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如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能

　　摘要：本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。　　关键词：MOSFET 损耗分析 EMI　　金升阳R3 　　一、引言　　MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗
关键字： MOSFET EMI

Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC为辅助和待机电源带来革命性变化

　　关注高能效电源转换的高压集成电路业界领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-EP系列恒压/恒流离线反激式开关IC。新的IC产品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精确的次级反馈检测控制，因此可提供出色的多路输出交叉调整率，同时提供全面的输入电压保护和即时动态响应，并且空载功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC还采用Power Integrations创新的FluxLink™技术，可设计出无需光耦的高效率、高精度和
关键字： Power Integrations MOSFET

意法半导体（ST）的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身定制

　　意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的槽栅结构低压MOSFETs STripFET™ F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。　　STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能，还简化了通道间的槽栅结构(trench-gate structure)，实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量，并取得
关键字：意法半导体 MOSFET

全新英飞凌功率MOSFET系列使电动工具更紧凑耐用

　　DIY工具，比如无线电钻和电锯必须方便使用且经久耐用。因此，其所用的电子元件必须紧凑、坚固。英飞凌科技股份公司扩展StrongIRFET™ Power MOSFET产品系列，推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平 StrongIRFET™ 器件可以直接由单片机驱动，节省空间和降低成本。此外，StrongIRFET™十分坚固耐用，帮助延长电子产品的使用寿命。　　经过实验证明StrongIRFET系列器件能够最大限度提高电动工具的能效。这次逻辑电
关键字：英飞凌 MOSFET

e络盟为医疗、消费电子及可替代能源等应用领域新增五款业内首选的威世Super 12系列创新产品

　　e络盟日前宣布新增多款来自全球半导体和分立器件领先供应商威世2015 Super 12系列的创新型无源元件和半导体产品，其中包括电容、电阻及MOSFET，适用于医疗、消费电子、可替代能源、工业、电信、计算及汽车电子等各种应用领域。　　e络盟大中华区区域销售总监朱伟弟表示：“e络盟拥有来自全球领先供应商的丰富产品系列，可充分满足广大用户对最新技术的需求，帮助他们进行产品开发与制造。此次新增的几款威世Super 12系列创新型产品均为全球最佳产品。用户可通过e络盟升级版网站，更加快捷地查看
关键字： e络盟 MOSFET

Fairchild推出业内首款8x8 Dual Cool封装的中压MOSFET

　　全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行业领先的中压MOSFET产品，采用了8x8 Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓越的产品，在尺寸缩减了一半的同时，提供了更高功率密度和更佳效率，且通过在封装上下表面同时流动的气流提高了散热性能。　　Castle Creations, Inc首席执行官Patrick Castillo说：“在我们为每一位
关键字： Fairchild MOSFET

专利设计发功　ROHM量产沟槽式SiC-MOSFET

　　SiC-MOSFET技术新突破。罗姆半导体(ROHM)近日研发出采用沟槽(Trench)结构的SiC-MOSFET，并已建立完整量产机制。新推出的沟槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%导通电阻，大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业用变流器等设备的功率损耗。　　罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英(左2)表示，新发布的沟槽式SiC-MOSFET采用该公司独有的双沟槽结构专利，目前已开始量产。　　罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣表示，相对于Si-IGBT，SiC
关键字： ROHM SiC-MOSFET

高频开关电源原理

　　导读：本文主要介绍的是高频开关电源的原理，感兴趣的盆友们快来学习一下吧~~~很涨姿势的哦~~~ 1.高频开关电源原理--简介　　高频开关电源，其英文名称为Switching Mode Power Supply，又称交换式电源、开关变换器以及开关型整流器SMR，它是一种高频化电能转换装置。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。它主要是通过MOSFET或IGBT的高频工作，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。 2.高频开关电源原
关键字：开关电源 MOSFET 高频开关电源原理

一款专为SiC Mosfet设计的DC-DC模块电源

　　SiC Mosfet具有耐高压、低功耗、高速开关的特质，极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率，拉长新能源汽车的可跑里程，应用在高频转换器上，为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势。。。。。。。据调查公司Yole developmet统计，SiC Mosfet现有市场容量为9000万美元，估计在2013-2020年SiC Mosfet市场将每年增长39%。由此可预见，SiC即将成为半导体行业的新宠! 　　SiC Mosfet对比Si IGBT主要有以下优势：　　i. 低导通电阻RDS
关键字： SiC Mosfet DC-DC

世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

　　全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。　　另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，后期工序的生产基地为
关键字： ROHM SiC-MOSFET

Diodes优化互补式MOSFET提升降压转换器功率密度

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互补式双 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流转换器的功率密度。新产品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到单一DFN2020封装。器件设计针对负载点转换器，为专用集成电路提供从3.3V下降到1V的核心电压。目标应用包括以太网络控制器、路由器、网络接口控制器、交换机、数字用户线路适配器、以及服务器和机顶盒等设备的处理器。　　降压转换器可利用独立的脉冲宽度调制控制器及外部MOSFET来提升设计灵活性，
关键字： Diodes MOSFET

宜普电源转换公司扩大具有宽间距、以小尺寸实现大电流承载能力的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）系列

　　宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)实现大电流承载能力。　　与具有相同的电阻的先进硅功率MOSFET器件相比，这些全新晶体管的尺寸小很多及其开关性能高出很多倍，是高频DC/DC转换器、DC/DC及AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器及D
关键字：宜普电源 MOSFET

锂离子电池组监控系统研究与实现 — 锂电池组管理系统测试及结论

　　本系统的电路板已经设计成功并投入实际测试，系统电路板如图7.1所示。　　　　对锂电池组管理系统的测试主要包括电压采集、温度采集、电流检测、过充和过放电保护功能、短路保护功能、温度保护功能等内容。　　7.1电压采集功能测试　　测试电压采集功能时，首先按图7.2所示方法连接系统。　　　　将锂电池组、保护器和上位机连接好后，用4位半高精度万用表对所有单体锂电池的电压(用电池组模拟器产生)进行测量，并观察上位机应用程序显示的数据，进行比较和记录。
关键字：锂离子电池 MOSFET

基于DSP的双电动机同步控制平台设计

　　引言　　长期以来，电动机作为机械能和电能的转换装置，在各个领域得到了广泛应用。无刷直流电动机综合了直流电动机和交流电动机的优点，既具有交流电动机结构简单、运行可靠、维护方便的特点，又具有直流电动机运行效率高、调速性能好的优点。正是这些优点使得无刷直流电动机在当今国民经济的很多领域得到了广泛的应用。无刷直流电动机采用电子换向装置，根据位置传感器检测到的位置信号，通过DSP(数字信号处理器)产生一定的逻辑控制PWM波形来驱动电动机，实现无刷直流电动机的平稳运转。近年来，随着工业的快速发展，对产品性能的
关键字： DSP MOSFET

高压浪涌抑制器取代笨重的无源组件

　　1 MIL-STD-1275D 的要求　　MIL-STD-1275D 定义了各种情况，最重要的是，对稳定状态工作、启动干扰、尖峰、浪涌和纹波情况做出了规定。MIL-STD-1275D 针对 3 种独立的“工作模式”制定了对上述每一种情况的要求：启动模式、正常运行模式和仅发动机模式。　　在描述尖峰、浪涌、纹波以及其他要求的细节之前，先来看一下工作模式。毫不奇怪，“启动模式”描述的是引擎启动时发生的情况;“正常运行模式”描述的
关键字：凌力尔特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 纹波

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意法半导体（ST）的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身定制

全新英飞凌功率MOSFET系列使电动工具更紧凑耐用

e络盟为医疗、消费电子及可替代能源等应用领域新增五款业内首选的威世Super 12系列创新产品

Fairchild推出业内首款8x8 Dual Cool封装的中压MOSFET

专利设计发功　ROHM量产沟槽式SiC-MOSFET

高频开关电源原理

一款专为SiC Mosfet设计的DC-DC模块电源

世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

Diodes优化互补式MOSFET提升降压转换器功率密度

宜普电源转换公司扩大具有宽间距、以小尺寸实现大电流承载能力的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）系列

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