- 就在启动32GB 20nm闪存生产线四个月后，三星确认目前已经启动64GB,3位元20纳米NAND闪存的批量生产。
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三星 NAND 20纳米
- 全球NAND Flash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下，9月下旬合约价续跌，其中，32Gb芯片合约价下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模块厂表示，NAND Flash芯片价格已跌到相当接近各大厂成本线，若价格再跌，恐会让NAND Flash厂产生亏损，接下来要看大陆十一长假后是否出现补货需求，带动NAND Flash价格止跌。
模块厂表示，近期NAND Flash产品需求比DRAM模块好一些，DRAM买气受限于现货价跌幅较深，通路商补货意愿不高，但在NAND Flas
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NAND DRAM
- 日本最大的芯片制造商——东芝周一表示，尽管日圆走强，但该公司有望实现其在截至明年3月的会计年度，芯片业务营业利润达到12亿美元的预估，因新的电子设备热销，提高了芯片需求。
东芝芯片业务主管小林清志表示，因低质产品供应过多，最近NAND芯片现货价格下降，但这对东芝的影响极小。
NAND闪存芯片需求一直强劲，因受到智能手机和苹果的iPad等移动设备畅销所助。
“整体需求强劲成长情况一直符合我们对2010会计年度的预期，而且我们预计中国国庆节，黑色星期五
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东芝 芯片 NAND
- 基于FLASH的嵌入式存储系统设计,1 引言
FLASH（闪速存储器）作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其
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系统 设计 存储 嵌入式 FLASH 基于
- 由于2010年第二季受到欧洲债信风暴影响、终端需求疲软以及库存水位偏高，下半年各项信息与消费型电子的出货均大幅下修，然而第二季各手机厂商有效去化库存以及智能手机成长力道强劲的情况下，下半年手机成长幅度将领先各项电子产品。也由于智能手机的热卖，带动了相关 NAND Flash 应用如 MCP 与内建式的 eMMC 、 POP 等产品的成长。
苹果(Apple)推出 iPhone 4 带动其它智能手机的热卖，预估2010年手机出货量将较2009年成长13%，达到13亿支的规模，而智能手机市场扮演重要
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智能手机 NAND
- 集邦科技表示，由于2010年第二季受到欧洲债信风暴影响、终端需求疲软以及库存水位偏高，下半年各项信息与消费型电子的出货均大幅下修，然而第二季各手机厂商有效去化库存以及智能手机成长力道强劲的情况下，下半年手机成长幅度将领先各项电子产品。也由于智能手机的热 卖，带动了相关 NAND Flash 应用如 MCP 与内建式的 eMMC 、 POP 等产品的成长。
苹果(Apple)推出 iPhone 4 带动其它智能手机的热 卖，集邦科技预估，2010年手机出货量将较2009年成长13%，达到13亿支的
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NAND 智能手机
- 台湾媒体报道，来自存储芯片制造商的消息称，尽管苹果的iPhone和iPad销售火爆，但也难阻主流MLC NAND闪存芯片期货价格在9月份上半月的下滑。
苹果为其iPhone和iPad放出了大量闪存芯片订单，但即便是这样也很难推动NAND闪存价格的上涨，这倒是违背了此前出现的苹果与NAND闪存之间的紧密联系效应。之前苹果产品的热销往往会导致NAND闪存市场的供不应求。
然而现实是，目前各个渠道的闪存芯片需求依旧微弱，学生返校季和即将到来的内地十一黄金周也很难让闪存价格反弹。
更有悲观的
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NAND 闪存芯片
- 基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用, 目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐渐被应用到嵌入式系统中。
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系统 YAFFS 应用 嵌入式 文件 NAND 闪存 基于
- Gartner现在预计今年全球半导体营收将达到3000亿美元，比去年增长31.5%。它之前预计今年半导体营收的增幅只有27.1%。包括手机和笔记本电脑在内的消费者电子产品在半导体销售中占大多数份额。手机出货量持续增长将推动半导体营收的增长，而电脑出货量增长速度的减慢将被平板电脑销售的增长所抵消。
Gartner表示，尽管个人电脑销售速度减慢，但今年NAND闪存和DRAM的营收仍将增长。DRAM营收今年将增长82.5%，几乎达到420亿美元，但它可能会从明年下半年开始减慢增长速度。Gartner预
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半导体 DRAM NAND
- 据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
- NAND Flash价格经历一段大修正后，原本对于价格谈判完全不肯让步的上游NAND Flash大厂，在面对库存节节攀高的情况下，态度已开始松动，部分模块厂开始回补一些库存，不过，全球两大NAND Flash阵营三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)则因为有苹果(Apple)订单的撑腰，对于价格仍是相当强硬，显示苹果仍是NAND Flash产业的唯一大补丸。
近期NAND Flash价格修正颇深，除了欧洲和美国市场需求不佳，尤其是返校需求完全是虚晃一招外，大陆
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三星电子 NAND Flash
- 尔必达内存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，该公司与Spansion公司(Spansion Inc.)已开发出一款新闪存芯片，拥有比现有芯片更为简单的信元结构，该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。
这家日本芯片制造商表示，该公司采用了所谓的电荷撷取(charge trap)技术来开发这个4G的NAND闪存芯片，该芯片的信元结构不同于现有的以传统浮动栅(floating gate)技术制造的NAND闪存芯片。该公司表示，这项新技术可帮助生产较目前市场
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尔必达 NAND
- 据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
- 根据集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部门DRAMeXchange最新研究报告指出，台系DRAM厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。南科除今年将12吋月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRAM厂之冠。
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南科 DRAM Flash
nand flash 介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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