- 一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间，有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
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MOS MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。 ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC
MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
- 2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC)
MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。 这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC
生态系统，包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件，以及
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安森美 MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结
MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。 此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，通过提高导通MOSFET所需要的电压水
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ROHM MOSFET
- 2019年3月14日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON
Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer
Studioä
开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案，使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围，且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。 Strata Developer
S
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安森美 SiC
- Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD)
为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP
功率双极晶体管，采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP
晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。
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Diodes MOSFET
- 2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim，California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。 在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx
microBR
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Vishay MOSFET
- 世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。 主要应用 w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组 w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天 SiC MOSFET系列 产品覆盖额定电压650-1200V，额定电流30-92A，可满足多
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新能源汽车 MOSFET
- Mar. 7, 2019 ----
全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出，受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年同比增长8%。 集邦咨询分析师谢瑞峰指出，功率半导体作为需求驱动型的产业，2019年
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IGBT SiC
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 热模型
- 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC)
MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。 SIC1182K可在125°C结温下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
- 介绍了SiC的市场动向，SiC市场不断扩大的原因，SiC技术及解决方案的突破，以及罗姆公司在SiC方面的特点。
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SiC 市场 应用 汽车 201903
- 专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics
(ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh
M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能
微型逆变器等设备的功率密度。 贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，从而增加功率密度。该系列
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贸泽 STMicroelectronics MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的2.5 A
IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors
VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 日前发布的光耦采用CMOS技术，含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs
LED，为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使
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Vishay MOSFET
- 意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议，收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来，开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示，在交易完成之后，它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链，并为自己带来一个重要的增长机会。
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ST Norstel SiC
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