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三星、东芝NAND Flash市占差距缩减至0.3%

　　据韩国媒体报导，2011年第1季NAND Flash市场上，日厂东芝(Toshiba)猛力追击，以市占率0.3%差距，威胁三星电子(Samsung Electronics) 8年来业界第1的地位。然而在快速成长的行动DRAM市场上，三星仍坐拥压倒性的市占率。
关键字：三星 Flash

基于FPGA的NAND Flash ECC校验

摘要基于Flash存储器的Hamming编码原理，在Altera QuartusⅡ7．0开发环境下，实现ECC校验功能。测试结果表明，该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ECC校验数据，能够检测出1 bit错误和2 bit错误，对于1 bit错误
关键字： Flash FPGA NAND ECC

支持Flash的单板计算机嵌入式系统

支持Flash的单板计算机嵌入式系统,1 引言　　在实际开发中，为了提高开发效率，大多是采用以一个与目标板硬件相似的BSP为模板，并在此基础上修改移植。在这个过程中.除了CPU以外，另一个重要的器件就是装有启动程序的Flash器件。　　2 系统介绍　　采
关键字：嵌入式系统计算机单板 Flash 支持

一种基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口设计

摘要：从一种军用板卡的实际需求出发，对SPI接口在设计中有诸如FPGA资源和管脚等限制的情况下，快速加栽配置数据的方法进行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的设计原理和方法，具有
关键字： T1024 FLASH 1024 25T

Flash损耗均衡的嵌入式文件系统设计

Flash损耗均衡的嵌入式文件系统设计,引言
嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展，由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制，因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理的、针对嵌入式应用
关键字：系统设计文件嵌入式损耗均衡 Flash

终端需求疲软 NAND Flash合约价大跌

　　第2季NAND Flash终端需求太差，新出炉合约报价大跌超过10%，内存模块厂表示，合计整个5月现货报价跌幅达20%，合约价合计跌幅也超过15%，反映终端需求确实需要新刺激，目前市场是底部已临，静待反弹阶段;展望第3季，市场认同威刚董事长陈立白的基调，预期第3季仍会比第2季好一些，但市场不至于会有缺货或价格飙涨的情况发生。
关键字：三星 NAND Flash

flash接口电路的实现

flash接口电路的实现,0引言

　　我们在进行嵌入式系统设计的过程中，根据需求，要设计出特定的嵌入式应用系统，而嵌入式应用系统的设计包含硬件系统设计和软件系统设计两个部分，并且这两部分设计是互相关联、密不可分的，嵌入式应用系
关键字：实现电路接口 flash

基于NAND FLASH的高速大容量存储系统设计

摘要：为了解决目前记录系统容量小、存储速度低的问题，采用性能优良的固态NAND型FLASH为存储介质，大规模集成电路FPGA为控制核心，通过使用并行处理技术和流水线技术实现了多片低速FLASH时高速数据的存储，提高了整
关键字： FLASH NAND 大容量存储

NAND FLASH在储存测试系统中的应用

0 引言　　计算机技术的高速发展，存储系统容量从过去的几KB存储空间，到现在的T8；乃至不久的将来要达到的PB存储空间，其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管
关键字： FLASH NAND 储存测试系统

基于USB总线的MC68HC908JB8 Flash在线编程

ICP是一种在实际的目标电路板上烧写和擦除芯片的方法，无需从目标板上将芯片卸下来再编程实现用户程序的修改。这种方法适用于产品开发和代码升级。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1，STC
关键字：在线编程 Flash MC68HC908JB8 USB 总线基于

三星与海力士提升NAND Flash芯片产量

　　据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。　　
关键字：三星 NAND Flash

TMS320F2812片内Flash在线烧写技术

TMS320F2812(以下简称F2812)是美国德州仪器公司(TI)新一代32位定点数字信号处理器(DSP)，主要应用于逆变器控制、电机控制等领域，并拥有工作频率高达150 MHz的32位DSP内核处理器，可以高效可靠地实现自适应控制和状
关键字：技术在线 Flash 片内 TMS320F2812

NAND Flash嵌入式存储系统结构分析

NAND Flash嵌入式存储系统结构分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作为存储芯片，设计了一种在NFTL上实现坏块管理并且实现连续数据读取的方法。
关键字：结构分析系统存储 Flash 嵌入式 NAND

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器设计

摘要：先对ONFI标准进行了介绍，然后再设计了一种支持ONFI2．1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括状态机的设计，接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下，信号的对齐问题进行了说明，并提出了一种解决方
关键字： Flash 控制器设计 NAND 模式 ONFI 同步支持

海力士看好存储器价格反弹

　　韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市，发表脱离谷底的看法，对于台系DRAM厂而言，可望注入强心针。在硅晶圆部分，海力士与台厂目前都有1~2个月不等库存，短期仍可支应生产，但中长线来看，日本地震造成硅晶圆短缺问题仍待厘清，目前市场买盘多是边走边看，没有一窝蜂抢货，但也会担心日后供给吃紧造成涨价问题。　　
关键字： Hynix DRAM NAND Flash

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