身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。
因 为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法，认为那 些题目不关他们
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FD-SOI FinFET
本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
中国芯片企业起步较晚，在发展中屡屡遭受国际巨头的“专利围剿”，通过支持重点企业的兼并重组及海外收购，培育具有核心竞争力的大型企业，无疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec FD-SOI
在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时，急需复习射频基础知识。如果没有考虑滤波器类型和最低技术规格要求方面的基本要素，可能导致产品不能通过“测试”，结果产品又得重新开始设计，导致代价昂贵的生产推迟。另一方面，懂得如何准确确定滤波器参数，将有助于使生产出的产品满足客户的生产标准和功能。事实上，这种知识有助于在提高产品在市场上的成功机会的同时，控制生产费用。 从基础开始 在当今无线领域，激烈的扩展带宽的竞争迫使人们要更加关注滤波器的性能。如
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RF 微波滤波器
全球领先的绝缘硅(SOI)晶圆制造商法国Soitec半导体公司今日在北京举办的新闻发布会中介绍了该公司在中国市场的发展历史、全耗尽绝缘硅(FD-SOI)基板的成熟性和生产及准备状态、FD-SOI的最新进展及其生态系统。与会发言人包括Soitec公司市场和业务拓展部高级副总裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司数字电子商务部高级副总裁Christophe Maleville。会上主要讨论的问题包括该技术是否适合各代工厂及应用设计师广泛使用，更重要的是，该技术如何解决中国半导体行业及
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Soitec FD-SOI
RF电路布局要想降低寄生信号，需要RF工程师发挥创造性。记住以下这八条规则，不但有助于加速产品上市进程，而且还可提高工作日程的可预见性。
规则1：接地通孔应位于接地参考层开关处
流经所布线路的所有电流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不过回流通常流经相邻的接地层或与信号线路并行布置的接地。在参考层继续时，所有耦合都仅限于传输线路，一切都非常正常。不过，如果信号线路从顶层切换至内部或底层时，回流也必须获得路径。
图1就是一个实例。顶层信号线路电流下面紧挨着就是回流。当它转移到底层时，回
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RF 寄生信号
本文以改善RF的信号质量(频带外的不必要辐射)为目的，介绍使用了片状铁氧体磁珠和片状电感器的移动终端的PA电源线的噪声对策方法。 以智能手机为首的移动无线终端的Power Amplifier (PA)中，为了抑制不必要的辐射(频带外的&杂散发射)，寻求改善PA的电源质量(PI: 电源完整性)的例子很多。在无线通信中，以国际标准(ITU)为首，3GPP(无线通信标准机构)，以及各运营商都对不必要的辐射的范围值设定了严格的标准。因此，我们有必要通过PA的电源线的噪声
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RF 噪声
第五届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2016产业和技术展望研讨会 时间：2016.01.14 下午 地点：深圳南山软件创业基地 IC咖啡 演讲主题：RF integrated module to support CA and global phone 演讲人：陶镇 - Qorvo移动产品市场战略部亚太区经理 陶镇：大家早上好!我是陶镇，来自Qorvo公司。刚才主持人介绍
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Qorvo RF
苹果(Apple)宣布以182万美元从美信半导体(Maxim Integrated)买下位于加州圣荷西的一座8吋晶圆厂。专家分析认为，此举并不会影响与苹果合作的晶圆代工厂生意。
据SemiWiki报导指出，SEMI World Fab Watch Database资料显示，苹果买下的晶圆厂于1987年建立，即使全面开工每月也只能生产1万片晶圆，规模相对小且老旧，无法生产苹果所需的应用处理器(AP)。
苹果最新AP采16/14纳米FinFET制程，而10纳米制程也正在开发中。8吋晶圆近日才微
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三星 FD-SOI
据国外媒体报道，佛罗里达州的RF(射频)技术研发商ParkerVision本周向美国国际贸易委员会(ITC)和佛罗里达州地区法院提出起诉，指控苹果、三星、LG和高通等4家公司侵犯了它的某些无线连网专利。 ParkerVision表示，高通和三星制造的无线接收器侵犯它的4项无线连网专利。苹果、三星和LG都在各自的移动产品中使用了侵权的高通芯片，三星自主研发的Shannon 928 RF收发器也面临着进一步的审查。 本案涉及的专利包括第6879817号、第7929638号、第8571135号和第911
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RF 苹果
2015年11月27日，全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)2015年度技术论坛，继9月23日首场在深圳获得热烈反响后，于今日在北京丽亭华苑酒店再度拉开帷幕。来自北京、长三角、西部地区的150多位IC设计精英、知名合作伙伴、行业分析师和媒体朋友齐聚一堂，就产业趋势和市场热点进行了深入交流，并分享了华虹宏力新的技术成果。 公司执行副总裁范恒先生和执行副总裁孔蔚然博士等公司高层亲临论坛现场，与参会嘉宾互动交流。同时公司派出了阵容
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华虹 RF-CMOS
在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时，急需复习射频基础知识。如果没有考虑滤波器类型和最低技术规格要求方面的基本要素，可能导致产品不能通过“测试”，结果产品又得重新开始设计，导致代价昂贵的生产推迟。另一方面，懂得如何准确确定滤波器参数，将有助于使生产出的产品满足客户的生产标准和功能。事实上，这种知识有助于在提高产品在市场上的成功机会的同时，控制生产费用。 从基础开始 在当今无线领域，激烈的扩展带宽的竞争迫使人们要更加关注滤波器的性能。如
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RF，微波滤波器
DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FD-SOI
典型的精密运算放大(运放)器可以有1MHz的增益带宽积。从理论上讲，用户可能期望千兆赫水平的RF信号衰减到非常低的水平，因为它们远远超出了放大器的带宽范围。然而，实际情况并非如此。事实上，包含在放大器内的静电放电(ESD)二极管、输入结构和其它非线性元件会在放大器的输入端对RF信号进行“整流”。在实际意义上，RF信号被转换成一种直流(DC)偏移电压，这种DC偏移电压添加了放大器输入偏移电压。
用户也许会问：“对于由给定RF信号产生的DC偏移电压，我如何确定其幅
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量化射频 RF
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