10月21日消息，据外电报道，市场研究公司ICInsights将2007年全球集成电路(IC)出货量增长率从原来的8%提高到了10%。
这家研究公司把2007年全球集成电路出货量的增长归功于一些集成电路产品出货量的强劲增长，如DRAM内存出货量增长49%，NAND闪存出货量增长38%，接口集成电路出货量增长60%，数据转换集成电路出货量增长58%，汽车模拟集成电路出货量增长32%。
ICInsights称，如果2007年全球集成电路出货量增长率达到10%或者更高，这将是连续第六年的两位增长
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模拟技术 电源技术 集成电路 NAND 闪存
现货市场DDR2价格方面持续走弱;而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%;DDR2512Mb667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市场方面，由于现货市场供给数量仍旧不足，上周也曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上涨5.6%。
十月份合约市场相当清淡，OEM拿货意愿低落，部分厂商甚至认为，倘若预期十一
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嵌入式系统 单片机 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微处理器
根据半导体产业协会SIA报告，2007年8月全球芯片销售三月平均值达到215.2亿美元，比2006年同期数字猛升4.9%。8月份销售增长超过分析师预测，比2007年7月的三月平均销售额206.1亿美元增长4.5%。 SIA表示，增长归因于NAND闪存供应减少导致平均销售价格反弹。8月份NAND闪存销售价格比7月增长19%，与2006年8月相比增长48%。 SIA总裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季节性增长带来全球半导体销售连续健
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Jefferies Japan高级分析员David Motozo Rubenstein日前透露，东芝(Toshiba)公司NAND闪存晶圆厂的产能利用率已经处于最高位。 事实上，东芝公司的业务表现正在发生变化。David表示，“东芝认为供需形势处于有利状况，由于晶圆厂产能利用率达到100%，公司不得不回绝了25%的订单。” 还有更好的消息。NAND闪存“2006年平均售价下降70%，东芝曾经预计2007年更进一步下滑50%，但是到目前为止，价格还高于预计之上。” 价格已经触底
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摘要：NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。
关键词：NAND Flash 数据存储 C8051F
引 言
大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈，受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制，可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Fla
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九月，NAND闪存芯片合约价格自六月以来首次下跌，较早前已堆积的存货将使内存制造商经历库存增加压力。 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，多层单元(MLC)NAND闪存的价格在9月上旬下降10%以上，而单层单元闪存(SLC)的价格则相对稳定。唯一主流NAND闪存即2Gb单层单元闪存可望价格有所回升。 据台湾内存消息人士指出，韩国三星电子8月震惊业内，使得激烈价格上升。需求被昂贵的价格压抑，反映在现货市场价格疲弱。 虽然许多内存库存商8月期间已经减少其采购，最新的报价仍然加
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据国外媒体报道，三星电子和东芝等24家企业日前因涉嫌操纵NAND闪存价格而遇到集体诉讼。 据悉，被起诉的24家厂商包括雷克沙（Lexa）、日立美国公司、日立公司、日立电子设备美国公司、Hynix美国公司、Hynix半导体、美光（Micron）科技、美光半导体产品部公司、三菱公司、三菱电子美国公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美国公司、SanDisk、三星半导体、三星电子、意法半导体、东芝、东芝美国公司、东芝美国电子部件公司、
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消费电子 三星 NAND 闪存 消费电子
1 引言在便携式电子产品如U盘、MP3播放器、数码相机中，常常需要大容量、高密度的存储器，而在各种存储器中，NAND FLASH以价格低、密度高、效率高等优势成为最理想的器件。但NAND FLASH的控制逻辑比较复杂，对时序要求也十分严格，而且最重要的是NAND FLASH中允许存在一定的坏块(坏块在使用过程中还可能增加)，这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度，于是就要求有一个控制器，使系统用户能够方便地使用NAND FLASH,为此提出了一种基于FPGA的NAND FLASH控制器的设
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iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星电子(Samsung)NAND闪存销售额达到14亿美元，比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存，该公司的NAND市场份额猛增至45.9%，比1季度的44.1%高几乎两个百分点。 iSuppli内存/存储系统首席分析师NamHyungKim表示，“三星第2季度表现强劲主要是按容量计算增长11%，出货量增加归功于扩大苹果iPhone和iPod等消
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致力于简化系统级存储验证和测试的业界组织 PISMO顾问委员会近日宣布，PISMO 2.0多媒体标准已通过审批。这一针对目前PISMO2.0规范的全新多媒体扩展版为芯片组和存储供应商增加了 MMC存储接口支持，从而满足手机和消费产品中存储丰富媒体内容的需求。PISMO™顾问委员会于2004年由Spansion和ARM创建，目前共有15家成员公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒体规范使设计者可以方便地在不同厂商提供的开发平台上测试多种存
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在三星向外界透露位于韩国的工厂于8月3日因故停产后，各厂商均密切关注该事件对NAND闪存价格造成的影响。业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升。 业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升，同时受三星电子上周一因某工厂停产的影响，NAND闪存的价格也持续攀升。三星近日提高了NAND闪存在现货市场的价格，力晶半导体公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也调高了eTT DRAM内存的报价。 在三星向外界透露
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三星 NAND 闪存
NAND Flash供需出现进一步紧绷的状况。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大厂之Samsung工厂3日发生停电事故，导致市场产生供给量减少之预期亦是主因。然而合约价部份，由于厂商仍存在过度上涨，可能造成需求冷却之疑虑。因此，即使上涨也应止于小幅上扬。 Samsung之京畿道器兴市主力工厂3日发生大规模停电，生产NAND Flash等之6条生产线全部停止运转。虽然4日恢复运转，但原本部份制造中的产品将废弃。现阶段Samsung与市场上仍有一定库存量，9月份实际供给
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据闪存技术的最大支持者之一称，闪存将“接管”整个世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“闪存峰会”上说，一方面，NAND闪存正在打跨竞争对手。NAND已经使1英寸硬盘失去了用武之地，现在，它又对1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸笔记本电脑硬盘构成了威胁。 他说，NAND下一个大市场将是视频，明年，市场上将会出现配置了更多闪存的相机和拍照手机。明年，市场上还将出现更多的闪存笔记本电脑。 在未来的5-7年内，NAND还将开始取代DRAM。由于技
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2007年NAND Flash价格走势戏剧化，但对下游厂商而言，可谓是几家欢乐几家愁，一线快闪记忆卡大厂乐得NAND Flash价格止跌反弹，终止长达1年的惨淡经营时期；然对于产业中的二、三线记忆卡厂而言，这波NAND Flash价格大涨的行情，反而不是什么好消息。因为小厂的拿货能力有限，当上游NAND Flash大厂供给一夕大减，连一线大厂都不见得拿得到足够的货源时，等于是宣判小厂正式出局！ 业界表示，这波NAND Flash价格上涨除了是苹果(Ap
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集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash销售排名，南韩三星(Samsung)第二季市占率达43.9%，稳居全球龙头宝座，日本东芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大厂合计市占率达85.5%，市场集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暂缓产能扩充计划，加上大厂们新制程技术转换仍处调整期，因此整体NAND Flash位产出量仅维持与第一季相当水平，不过受惠于产品价格止跌大幅弹升1成以上水平，带动NANDFlash制造厂销售
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nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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