- 曾经飞索的破产和三星的退出使NOR FLASH行业重新洗牌，同年美光称霸，台湾厂商崛起，NOR FLASH涨价，行业迎来一波反弹。
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硅晶圆 NOR
- 供给端：原材料价格调涨，大厂退出
原材料涨价
今年以来半导体硅晶圆市场出现八年以来首度涨价情况，其主要原因在于供需失衡。晶圆代工大厂台积电、三星电子、英特尔等提高制程，20nm以下先进工艺占比不断提高，加大对高质量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特尔、美光、东芝等全力转产3D NAND，投资热潮刺激300mm大硅片的需求。同时工业与汽车半导体、CIS、物联网等IC芯片开始快速增长，大陆半导体厂商大举建厂扩产，带来新的硅片需求增量。供给方面，硅片厂集中在日韩台，前六大厂商市占98%，在硅片
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NOR 晶圆
- 自1970年，美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来，已经过去47年，美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手，怀揣巨额筹码，高高兴兴地走进来，却在输光光之后黯然离场。目前，只有韩国三星和海力士，占据绝对垄断地位，在DRAM市场呼风唤雨，赚得盆满钵满。
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DRAM Flash
- 这个时间点我们讨论Nor Flash行业趋势与全年景气度，一方面是Nor厂商二季度业绩即将公布，而相关公司一季度业绩没有充分反映行业变化;另一方面是相关标的与行业基本面也出现了变化(如Switch超预期大卖以及兆易创新收到证监会反馈意见等)，同时我们调高AMOLED与TDDI Nor的需求拉动预期，详细测算供需缺口，以求对未来趋势定性、定量研究;
汽车电子与工控拉动行业趋势反转 TDDI+AMOLED新需求锦上添花
1、汽车与工控拉动2016趋势反转
从各方面验证，2016年是NOR
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存储 NOR
- UFS普及并不缺乏机会，Flash产能的困境能否早日抒解，成为真正影响UFS茁壮的关键因素了。
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Flash UFS
- 如今某些网络新闻媒体缺乏基本的职业道德，为博眼球胡诌瞎报，误导群众，损人又害己，更有可能会影响NOR Flash行业良性发展。
歪曲报道如下：
武汉新芯厂内传出化学污染事件，虽然没有造成人员伤亡，但是造成NOR Flash产线制程污染，影响产能在9000片左右，市场预料，将造成NOR Flash产能缺口。
由于美光及赛普拉斯(Cypress)相继退出中低容量的NOR Flash市场，使中低容量产品全球供给量遭遇缺口，现在武汉新芯受到化学污染，有望再度推升NOR Flash报价，市场最
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武汉新芯 NOR
- 以AT45DB041B为例，将FPGA和大容量串行flash存储芯片的优点有效地结合起来，实现了FPGA对串行存储芯片的高效读写操作，完成了对大量测量数据的存储处理和与上位机的交换，并在某电力局项目工频场强环境监测仪中成功应用。
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Flash 串行存储 FPGA
- 介绍了一种基于FPGA的水声信号数据采集与存储系统的设计与实现,给出了系统的总体方案,并对各部分硬件和软件的设计进行了详细描述。系统以FPGA作为数据的控制处理核心,以存储容量达2 GB的大容量NAND型Flash作为存储介质。该系统主要由数据采集模块、数据存储模块和RS-232串行通信模块组成,具有稳定可靠、体积小、功耗低、存储容量大等特点,实验证明该系统满足设计要求。
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数据采集 Flash FPGA
- FPGA最小系统是可以使FPGA正常工作的最简单的系统。它的外围电路尽量最少，只包括FPGA必要的控制电路。一般所说的FPGA的最小系统主要包括：FPGA芯片、下载电路、外部时钟、复位电路和电源。如果需要使用NIOS II软嵌入式处理器还要包括：SDRAM和Flash。一般以上这些组件是FPGA最小系统的组成部分。
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FPGA最小系统 Altera NiosII Flash SDRAM
- TFFS文件系统中的Core Layer内核层可将其他层连接起来协同工作；翻译层主要实现DOS和TFFS之间的交互、管理文件系统和Flash各个物理块的关系，同时支持TFFS的各种功能，如磨损均衡、错误恢复等；MTD层执行底层的程序驱动(map、read、write、erase等)；socket层的名称来源于可以插拔的socket存储卡，主要提供与具体的硬件板相关的驱动。
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文件系统 Flash SOCKET
- 闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等诸多优点广泛地应用于办公设备、通信设备、医疗设备、家用电器等领域。介绍了Flash的使用方法，并给出了单片机与闪速存储器接口和程序设计中应注意的关键技术。
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编程 接口 Flash 擦除
- Flash存储器又称闪速存储器，是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写，又能够在掉电后保持数据不丢失。NOR Flash是Flash存储器中最早出现的一个品种，与其他种类的Flash存储器相比具有以下优势：可靠性高、随机读取速度快，可以单字节或单字编程，允许CPU直接从芯片中读取代码执行等。因此NOR Flash存储器在嵌入式系统应用开发中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51单
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NOR Flash 接口 单片机
- 以基于TMS320C32 DSP开发的故障录波装置为模型，介绍AMD公司的Flash存储器Am29F040摘 要 的原理和应用；利用它的操作过程实现断电后仍然可以将子程序保存在F1ash存储器内的特 性，结合TMS320C3x提出实现DSP系统上电后用户程序的自动引导的方法。
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DSP Flash TI
nor flash介绍
NOR Flash存储器
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存 [
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