- 1 引言近年来，随着电力电子技术、微电子技术及大规模集成电路的发展，生产工艺的改进及功率半导体器件价格的降低，变频器调速越来越被工业上所采用。在摩擦学测试系统中，用变频器控制电机实现试验设备的速度调节已
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串口 通信 变频器 PC LabVIEW 基于
- 台湾内存公司(TMC)成立过程峰回路转，力成董事长蔡笃恭对TMC持中立态度，如果政府觉得DRAM产业重要，就该救，只是如何救变成见仁见智。蔡笃恭认为，台面上的DRAM厂应想办法以整合方式存活下来，一旦DRAM厂倒闭归零，就很难再回来了!
蔡笃恭说，随着DRAM报价回升，产业整并已经错过最好的时机，但是如果不在这一波整合，过了2年至3年之后，会再面临相同问题，他认为，DRAM厂应该抛去过去包袱，忘记过去，也许本来有10分，整合之后降至2分，但是放眼未来，DRAM厂还有机会从2分回升至5分、6分，反
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TMC DRAM
- 韩联社4月27日电称，Hynix(海力士)半导体成功研发采用54纳米技术的世界最高性能的1Gb移动低电双倍速率(LPDDR2)动态随机存储器(DRAM)产品。Hynix表示，该产品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低电压下实现1066Mbps超高速数据传输速度的移动DRAM，在工艺技术、电压、速度方面具备世界最高性能。
据介绍，该产品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低电压下工作，接近于现有的1.8伏移动DRAM的50%，并且仅为PC DDR2产品的30%。这意味着，1秒内下载5、6部普通长度的
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Hynix 纳米 DRAM
- 三星近日宣布，将全力推动DDR3的普及。由于2GB容量DDR3与DDR2模组差价模已拉近至1美元，近期三星锁定部分一线大客户，利用DDR3与DDR2的差价策略，鼓励PC用户积极采购DDR3平台。
三星力推DDR3与DDR2无价差策略
DRAM厂表示，三星规划DDR3交替脚步相当积极，多次出面力挺DDR3时代将来临，使得其他DRAM厂包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、尔必达(Elpida)等，对于加快脚步导入DDR3，亦显得兴致高昂。不过，近期三星对于DDR3价格杀伤力极大，恐
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三星 DRAM DDR3
- 台湾内存公司(TMC)投资计划书已正式送交台湾“经济部工业局”!根据业者由日本尔必达及通产省所获知的消息指称，TMC的制造中心将锁定瑞晶，研发中心将结合联电研发资源。
对此，联电高阶主管表示毫不知情;“经济部”工业局对此说法予以否认。
业界盛传，TMC研发中心若能进一步与联电结果，搭配放宽晶圆厂赴大陆投资规定，让联电与大陆和舰合并案成形，联电集团营运版图将大幅扩大。而瑞晶将成为TMC最大生产基地。
对此传言，力晶董事长黄崇仁表示，力晶持
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TMC DRAM 晶圆
- 制造厂大规模减产，带动DRAM市况逐步好转，再加上日、韩政府有意纾困DRAM产业，这使台湾TMC推动产业技术扎根计划增加难度。不过，全球DRAM产业仍无法摆脱供过于求隐忧。
DRAM产业发展与TMC未来走向再度受到外界注目。
动态随机存取内存(DRAM)厂近来纷纷减产自救，并已略具成效。另外，日本及韩国政府也有意对DRAM厂纾困，让台湾DRAM产业技术扎根难度大增，政府联美、日抗韩的梦想是否因而幻灭也备受关注。
全球DRAM厂于2006年大规模扩产，造成市场严重供过于求，让DRAM产
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TMC DRAM
- 摘 要：为了简化仿人机器人控制系统结构，增强机器人系统的功能。采用PC／104嵌入式系统作为仿人机器的主控计算机，完成图像处理，做出控制决策，计算并生成运动序列。关节控制器选用C8051F310单片机，采用串口与主控
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控制系统 设计 机器人 单片机 PC 基于
- 全球第三的日本DRAM大厂尔必达执行长坂本幸雄表示，DRAM市场将成台日联手抗韩的局势，尔必达将申请约新台币173亿元的日本政府纾困金。
坂本幸雄接受日本“读卖新闻”专访时表示，DRAM对产业的影响极大，希望尽早申请政府纾困金以增强资本。他透露，下个月7日将申请规模约500亿日圆(约新台币173亿)的政府纾困金。
日本国会22日已通过产业再生法修正案，基于这项修法，接受政府纾困金的企业必须接受在3年内改善业绩等的条件。
坂本幸雄受访时说：“综观全球
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尔必达 DRAM
- 徘徊于倒闭边缘的DRAM制造商奇梦达可能已经找到了潜在投资者。德国萨克森州州长本周发表声明称俄罗斯联邦政府正在考虑向奇梦达注资。萨克森州州长Stanislaw Tillich的一位发言人称，俄罗斯总理普京在本周早些时候与Tillich会晤后，指示俄罗斯工业与贸易部部长 Viktor Khristenko考虑向奇梦达投资的有关事宜。
而在四月初，此前媒体报道的三家有意投资奇梦达的俄罗斯公司：Angstrem, Sitronics以及AFK-Sistema都否认了他们的投资计划。它们
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奇梦达 DRAM 存储芯片
- 现货市场供给吃紧，将有助于DDR2 1Gb颗粒价格未来上涨趋势
DRAM颗粒现货价格自4月13日的0.95美元上涨至4月16日的1.13美元，涨幅达19%，据市场人士表示由于eTT的主要供应者如力晶和尔必达在短期间将停止颗粒出货至现货市场中，现货市场买家进场补货,拉高库存，带动DDR2 1Gb eTT价格一度上涨至1.20美元。
上周现货市场传出尔必达将停止出货给台湾模块厂客户，力晶也决定到六月底前将出货的数量控制在最低水位，影响所及，也让投机性买盘在现货市场中发酵并让DDR2 1Gb e
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尔必达 DRAM
- 台、日合资的瑞晶将旗下7.5万片产能全数转进65纳米製程后，由于极具成本竞争力，1Gb DDR2价格只要跨过1.5美元门槛，瑞晶营运就会开始有现金流入，对照22日现货价已涨至1.2美元，瑞晶极可能在5月成为台湾第1家开始获利的DRAM厂。台DRAM厂认为，这证明不用靠政府，还是可以活过来!
尔必达(Elpida)与力晶合资DRAM厂瑞晶，旗下中科12吋晶圆厂单月满载产能8万片，日前已将原本70纳米製程全数转进65纳米製程，由于转换过程部分机器设备有瓶颈，产出微幅减少5,000片，单月实际产能7.
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Elpida DRAM 晶圆
- 在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。
继第一季度全球DRAM与NAND闪存营业收入比去年第四季度下降14.3%之后，这些产品市场将在今年剩余时间内增长。第二季度DRAM与NAND闪存营业收入合计将增长3.6%，第三和第四季度分别增长21.9%和17.5%。
图4所示为iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
- 北京时间4月22日晚间消息，据国外媒体报道，日本尔必达记忆体股价周三大涨近15%，因其计划大幅上调芯片价格，同时有报导指该公司可能寻求5亿美元公共注资以充实资本。
该公司下月起将上调晶片价格约50%，因为先前的减产已经缓解芯片产业供应过剩的局面。尔必达是全球第三大动态随机存取记忆体(DRAM)厂商。
芯片厂商在过去繁荣时期的过度投资，导致产业步入长达两年的下滑，奇梦达被迫申请破产，而累累亏损的尔必达亦被迫与台湾记忆体公司结盟，后者是台湾政府设立的企业，旨在救援本地芯片厂商。
全球经济
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尔必达 DRAM 晶片
- 按全球第一大光刻设备供应商ASML公司的预估，其Q1的销售额将从08年Q4的4.94亿欧元下降到1.84亿欧元，而去年同期为9.19亿欧元，下降达80%。
ASML预计Q2的销售额在2.1-2.3亿欧元间，因为受工艺制程的进一步缩小推动，产业可能会在今年下半年开始复苏，订单回归到4.0-5.0亿欧元。新的工艺制程会要求购买新的或者升级现有的设备。
如08年仅只有各领域的领先者在购买设备，主要集中在如闪存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客户。预计2009年会加速工艺制
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ASML 光刻 DRAM
- DRAM价格持续低于现金成本;2009年资本支出大减56%
随着全球DRAM产业面临了超过二年的不景气，加上去年下半年金融风暴袭卷造成消费需求急冻之下，2008年DRAM颗粒价格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb价格回到了0.88美元均价，但仍在材料成本与现金成本之间，在DRAM厂本身面临到极大的现金流出压力下，不仅要大幅减产因应，对新制程转进，也在大减资本支出下延后时程。根据集邦科技调查统计，全球2009年的DRAM资本支出已经下修至54亿美元，比起2008年时122亿
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