- 2014年慕尼黑上海电子展产品亮点 TDK公司为变频器提供一款采用了爱普科斯(EPCOS) CeraLink™技术的全新直流链路电容器。CeraLink™技术是以PLZT陶瓷材料为基础(铅镧锆钛酸)，使用的容值范围为1 微法 至100 微法，额定直流电压为400 伏。另一款电容器的额定直流电压为800伏，容值为5 微法。 CeraLink™新技术在功率变换器的直流链路的稳定性和滤波方面具有很多优势-特别与传统电容器技术相比：由于该款新电容
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TDK 电容器 CeraLink SiC
- ROHM于2011年开发了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小贴片电阻器，相比以往的0402产品尺寸成功减小了44%。2012年开发了世界最小半导体—0402尺寸的齐纳二极管。2013年，产品阵容中增加了0402尺寸的肖特基势垒二极管(SBD)，同时实现了03015尺寸的贴片电阻器量产。
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ROHM 小型化 SBD 贴片电阻
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
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SiC GaN
- 最近，碳化硅(SiC)的使用为BJT赋予了新的生命，生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的...
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光伏逆变器 SiC BJT
- 通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
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三菱电机 SiC
- 通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
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SiC 二极管
- 新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗铜线有利于降低损耗提高效率，SiC-SBD专长于高速开关动作，再加上注重最佳音质的制造工艺技术，能够实现高音质音响效果。
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新日本无线 SiC-SBD MUSES
- 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
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美高森美 SiC
- GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
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功率 半导体 SiC GaN
- 在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫崎县PhoenixSeagaiaResort)上，最近开始扩大SiC晶圆业务的亚洲企业纷纷出展。
山东天岳先进材料科技有限公司(SICC)展出了将从2014年4月开始对外销售的直径2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圆。该公司当前的目标
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SiC 晶圆
- 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太阳能（PV）逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传...
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PV 逆变器 SiC 功率元件
- SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
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SiC GaN
- GT Advanced Technologies(纳斯达克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
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GT SiC 晶体
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
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