- 芯片贴板后跑不起来？Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞？程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
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电源电压 Flash MCU
- 继美光后，全球第二大编码型快闪存储器(NOR Flash)制造厂赛普拉斯(Cypress)也在法说会上，将淡出中低容量的NOR Flash市场，专注高容量的车用和工规领域的消息，加上苹果明年新手机全数导入有机发光二极管(OLED)面板，同步得搭载NOR芯片维持手机色彩饱和度，明年缺口持续扩大。
存储器业者透露，美系两大厂商淡出NOR Flash，让今年NOR芯片缺货无解，更因硅晶圆厂优先供货给逻辑芯片厂和DRAM和3D NAND Flash厂，增产数量受阻，明年更将陷入史上最大缺货潮，台湾地区厂
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美光 NOR
- 据外媒报道，存储芯片市场上周出现降温杂音，麦格理分析师Daniel Kim提出反驳。
他认为下半年DRAM和NAND价格仍会续涨，有利美光、西部数据、三星、南亚科、力成、东芝和SK海力士股价。
据巴隆周刊(Barron's)报导，Daniel Kim发布报告说：「所有数据和消息都表明存储芯片市场今年下半年会比预期更强。 」他看好存储芯片价格会持续涨到今年底。
整体来说，Daniel Kim认为芯片价格上涨，即暴露看空论点的瑕疵。
他指出，建构数据中心的厂商「重视的是系统的表现而
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DRAM Flash
- 苹果新手机iPhone 8将导入采用编码型快闪存储(NOR Flash)，已让NOR芯片缺货更为严重。存储业者透露，今年NOR芯片供给缺口将扩大至20%，主要供应大厂赛普拉斯(Cypress)也正式发出涨价通知，业者估计今年涨幅可能扩大至逾60%。
业者预期，会有更多厂商来台抢货，台厂相关供应商包括旺宏、华邦电及晶豪科等，也乐见睽违4年多难得一见的荣景，将同步调涨售价，且估计第2季涨幅将逾20%之高。
存储通路商透露，去年下半年以来，市场焦点一直以DRAM和储存型快闪存
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苹果 NOR
- AMOLED面板日益受到全球手机品牌青睐，让OLED驱动IC需求快速上扬。OLED驱动IC采用的高压制程，目前还无法加入嵌入式闪存(eFlash)，只好退而求其次采用外挂NOR Flash来记忆状态以及补偿AMOLED的电流和亮度……
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OLED NOR
- 在存储器领域,美光屈居三星及SK 海力士之下,老三地位尴尬,难以出头。台湾是美光布局亚洲的桥头堡和合伙人,合纵连横,才有一线生机啊!
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美光 NOR
- 日前，根据平面媒体的报导，由于记忆体大厂美光科技(Micron)计划处分旗下编码型快闪记忆体(NOR Flash)事业，将导致供应链大洗牌，如此造成包括美系音响大厂，以及欧系车用系统大厂都来台抢产能的情况，使得 NOR Flash 预计 2017 年上半年涨幅将超过 30%。而根据科技新报所掌握到的独家消息，目前 NOR Flash 缺货的情况，还包括南韩三星电子用于 AMOLED 的色彩控制上，一年估计要超过 4.8 亿颗的需求，更是拉抬 NOR Flash 在 2017 年的涨势。
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OLED NOR
- 全球存储器业务整并潮持续进行，美光科技将退出NOR Flash业务，计划出售旗下NOR芯片业务，正寻求相关买家，全力冲刺DRAM及3D NAND Flash，传华邦电及兆易创新可能接手。
美光当初并入此芯片事业花12亿美元，以目前内存市况持续加温来看，要以多少价格出售，有待观察。
半导体设备相关人士透露，美光已和多家厂商接洽，主因美光认为NOR芯片业务在该公司营收占比不高，产能也不具经济效益，且近年全力聚焦在DRAM和NAND两大内存的效益整合，因而计划出售NOR芯片业务，战力集中在提升D
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美光 NOR
- 全球领先的嵌入式解决方案提供商赛普拉斯半导体公司今日宣布其配备四串行外设接口(Quad SPI)的NOR闪存系列新增64Mb和128Mb产品。全新的两款FL-L NOR闪存可为那些在扩展温度范围内运行并需要存储重要数据的嵌入式系统提供最高可靠性和安全性。该系列闪存产品具备低功耗和AEC-Q100汽车认证，并且能够在扩展温度范围内提供更高的读带宽和更快的编程速度。借助小巧、统一的4KB物理存储单元，该系列闪存产品能够以最佳方式存储程序代码和参数数据，是高级辅助驾驶系统(ADAS)、汽
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赛普拉斯 NOR
- 2016年Flash原厂加速向3D NAND切换，除了研发成本增加，切换过程中也很容易出现产能损失，同时还需要更新旧设备，增加新设备，以及扩大生产空间，从而导致Flash原厂NAND Flash产出减少，以及投资成本增加。
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Flash 三星
- 储存型快闪存储(NANDFlash)军备竞赛再起，南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元)，在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。
目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍处于供不应求局面，但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但也为NANDFlash市场投下新变数。
稍早三星和美光也都
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Flash 晶圆
- SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
- 芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写 例如，在有对Flash写入或擦除操作的代码中，如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数，这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况，可以在程序中设置多个允许操作的变量，当执行写入或擦除操作时，对
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Flash 芯片
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收
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NAND Flash 英特尔
- NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1。(法新社)
根据DIGITIMES的报导，NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1以后。估计2017年DRAM供应量成长率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是从67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投资金额为10兆韩元的记忆体产业，2017年将增加至13兆韩元，其中4兆韩元用于DRAM，Flash则约9兆韩元，远不如原
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Flash 存储器
nor flash介绍
NOR Flash存储器
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存 [
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