- 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化镓 SiC 功率元件 MOSFET LED
- 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
- 在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分
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MOSFET 驱动器 卓越 解决方案 集成 替代 设计 分立 器件
- 在电源设计小贴士#42中，我们讨论了MOSFET栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型SOT-23晶体管...
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电源设计 分立器件 MOSFET
- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (带散热片的小外形扁平引脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299)。
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飞兆 英飞凌 MOSFET
- 英飞凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID(高强度放电)照明等谐振拓扑。
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英飞凌 MOSFET
- DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种
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MOSFET 选择 控制器 开关 系统 电源
- 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。
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英飞凌 飞兆 MOSFET
- 电路热插拔控制的目的是为了在一块正在工作的电路板上添加或“插入”一块未通电的电路板，不会中断原电路板正在进行的工作状态，并且同时启动添加到系统中的那块电路板的有序上电。主要目的是为了当电流转入一块插入到“正在工作”或带电的背板或其他电路的电路板时，保护MOSFET器件。
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热插拔 MOSFET
- 采用IMEC的SiC技术完成生物电信号采集,人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积
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IMEC SiC 生物电信号采集
- 在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电...
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MOSFET 门极驱动 电压优化
- 日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)构成。
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罗姆 半导体 SiC
- MOSFET的开关轨迹线是判断MOSFET开关过程“软硬”程度的重要评估指标，MOSFET的软硬程度对于开关电源的性能、...
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TDS3000 示波器 MOSFET
- 据市场研究机构IMS Research的最新报告显示，2016年，LED照明应用领域的全球功率半导体市场预计将超过30亿美元。
报告认为，随着更高效照明需求的增长以及淘汰白炽灯的法令的颁布，LED照明市场快速增长，这将催生一个巨大的大功率LED潜在市场，到2016年，大功率LED出货量将达190亿个，总值超过30亿美元。
LED照明是大功率LED市场发展的最大机遇，到2016年将可带动20亿美元的功率半导体市场。市面上具有各种不同的电子设计、要求和规格的LED灯的产品范围越来越广，这也给大
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LED照明 MOSFET
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