实际应用中该怎么选？

  • 功率 MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
  • 关键字： MOSFET  功率MOSFET  

SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高，对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求，进一步改进MOSFET/ IGBT产品，但在某些时候，收益递减
  • 关键字： SiC MOSFET  意法半导体  

减慢开关转换时要谨慎

  • 开关调节器中的快速开关瞬变是有利的，因为这显著降低了开关模式电源中的开关损耗。尤其是在高开关频率时，可以大幅提高开关调节器的效率。但是，快速开关转换也会带来一些负面影响。开关转换频率在20 MHz和200 MHz之间时，干扰会急剧增加。这就使得开关模式电源开发人员必须在高频率范围内，在高效率和低干扰之间找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了创新的Silent Switcher®技术，即使是极快的开关边沿，也可能产生最小电磁辐射。图1.对开关模式电源进行开关转换，在开关节点处施加输入电压。图1显示了快速
  • 关键字： 开关  MOSFET  

ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
  • 关键字： SiC  MOSFET  
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