- 台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器厂及晶圆代工厂加入，首波会先洽谈台系存储器厂，目标5~10年内将此技术导入量产，让台湾正式加入NAND Flash产业战局。
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NAND 9纳米
- 亚洲最大的半导体交易市场Dramexchange分析师周三表示，由于东芝一家芯片工厂因短时电力故障而停产的影响，到2011年1月中旬之前，NAND闪存芯片的价格可能会上涨15%。
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东芝 NAND
- 华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。
东芝表示，这次的跳电事件可能影响未来2个月的产能，减少20%的产出。东芝与新帝(SanDisk)合资生产，总产出约占市场产能的3分之1，出货量仅次于排名全球第1的三星电子(SamsungElectronics)。
接下来几个月，全球的快闪存储器市场的供
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东芝 NAND
- 串行Flash存储器的编程解决方案,串行Flash存储器具有体积小、功耗低、管脚少、掉电不丢失数据等诸多优点，在IC卡和便携式智能检测仪表中广泛的应用。本文将介 绍一种通过51系列单片机的串行口与AT45d041芯片通讯的方法，此方法不仅编程简单，且运行
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解决方案 编程 存储器 Flash 串行
- 基于 DSP的嵌入式系统通过地址映射方式实现片外FLASH擦写,1 引言
在DSP系统的设计中，经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据，如常量、原始数据库等存储到片外的存储器中，从而节省DSP芯片内部
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- 基于Flash构架的模数混合的FPGA在心电监控仪上的应用设计,Fution系列的FPGA是世界上首个基于Flash构架的模数混合的FPGA，即在数字FPGA的基础上加入了模拟电路部分，解决了传统模拟电路和FPGA分离给设计带来的诸多问题，降低了PCB板的制作难度，缩小了产品的体积。FPGA的可编
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心电 监控 应用 设计 FPGA 混合 Flash 构架 模数 基于
- 2010年在半导体存储器业界，各厂商纷纷恢复了在2008年秋季的雷曼事件后处于冻结状态的大型设备投资。由此，市场上的份额竞争再次变得激烈起来。 2008～2009年导致各厂商收益恶化的价格下跌在2010年上半年仅出现了小幅下跌。然而，进入2010年下半年后，以DRAM为中心、价格呈现出大幅下降的趋势。2011年很有可能再次进入残酷的实力消耗战。技术方面，微细化竞争愈演愈烈，以突破现有存储器极限为目标的新存储器的开发也越来越活跃。
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存储器 NAND
- Flash的可自编程性（Self-Programmability）是指，用Flash存储器中的驻留软件或程序对Flash存储器进行擦除/编程，但是，要求运行程序代码的存储区与待编程的存储区不在同一模块中。因此，只有一个片上Flash存储器模块
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技术 编程 单片机 Flash
- C6201／C6701 DSP处理器与FLASH存储器MBM29LV800BA接口技术, DSP是针对实时数字信号处理而设计的数字信号处理器，由于它具有计算速度快、体积小、功耗低的突出优点，非常适合应用于嵌入式实时系统。FLASH存储器是新型的可电擦除的非易失性只读存储器，属于EEPROM器件，与其它的
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MBM29LV800BA 接口 技术 存储器 FLASH C6701 DSP 处理器
- 针对2011年半导体资本支出的趋势，设备大厂应用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长，幅度将胜过DRAM产业，晶圆代工也仍然相当强劲，预估整体半导体设备市场将有持平至5%的成长幅度。
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应用材料 NAND
- 集邦科技发布近日报告称，明年全球闪存芯片销售额将达到215亿美元，同比上涨16%，但是其平均价格将同比下降35%。
集邦科技称，新款智能机、平板机的发布以及春节期间的采购将缓解明年一季度闪存市场受到的季节性销售因素影响。到二季度时，闪存市场的供需就会更加平衡，价格下降幅度不会太大。
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NAND 20nm
- 根據Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機平台支援這項技術。
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Apple Flash
- 根据VLSIResearch发布的报告，该公司预测2010年度全球IC市场将成长32%，2011年度将成长8%;2010年度设备市场将成长103%，2011年度将成长10.6%。该公司认为目前的全球IC市场呈现出一些正面与负面的迹象;
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IC NAND
nand flash 介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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