- 摘要：提出了一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法，并完成了设计和仿真。
关键词：微控制器 在线仿真 开发系统 Flash SRAM
由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级，MCU应用的领域也不断扩展， 因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比，最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作，顺应了MCU功能不断修改的需求;另一方面，Flash MCU市场价格也在不断下降。因此，许多OEM已将Flash MCU用于产品的批量生产。对于F
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MCU Flash 仿真器
- TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，由于智能手机、平板电脑等移动装置需求稳健增长，固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加，而物联网应用也将逐渐导入NANDFlash，2015年NANDFlash整体产业规模将提升至266亿美元，年增长9%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2014年NANDFlash需求位增长率为36%，在更多元化的产品开始导入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增长率将依旧有35%。市场趋势观察的重
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NAND Flash 穿戴性装置
- 摘要：本文以ARM7内核的MCU LPC2458在片外FLASH上运行程序时，采用SWI软中断的方法实现同时写片外FLASH的例子，详细讲述ARM7内核的MCU如何设计SWI软中断程序的流程、方法和应用原理。
1 背景描述
笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核，带512K字节的片内FLASH，98k字节的片内RAM，支持片外LOCAL BUS总线，可从片外NOR FLASH启动CPU。由于代码量较大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
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ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
- 今年上半年，上海海尔集成电路公司推出十几款单片机产品，有其自主知识产权内核的HR7P155~170、201、192、196等系列，还有新的触摸按键芯片等，容量涵盖0.5~64kB，管脚数从10pin至80pin。丰富的资源为客户的方案设计提供了多样选择。
专注于专用MCU的上海海尔，为何此次在如此多的通用产品上发力?在芯片本土化的热潮下，上海海尔的愿景是什么?
处于从专用向通用MCU升级的开端
MCU(单片机，微控制器)一般有通用和专用两类。很多欧美大公司喜欢推出通用单片机，而日本、
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海尔 MCU Flash 201408
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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LVDS FPGA Flash
- 2014上海慕尼黑电子展期间，Micron(美光科技有限公司)展示了全系列嵌入式存储解决方案。据美光公司嵌入式业务部门营销高级总监Amit Gattani介绍，在整个内存产品640亿美元的市场中，10%~15%是嵌入式内存方案。而且这个份额还在不断增长，主要是由于智慧系统、物联网发展和智慧汽车的驱动。
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Micro 嵌入式 NOR 201405
- 2013年eMMC需求在智能手机市场带动下大幅成长，2014年，平板电脑应用需求亦值得期待，尤其在中国大陆销售的平板电脑中，有90%尚未采用eMMC，这可能进一步扩大eMMC市场规模，引来业内厂商混战一片......
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Flash 控制芯片
- 2014上海慕尼黑电子展期间，美光科技公司嵌入式业务部门营销高级总监Amit Gattani告诉《电子产品世界》，美光看好中国的前景，因为中国“十二五”计划当中明确提出要建立智慧城市、智慧交通、节能环保，实现可持续发展，注重汽车产业的节能排放以及创新，这一切都和美光公司的战略相吻合。 目前美光在上海有两个设计中心，主要是做硬件和集成电路设计，比如开发NOR闪存等产品，分别在浦东和漕河泾。还有2012年刚刚建成的美光公司系统工程实验室，旨在与客户实现更好的合作，创新开发各种解决方案。此外美光
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NOR 智慧城市 节能环保 闪存
- 随着FPGA的功能日益强大和完善，FPGA在项目中的应用也越来越广泛，其技术关键在于控制日益广泛而丰富的外围器件。本文以Flash存储器件为FPGA的外围，叙述了FPGA中SPI总线接口的Flash驱动模块的设计，其接口基本符合Avalon总线的规范要求，并且通过实际的读写操作验证
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Flash 驱动 FPGA
- 不久前，Spansion 公司宣布推出突破性的Spansion HyperBus接口，它能极大地提高读取性能并减少引脚数量和空间。主要的片上系统(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口。 另外，Spansion还推出了首个基于该新接口的产品家族——SpansionHyperFlash NOR闪存器件，其读取吞吐量可达333MB/s，比当今市场上可见速度最快的四SPI的5倍还快，引脚数量却仅是并行NOR闪存的1/3。 据Spansion产品与产业生态
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HyperBus NOR GUI ADAS 201402
- 静态随机存储器(static RAM)，简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。 1、VDMS16M32芯片介绍 VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
- 本文提出一个基于FPGA的SPI Flash读写硬件实现方案，该方案利用硬件对SPI Flash进行控制，能够非常方便地完成Flash的读写、擦除、刷新及预充电等操作，同时编写的SPI Flash控制器IP核能够进行移植和复用，作为SOC芯片的功能模块。
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FPGA Flash SOC CPU VHDL
- 载荷图像可视化是深空探测任务中的重要需求，但受信道带宽的限制，无法实时传输所有载荷数据，因此星载复接存储器中图像的抽取下传是实现任务可视化的关键。
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存储器 FPGA 载荷图像 VCDU FLASH
- 通过FPGA的多重配置可以有效地精简控制结构的设计，同时可以用逻辑资源较少的FPGA器件实现需要很大资源才能实现的程序。以Virtex5系列开发板和配置存储器SPI FLASH为基础，从硬件电路和软件设计两个方面对多重配置进行分析，给出了多重配置实现的具体步骤，对实现复杂硬件设计工程有一定的参考价值。
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FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器
nor flash介绍
NOR Flash存储器
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存 [
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