在最近召开的GSA会议(GSA Expo conference)上,GlobalFoundries公司宣称其使用32nm SOI制程工艺制作的24Mbit SRAM芯片的良率已经达到两位数水平,预计年底良率有望达到50%左右。GlobalFoundries同时会在这个会议上展示其最新的制造设备。
据称目前Intel 32nm Bulk制程技术的良率应已达到70-80%左右的水平,而且已经进入正式量产阶段,在32nm制程方面他们显然又领先了一大步。不过按AMD原来的计划,32nm SOI制程将在2
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GlobalFoundries 32nm SOI
由Power.org 主办的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛会将再次回到中国,大会将于10月14日在北京·柏悦酒店召开。会议将聚焦多用途的Power架构技术平台以及它繁茂而充满生机的生态系统。 本次大会将亮相基于Power 架构的最新产品和解决方案以及来自Power.org的倡议,会议组织方还邀请了业界顶尖的专家做主题演讲并展开讨论和交流。
当今世界日新月异,根据需求不断创新已经成为时代发展的必然。Power Architecture
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Freescale 机顶盒 Power Architecture
法国SOI技术公司Soitec公布2009-2010财年第一季度销售额为4390万欧元(约合6190万美元),环比增长22.3%,同比减少27.2%。
6月,Soitec在收到了主要客户的急单之后,大幅上调了第一财季的预期,预测第一季度销售额环比增长20%。
第一季度,Soitec称晶圆销售收入为4110万欧元(约合5790万美元),环比增长30.8%。其中300mm晶圆占了84%的份额,环比增长35%。
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SOI 晶圆
恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装(无损耗封装:LFPAK)中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体,可在各种严苛应用条件下
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NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Global Foundries再度展开挖角,继建置布局营销业务、设计服务团队之后,这次延揽建厂、厂务人才并将目标锁定半导体设备商,Global Foundries预计2009年7月破土的Fab 2正在紧锣密鼓策画中,这次延揽的Norm Armour原属设备龙头应用材料(Applied Materials)服务事业群高层,而Eric Choh则是原超微(AMD)晶圆厂营运干部,两人都熟稔晶圆厂设备系统与IBM技术平台。
Global Foundries宣布新一波人事布局,主要是为了积极筹备位于纽
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GlobalFoundries 晶圆 半导体设备 SOI
Global Foundries制造系统与技术副总裁Tom Sonderman表示,Global Foundries位于纽约Fab 2将于7月破土,专攻28纳米制程已以下制程技术,未来将持续延揽来自各界半导体好手加入壮大军容,同时他也指出,目前45/40纳米良率水平成熟并获利可期,2009年底前Fab 1将全数转进40/45纳米制程。Global Foundries表示,在晶圆代工领域台积电虽是对手之一,但真正的目标(Bench Mark)其实对准英特尔(Intel)。
竞争对手台积电45/40
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GlobalFoundries 40纳米 晶圆代工 SOI
新闻事件:
韩国LS与英飞凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影响:
将使英飞凌和LSI得以加速进入高效能家电、低功率消费与标准工业应用等前景好的市场
LS预计于2010年1月在天安市的生产基地开始量产CIPOS模块
韩国LS Industrial Systems与英飞凌科技(Infineon)共同成立了一家合资公司──LS Power Semitech Co., Ltd,将聚焦于白色家电压模电源模块的研发、生产与行销。
合
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英飞凌 IGBT CIPOS 射极控制二极管技术 SOI
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE一TCAD三维器件模拟结果表明,该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应。而且,该结构可以在不增加寄生电容为代价的前提下,通过适当的增加si膜厚度的方法减小体引出电阻,从而更有效地抑制了浮体效应。
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SOI 器件
Power Integrations为LinkSwitch-II初级侧控制离线式开关IC系列再添新品
用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司宣布推出LNK632DG器件,为其广受欢迎的LinkSwitch-II产品系列再添新品。新器件针对最高输出功率3.1 W的电源应用而设计,使制造商能够满足包括能源之星â EPS v2.0在内的全球所有的低功率
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Power IC 离线式
ST(意法半导体)于2月26至27日亮相深圳IIC-China 2009,集中演示基于“Green Power”理念的系列节能产品及解决方案。三十余款产品的现场演示展示意法半导业界最领先的电源管理解决方案,体现意法半导体致力于帮助客户减少环境影响的承诺。
照片1 ST展位
其中,太阳能发光二极管(Solar LED)街灯格外引人注目,该产品是是意法半导体大中国区多元市场技术应用中心研发的独特解决方案,据该中心的高级应用工程师史建忠介绍说,该方案由两个模块构成:一个85W太阳能
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ST IIC Green Power 电源管理
据EE Times网站报道,旨在推进SOI晶圆应用的产业组织SOI联盟(SOI Consortium)宣布,比利时研究机构IMEC已加入协会作为学术会员。
IMEC是一家独立的纳电子研究中心,已在SOI技术领域积极开展研究超过20年。IMEC开展的合作性CMOS微缩研究较商用制造水平超前2至3个节点。IMEC不仅研究SOI相关的器件原
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SOI 晶圆 IMEC
快速扩展的新一代锂离子电池供应商 Boston-Power 公司宣布与金山电池国际有限公司 (GP Batteries) 结成战略合作伙伴关系。通过这项合作关系,可充电锂离子电池Sonata的批量生产将可以大幅扩展。该协议的详情并没有对外公布。
金山电池国际有限公司是大中国区领先的消费产品电池制造商,是金山工业集团 (Gold Peak Industries) 的成员,后者于1964年成立,为香港上市公司 (SEHK:40),在世界各地都设有办事处。
根据这项五年协议,金山电池将台
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Boston-Power 金山电池 可充电锂离子电池
由上海市集成电路行业协会举办的“集成电路产业材料本土化合作交流会”2月17日在张江休闲中心召开。来自上海新阳半导体材料有限公司、安集微电子(上海)有限公司、上海新傲科技有限公司、上海华谊微电子材料有限公司等集成电路材料企业就高纯CU电镀液、SOI外延片、CMP抛光液、清洗液及高纯化学试剂等新材料、新工艺做了介绍。会上近60位长三角地区晶圆制造企业代表参与并就四个报告进行交流。
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集成电路 SOI CMP
近日,Mouser电子公司宣布它首次备有FCI的高速电缆和电源电缆组件,FCI是一家在广泛的消费电子和工业应用方面领先的设计商、制造商和创新、高品质电气和电子互连系统的供应商。FCI的互连器件包括为音频/视频连接器、cardedge连接器、背板连接器、D- Sub连接器、端子、I/O连接器、IC连接器、元器件连接器、矩形连接器、电源连接器、SMT连接器、FFC/FPC、电信连接器、以太网连接器、终端连接器、USB和火线连
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Mouser FCI USB+Power PwrBlade PwrTwin Blade Power D-sub
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