- 今年由欧洲两大主要研发中心——法国CEA-Leti和比利时IMEC举办的年度开放日活动刚好都在六月的同一时期举行。但这种时程的冲突并不是有意的，至少Leti是这么认为。Leti的一位官方代表指出，“在过去七年来我们一直是在六月的同一周举行年度活动。对他们来说，我们的排程应该不是什么秘密。”
Leti位于法国格勒诺布尔市创新园区的核心地带
不过，位于格勒诺布尔的Leti Days和位于布鲁塞尔的IMEC技术论坛这两大
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FD-SOI 物联网
- 可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展：设计了Ni/Cu体系，利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控，有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。
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石墨烯 SOI
- 美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
- 多输入多输出，更高的效率Wi-Fi系统的效能与容量将迈入新境界。
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Wi-Fi RF
- 格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工
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格罗方德 FD-SOI
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
- 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术;不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。
例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，该公司正在14至16奈米节点采用
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FinFET FD-SOI
- 手机终端增加移动支付芯片不只是简单的芯片硬件成本，还有更多其他配套成本，但是增加一个功能可以带来差异化，差异化可以给手机带来的溢价。
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NFC RF
- 身为记者，我有时候会需要经过一系列的资料收集──通常包含非正式评论、随机事实(random facts)、推特文章、研讨会/座谈会资料或是公关宣传稿，然后才能把许多线索串联在一起;全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一个例子。
我从美国旅行到中国接着又到欧洲，在与电子产业人士讨论技术的过程中，发现FD-SOI从一个不容易了解的名词，逐渐变得越来越“有形”。关于这个技术，我在最近这几个星期所收集到的随机
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晶圆 FD-SOI
- 一直以来，蜂窝电话都使用超外差接收器和发射器。但是，随着对包含多标准(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模终端的需求不断增长，直接转换接收器和发射器架构变得日趋流行。在过去十年中，集成电路技术取得长足发展，使得在单一芯片上集成各种不同的RF、混合信号和基带处理功能成为可能。
一个典型的蜂窝收发器(见图)包括RF前端、混合信号部分和实际的基带处理部分。就接收器而言，通常的架构选择包括直接转换到直流、极低中频(IF)和直接采样。直接转换到直流的方法会受直流偏移和低频噪音干扰，而低IF可以减
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RF 混合信号
- 在过去的几十年中，混合信号集成电路(IC)设计一直是半导体行业最令人兴奋、且在技术上最具挑战的设计之一。在这期间，尽管半导体行业取得了不少的进步，但是一个永恒不变的需求是保证我们所处的模拟世界能够与可运算的数字世界实现无缝对接，当前无处不在的移动环境和迅速崛起的物联网(IoT)“再创新”的要求尤为如此。
当今全球半导体的市场份额约为3，200亿美元，数字和存储器IC约占这个市场的三分之二。摩尔定律(Moore‘s Law)和先进的CMOS处理技术驱动着这些IC
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RF 混合信号
- 在电子设计中，模拟/RF设计一直是最让设计师头疼的部分，传统上，模拟射频器件供应商一般只提供器件的datasheet以及若干参考设计，但 是，要让器件运转正常，设计师需要更多实际电路的评估和测试，这方面需要时间和经验的积累，也是非常耗费精力财力的，有没有什么办法让设计师可以加快这方 面的设计呢?或者能实现模拟射频电路的复用?ADI的实验室电路给出了一些探索。
“ADI的实验室电路不同于参考设计，是更接近实际应用的 电路。”ADI电路工程师胡生富在接受电子创新网采访时表示，
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ADI RF
- 当射频电路一切都按预先设定的方案设计完成之后，其性能不一定就会完全达标，其中会导致射频性能不达标的一个重要因素有可能就是电磁干扰，而电磁干扰并不一定是因为射频范畴内电路布局、布线不合理造成，亦可能是因为其它方方面面的原因。大多数情况导致干扰出现都是当和其它电路，如数字电路部分、电源电路部分等组合后才产生的。
处理干扰问题是做设计工作必须的、更是射频设计、预研工作重点之一。在此简单谈谈我们对射频方面电磁干扰的理解与认识。
电磁干扰(EMI)在电子系统与设备中无处不在，在射频领域表现却特别突出
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RF EMC
- 随着模数转换器(ADC)的设计与架构继续采用尺寸更小的过程节点，一种新的千兆赫ADC产品应运而生。能以千兆赫速率或更高速率进行直接RF采样且不产生交织伪像的ADC为通信系统、仪器仪表和雷达应用的直接RF数字化带来了全新的系统解决方案。
最先进的宽带ADC技术可以实现直接RF采样。就在不久前，唯一可运行在GSPS (Gsample/s)下的单芯片ADC架构是分辨率为6位或8位的Flash转换器。这些器件能耗极高，且通常无法提供超过7位的有效位数(ENOB)，这是由于Flash架构的几何尺寸与功耗限
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ADC RF 转换器 LVDS FPGA
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