TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示，随着 TLC 产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往 eMMC / eMCP 与 SSD 等OEM储存装置移动，加上 NAND Flash 业者陆续推出完整的TLC储存解决方案，预估今年TLC产出比重将持续攀升，将在第四季接近整体 NAND Flash 产出的一半。
DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，由于成本较具优势，过去TLC广泛应用在记忆卡与随身碟等外插式产品中。三星(Samsung)从2013年起积极将
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TLC NAND
在Galaxy S6搭载最高128GB储存容量后，三星似乎也计画让更多手机也能享有大容量，稍早宣布将推出以eMMC 5.0技术为基础，同时最高储存容量达128GB的3-bits-per-cell NAND Flash储存元件，并且对应每秒达260MB读取速度表现，预期将使中阶规格以下手机产品，以及多数记忆卡产品能在成本预算内有更大储存容量选择。
根据三星公布消息，预计将推出以eMMC 5.0技术为基础，同时最高储存容量达128GB的3-bit NAND Flash储存
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三星 eMMC
三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破，加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进，使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高，因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。
三层式储存(TLC) NAND快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。
在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及TLC三种形式的NAND
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三星 TLC NAND
由EMC公司发布的一份图表显示，传统SAN驱动器阵列销售衰退的趋势已然出现，与此同时超融合型、软件定义以及全闪存阵列存储业务则及时赶上，填补了这部分市场空间。
William Blair公司分析师Jason Ader在本月十号出席了EMC战略论坛大会，并以邮件的形式向客户发布了此次会议的内容总结。
EMC公司的管理层引用了一部分IDC研究公司的调查数据，其中显示从2014年到2018年外部存储系统市场的复合年均营收(目前为260亿美元)将实现3%增幅。在此期间，“传统独立混合系
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EMC NAND
中国大陆智能型手机的高成长，使得内存等零组件的消耗激增。这也使得南韩的内存供应商不管是从零组件竞争还是手机整机的竞争上都倍感压力。
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DRAM NAND Flash
为提升NAND Flash性能而将Cell垂直堆叠的3D堆叠技术竞争逐渐升温。目前三星电子(Samsung Electronics)已具备生产系统独大市场，SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等半导体大厂也正加速展开相关技术研发和生产作业。
据ET News报导，NAND Flash的2D平面微细制程，因Cell间易发生讯号干扰现象等问题，已进入瓶颈。主要半导体大厂转而致力确保将Cell垂直堆叠的3D技术。半导体业界的技术竞争焦点从制程微细化，转变为垂直堆
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NAND 三星
近日，美光科技在上海举行以“存储及其发展如何帮助实现未来互联世界”为主题的“美光开放日”活动。美光科技高层与业内专家、学者和媒体共同分享公司在该领域的见解和创新解决方案，探讨和展望未来行业发展趋势。
美光科技作为仅有的两家能够提供提供全存储类型解决方案的厂商，占据整个存储器22%以上的市场份额，稳居第二位。如今美光科技面向网络建设、机器对机器、移动设备、云和大数据五大应用领域，提供全球最广泛的存储产品组合，包括：DRAM芯片和存储条、固态硬盘、NA
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美光 存储器 NAND 201503
希捷科技(Seagate Technology)与美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布签署策略性协议，设立一结合两家公司创新与专业技术之架构。在此协议的架构基础上，双方客户能够同时受益于领先业界的储存解决方案，进而更快速且有效率地实现创新。
尽管在合作初期，美光与希捷将着重于下个世代的 SAS 固态硬碟(SSD)与策略性 NAND 型快闪记忆体的供货，但是双方皆预期这项长达数年的结盟协议在未来将有机会发展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快闪记忆体的企业级储存解决
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美光 希捷 NAND
2015年由行动装置带动的高规格半导体之争蓄势待发;行动应用处理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三阶储存单元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半导体需求增加，被视为半导体产业成长新动能。
据韩媒亚洲经济的报导，智慧型手机的功能高度发展，让核心零组件如应用处理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半导体的需求日渐增加。首先是AP从32位元进化到64位元，可望让多工与资料处理
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半导体 NAND Flash LPDDR4
存储是电子产品中最重要的部分之一，它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。近年来，存储芯片行业热点话题不断：3D NAND的生产制造进展情况如何?LPDDR4在市场上的应用进程是怎样的?移动产品中eMCP将成为主流封装形式吗?存储技术发展的路径或许会争论不休，但是整体方面却不会改变，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存储速度、更加节能以及更低的成本。
2015年手机存储市场
着眼用户体验提升
目前业界对于2015年中国智能手机市场走势的预测很多，总的观点是增长率放缓。当
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NAND 14纳米
根据市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新报告， 2014年第四季 NAND Flash 市况虽依旧维持健康水准，但在三星电子(Samsung)、东芝(Toshiba)与晟碟(SanDisk)各自面临价格与产销端的压力影响营收、及第三 季呈现微幅衰退的情况下，品牌供应商营收仅较第三季成长2%至87.5亿美元。
DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，因需求端面临淡季效应，2015年第一季整体市况将转为供过于求，在价格滑落幅度转趋明显的情况下
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NAND 英特尔 三星
根据 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新报告显示，第四季 NAND Flash 市况虽依旧维持健康水准，但在三星电子、东芝与晟碟各自面临价格与产销端的压力影响营收、及第三季呈现微幅衰退的情况下，品牌供应商营收仅较第三季成长 2% 至 87.5 亿美元。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，因需求端面临淡季效应，2015 年第一季整体市况将转为供过于求，在价格滑落幅度转趋明显的情况下，业者将藉由加速先进制程的转进，改善成本架构，以减低价格跌幅的冲击。
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NAND Flash 三星 东芝
存储器厂持续在eMCP(eMMC结合MCP封装)领域扩大进击，继东芝(Toshiba)与南亚科洽谈策略联盟，新帝(SanDisk)亦传出首度来台寻找移动式存储器Mobile RAM合作伙伴，考虑与南亚科签定长约或包下产能，显示国际存储器大厂亟欲寻找Mobile RAM货源，并敲开与台厂合作大门。
半导体业者透露，在三星电子和SK海力士主导下，智能型手机内建存储器规格从eMMC转为eMCP，原本NAND Flash芯片外加关键零组件Mobile RAM芯片，2015年东芝??新帝阵营将展开大反扑。
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NAND Flash Mobile RAM
由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供应量持续增加，造成价格连续两个月下滑，业界预期若三星电子(Samsung Electronics)等业者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生产比重，后续MLC产品价格下滑情况恐将更明显。
根据韩媒DigitalTimes报导，由于USB、硬碟与记忆卡市场进入淡季，加上库存堆积，导致NAND Flash价格走滑，市场供给过剩情况恐持续到农历春节。业界认为目前NAND Flash下滑走势虽大部分是受
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NAND Flash 三星
2015年全球半导体行业收入预计将达3580亿美元，较2014年增长5.4%，但仍然低于之前5.8%的增长预期。
半导体市场的增长动力包括智能手机专用标准电路ASSP，以及超移动PC和固态硬盘中使用的DRAM和NAND闪存芯片。
“由于DRAM恢复传统的降价方式，而整个行业需要消耗假期的过多库存，因此2015年的半导体收入增长可能较2014年的7.9%有所放缓。”业内人士认为，“由于供应短缺，DRAM价格在2014年基本保持坚挺，使之成为2014年增速最
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