IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨询近日发布报告,预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)环比增长 18-23%,而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健,由于存储器价格涨势明确,带动买方积极扩大购货需求,以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低,加上原厂减产效应作用,这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
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存储 DRAM NAND Flash
今年的半导体可谓寒风瑟瑟,市场下滑的消息从年头传到年尾,半导体企业也疲于应对萧瑟的市场环境,不断传出减产、亏损的消息。熬过冬就是春,最近的半导体市场总算是迎来了一些好消息。IDC 最新的预测,认为半导体市场已经触底,明年开始半导体将会加速恢复增长。在它的预测中,2023 年全球半导体市场收入从 5188 亿美元上调至 5265 亿美元,2024 年收入预期也从 6259 亿美元上调至 6328 亿美元。到明年,全球半导体收入将同比增长 20.2%。IDC 全球半导体供应链技术情报研究经理 Rudy Tor
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NAND flash 射频前端 CPU 模拟芯片
NAND Flash现货价于8月中旬反弹,DRAM价格也在9月开始回升,内存市况确立好转,带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报,内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损;内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看,第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商,则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安,财务成绩表现亮眼。此外,威刚14日公告10月自结财务数
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内存 NAND Flash DRAM
兆易创新GigaDevice宣布,搭载了兆易创新GD25F128F车规级SPI NOR Flash的明然科技国产化主动悬架控制器(CDC)出货量已超数万台,并在奇瑞瑞虎9和星途瑶光等车型上量产。在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中稳定运行,标志着兆易创新车规级SPI NOR Flash的可靠性得到进一步验证。悬架是车架(或车身)与车轿(或车轮)之间的传力连接装置,分为传统被动式、半主动式和主动式三类,而主动式悬架系统能根据车辆的运动状态和路面情况自适应调节减振器阻尼力,使其更好地适用于当前路段,悬架
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兆易创新 悬架控制器 SPI NOR Flash
在本次展会上,东芯半导体也来到了EEPW的直播间。东芯半导体股份有限公司成立于2014年,作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2022年EEPW曾有幸采访过东芯半导体副总经理陈总,这次在2023年慕尼黑华南电子展上,陈总向我们介绍了东芯半导体这次在展会上带来了全线的产品,包括了NAND/NOR/DRAM。目前东芯在NAND
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东芯半导体 NAND NOR DRAM 存储
据TrendForce集邦咨询最新研究显示,第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND
Flash方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile
DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低,因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因,供应方面:三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等,持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面:2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate
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Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示,由于供应商严格控制产出,NAND
Flash第四季合约价全面起涨,涨幅约8~13%。展望2024年,除非原厂仍能维持减产策略,且服务器领域对Enterprise
SSD需求回温,否则在缺乏需求作为支撑的前提下,NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面,由于原厂及模组厂均积极涨价,促使PC
OEM欲在价格相对低点预备库存,采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量,已在第三季推出促销,故Client
SSD价格没有
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NAND Flash TrendForce
10 月 6 日消息,据韩媒 Business Korea 报道,三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低,公司计划今年四季度起,调涨 NAND Flash 产品的合约价格,涨幅在 10% 以上,预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源韩媒 Business Korea自今年年初以来,三星一直奉行减产战略,IT之家此前曾报道,三星的晶圆产量大幅下降了 40%,最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域,之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量,眼下正试图推动
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三星 NAND flash 涨价
IT之家 9 月 27 日消息,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道,伴随着主要存储制造商的持续减产,已经市场去库存效果显现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关效果已经显现,消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹,9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产,主要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
据TrendForce集邦咨询研究显示,第二季NAND
Flash市场需求仍低迷,供过于求态势延续,使NAND
Flash第二季平均销售单价(ASP)续跌10~15%,而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%,合计第二季NAND
Flash产业营收环比增长7.4%,营收约93.38亿美元。自第二季起,三星(Samsung)加入减产行列,且预期第三季将扩大减产幅度,供给收敛的同时也在酝酿涨价,供过于求态势有望因此获得改善。不过,由于NAND
Flash产业供应商家数多,在库存仍高的情
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NAND Flash TrendForce
近日,三星(Samsung)为应对需求持续减弱,宣布9月起扩大减产幅度至50%,减产仍集中在128层以下制程为主,据TrendForce集邦咨询调查,其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度,目的加速库存去化速度,预估第四季NAND
Flash均价有望因此持平或小幅上涨,涨幅预估约0~5%。价格方面,如同年初TrendForce集邦咨询预测,NAND Flash价格反弹会早于DRAM,由于NAND
Flash供应商亏损持续扩大,销售价格皆已接近生产成本,供应商为了维持营运而选择扩大减产,以期带动价
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NAND Flash Wafer TrendForce
近日,存储器芯片供应商普冉股份披露投资者关系活动记录表。关于NOR Flash行业库存情况,普冉股份表示,NOR
Flash终端客户的原厂库存以及渠道库存已经几近健康,设计原厂的库存调整也逐步接近尾声。接下来一段时间,各厂商依然会采取适当的降价策略去化库存。但随着行业库存逐步健康,行业格局逐步出清,预计下半年会持续向好,价格也会逐步回归平稳态势,公司将密切关注后续市场走势。普冉股份强调,公司将积极地进行战略盘整,持续调整以应对市场的迅速变化。面对激烈的行业竞争格局,机遇与挑战并存,公司会充分发挥公司的
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存储 普冉股份 NOR Flash
逻辑门基本上由三个基本逻辑门组成,分别称为 NOT、AND 和 OR 门。所有逻辑门都有各自相同的逻辑功能。通过这些逻辑门的组合,我们可以得到任何布尔或逻辑函数或逻辑功能。基本逻辑门的真值表:在了解转换之前,我们首先需要了解每个逻辑门的工作原理。1. NOT 逻辑门:这是最简单的数字逻辑电路类型。这些门是一个两端设备,一个是输入端,另一个是输出端,NOT 门的输入只能是二进制数,即可以是 0,也可以是 1。NOR 逻辑门的输出总是与输入相反,也就是说,如果我们在输入端输入逻辑 1,那么输出端将是逻辑 0,
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NOR 逻辑门
传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据,会覆盖上次存储的数据,无法进行数据的连续存储。针对该问题,本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间,记录最新分区信息,将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图,并进行了验证。
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