- DRAM大厂南亚科董事长吴嘉昭认为，明年第2季起，DRAM市场就会供需平衡，且若市场未有大量新产能开出，下半年DRAM可望再度供不应求。
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南亚科 DRAM 市场
- 6月末也是在大阪召开G20结束的时间，此次出口限制可谓是对韩国企业的一次“偷袭”！此次“偷袭”使人想起了第二次世界大战时的“日本偷袭珍珠港”。
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日韩贸易战 半导体 光刻 DRAM
- 新闻摘要：• 16Gb LPDDR4X改进了能耗、速度和业内最高容量的单片式裸晶，它的推出进一步巩固了美光在低功耗 DRAM 领域的领先地位。• 基于 UFS 的多芯片封装可在同等尺寸条件下降低功耗并增加容量，从而使手机设计更加轻巧美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能够在单个智能手机中提供高达 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，显示了美光为当前和下一代
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LPDDR4X 批量生产进入1z 纳米 DRAM 工艺节点
- 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此，市场预估，美光的该项新产品还会在2019年底前，在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。
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美光 10纳米 DRAM
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，继6月中旬东芝断电事件后，日本政府近日宣布从7月4日起，开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况，然而，由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长，短期结构性供需反转的可能性低。日韩贸易战的爆发使得业界盛传存储器价格将反转，集邦咨询分析指出，因DRAM价格已历经连续三个季度快速下滑，下游
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日韩贸易战 东芝 DRAM/NAND
- 在中美贸易摩擦有所缓和之际，日前紫光集团宣布组建DRAM集团，让市场注意力集中到国内存储器布局上。当前国际存储寡头垄断的格局下，国内存储方队既要面对技术、团队等方面的叠代差距，又要面对当前国际半导体市场势弱，存储大幅降价的风险，迎难而上，逆势扩张。 国际半导体产业降温 6月30日晚间，紫光集团宣布了组建DRAM事业群的计划，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链的建设。而如果放眼国际，此时紫光集团布局DRAM可谓迎难而上，逆势扩张。 据美国半导体行业协会官网最新统计，5月全球半
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半导体 存储 DRAM
- 在近日与投资者和金融分析师召开的收益电话会议上，美光对其长期未来及对其产品的强劲需求表示了信心，该公司还概述了扩大产能的计划，并迅速转向更先进的工艺技术。
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美光 DDR5 DRAM
- 6月30日，紫光集团发布公告称，决定组建紫光集团DRAM事业群，全力加速发展国产内存。
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紫光 DRAM 闪存
- DRAM价格第2季大幅走跌，根据供应链透露，6月起DRAM颗粒现货价格再度走跌，主流交易规格的8Gb颗粒正式跌破3美元关卡。
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三星电子 SK海力士 美光 南亚科 DRAM
- 半导体无所不在，举凡汽车、家电、手机到战斗机，皆少不了半导体这玩意。半导体为韩国最具代表性产业，占外销总金额的20%。然而2018年底存储器荣景告终、价格走跌，除了让三星电子(Samsung Electronics)存储器事业陷入危机外，韩国经济前景也跟著蒙上阴影。面对中国大陆DRAM力拚崛起，及工业4.0革命可能带来的爆炸性需求，三星半导体事业将采取何种策略令人好奇。
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三星 DRAM SDI
- 作为占据全球DRAM内存芯片过半市场的超级巨头，三星电子的一举一动都影响着整个行业。前几年内存价格持续暴涨，三星赚得盆满钵满，最近日子就不太好过了，一季度营业利润暴跌了超过60％。
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DRAM 16nm 三星电子
- 全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM)，准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转，研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM为非挥发性存储器技术，断电时利用纳米磁铁所存储的数据不会流失，是“不失忆”的存储器。其结构如三明治，上层是自由翻转的铁磁层，可快速处理数据，底层则是钉锁住的铁磁层，可用作存储数据，两层中则有氧化层隔开。 其
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MRAM DRAM
- Mar. 25, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温，预计在库存尚未去化完成的影响下，DRAM均价跌势恐将持续至第三季。 根据DRAMeXchange调查，DRAM供应商累积的库存水位在第一季底已经普遍超过六周 (含wafer
bank)，而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达五周，在服务器以及PC客户端甚至超过七周。 进
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集邦咨询 DRAM
- 根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导指出，中国一直企望发展半导体产业，但在近期受到韩国存储器大厂三星与SK海力士在市场垄断与持续技术精进下，加上美国对知识产权的严密保护，其目的将难以达成。 报导指出，2018年10月份，在中国NANDFlash快闪存储器技术上领先的长江存储(YMTC)发布了自行研发的32层堆叠产品之后，当时就宣布将在2020年时跳过64层及96层堆叠的产品，直接发展128层堆叠的产品。由于韩国的存储器龙头厂三星，早在2014年就已经推出了32层堆叠的NANDFlash快
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DRAM NANDFlash
- 近日，半导体产业市场调研品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)公布的最新的存储芯片行业调研报告显示，DRAM跌价幅度超过预期，创8年以来最大跌幅。一度被调侃为“价格跑赢了房价”的内存条，如今突然迎来8年来最大跌幅，国际巨头对中国厂商“围剿”的争议也再次出现。
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存储 DRAM
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