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DRAM今年全年缺货 威刚可望赚1个股本

  •   记忆体模组厂威刚(3260-TW)董事长陈立白表示,今年DRAM全年仍处于缺货的情况,从第1季就会开始缺货。至于威刚今年获利可望维持和去年相当,将可再赚进1个股本。威刚2日股价受到激励,最高来到74.7元,涨幅近5%,开盘不到2小时,成交量爆逾7000张,比前1交易日2872张大幅增加,带动创见(2451-TW)、南科(2408-TW)、华亚科(3474-TW)股价普遍上涨,其中,华亚科盘中最高来到23.1元,涨幅逾4%,开盘2小时,成交量逾2万张,超越前1交易日的成交量。   陈立白表示,DR
  • 关键字: Hynix  DRAM  

DRAM今年全年缺货 威刚可望赚1个股本

  •   记忆体模组厂威刚(3260-TW)董事长陈立白表示,今年DRAM全年仍处于缺货的情况,从第1季就会开始缺货。至于威刚今年获利可望维持和去年相当,将可再赚进1个股本。威刚2日股价受到激励,最高来到74.7元,涨幅近5%,开盘不到2小时,成交量爆逾7000张,比前1交易日2872张大幅增加,带动创见(2451-TW)、南科(2408-TW)、华亚科(3474-TW)股价普遍上涨,其中,华亚科盘中最高来到23.1元,涨幅逾4%,开盘2小时,成交量逾2万张,超越前1交易日的成交量。   陈立白表示,DR
  • 关键字: 威刚  DRAM  

三星推新DRAM芯片 手机运行内存或将升至4GB

  •   近日,三星宣布已经制造出了业界首款8GbLPDDR4移动芯片,该芯片不仅将比目前市面上的同类产品运行速度更快,而且体积更小能耗也更低。   该8GbLPDDR4芯片采用了20nm制程工艺,每块芯片的内存容量为1GB,这意味着2014年推出的智能手机如果能搭载四块这样的芯片话,那么将具有容量为4GB的RAM内存。   三星电子内存销售及市场副总裁Young-HyunJun表示:“新一代LPDDR4DRAM将会在2014拉动全球移动DRAM市场的增长,并且很快将占据DRAM市场的大
  • 关键字: 三星  DRAM  

Hynix无锡DRAM厂传明年1月完全复工

  •   韩国记忆体厂SK Hynix无锡厂9月发生大火,令全球DRAM供应吃紧、价格水涨船高,但分析师调查显示,Hynix无锡厂可能明(2014)年1月便能完全复工,这对三个月来尝了不少涨价甜头的美光(Micron)恐怕不太有利。   据报导,MKM Partners分析师Ada Menaker 11日发表研究报告指出,在与Hynix高层谈话后,她认为无锡厂到了明年1月中旬就能完全恢复产量与不错的良率,估计每个月的矽晶圆供应量将达12-13万片、良率则会达到80%。   Menaker表示,无锡厂全面恢复
  • 关键字: 矽晶圆  DRAM  

半导体业10月报 高端需求不佳 bb值低于1

  •   美国、台湾、中国大陆电子行业指数9月跑赢大盘:9月费城半导体指数上涨7.24%,道琼斯指数上涨2.16%;台湾电子零组件指数上涨2.4%,台湾加权指数上涨1.89%;大陆CSRC电子行业指数上涨4.81%,沪深300指数上涨4.11%。   8月全球半导体销售额再创新高:8月全球半导体市场销售额258.7亿美元,是自2013年以来的月度最高值,同比上涨6.4%,环比上涨1.3%。按地区来看,4大地区再次同时实现环比增长,其中日本环比增幅最大,预示着下半年半导体销售额将会持续增长。9月北美半导体设
  • 关键字: 半导体  DRAM  

DRAM火灾后遗症:海力士三星死杠抢芯片市场

  •   DRAM短缺,合约价格持续上扬,市场研究机构TrendForce指出,主流模组4GB10月价格较9月成长6.25%,预计在下旬合约价公布后,现货与合约颗粒价格将更为贴近。而SK海力士火灾过后,韩商三星半导体藉扩张产能欲夺回PC-DRAM市场主导地位,2家韩商已打起PC-DRAM市占率的争夺保卫战。   市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示,受到SK海力士火灾影响,供给面出现短缺使得合约价格持续上扬,主流模组4GB最高价格已经站上34美元,与9月相较
  • 关键字: 海力士  DRAM  

Q2全球DRAM市场营运利润率27%创三年新高

  •   根据市调公司IHS表示,动态随机存取记忆体(DRAM)市场近来历经快速成长,写下近三年来的利润率新高记录。全球DRAM的营运利润率从今年第一季的11%大幅成长,最近在第二季已经达到27%了──这也是自2010年以来的最高水准。事实上,IHS强调营业利润率已经持续六个月的稳步成长了。   IHS指出,多年来PC一直是DRAM的主要应用,随着近来PC市场下滑,2012年时首度出现PC在DRAM应用的比重不到50%的窘境。在后PC时代,许多装置──特别是行动装置──每单位用量更少,使得整个DRAM市场
  • 关键字: DRAM  PC  

全球DRAM营利率11% 创3年新高

  •   市调机构IHS17日发布报告指出,拜高平均售价(ASP)之赐,全球DRAM产业第二季营业利益创近三年新高,自第一季的11%倍增至27%,仅次于2010年第三季的33%。   在连6季衰退之后,且面对PC市场持续萎靡的状况下,DRAM获利表现连续2季攀升,期间DRAM产品平均单价第一季涨4%,而第二季更是跳增12%。IHS看好DRAM这股逆转气势将可一直持续至2013年底。   当季表现最亮眼当属南韩的SK海力士,该公司营利率达33%,而居次的尔必达(Elpida)也有32%,两者都优于DR
  • 关键字: DRAM  PC  

DRAM双雄 营收高歌

  •   DRAM双雄报喜,南科与华亚科7日公布9月营收,南科为38.05亿元,月增8.3%。华亚科为59.76亿元,月增7.3%,且连七个月增长,也创历史新高。   华亚科月营收是以客户前三个月产品均价来计算,因此9月业绩是以6月至8月的价格为估算基础,尚未纳入SK海力士无锡厂受灾后,DRAM价格上涨所带来的利益。华亚科指出,9月营收增加,主要是产品组合变化,与产品平均单价(ASP)上扬带动。   华亚科已连四个月单月营收在50亿元以上水平,外界估算,DRAM价格飙涨后,华亚科10月业绩还会更好,预期可突
  • 关键字: DRAM  存储器  

SK海力士无锡大火余波:DRAM芯片涨价42%

  •   9月4日,SK海力士无锡工厂发生大火,暂时关闭并停止生产。由于无锡工厂占SK海力士总产量一半,SK海力士又是全球第二大DRAM制造商,因此,这场大火造成全球芯片价格大幅上涨,创出两年来新高;有业内人士表示,智能手机和计算机厂商成本的提高或将进一步推高电子类产品价格的上涨。   DRAM芯片价已大涨42%   公开资料显示,SK海力士是全球第二大DRAM芯片制造商,全球DRAM市场占有率达到24.6%,仅次于三星的50%,无锡工厂的产量占到了SK海力士总产量的一半。   9月4日,SK海力士无锡工
  • 关键字: SK海力士  DRAM  

DRAM产品市场趋向成熟

  • 据市调公司IC Insights今年7月发表的一份名为“Global Wafer Capacity 2013 report”报告称,2012年末存储器和代工(主要生产逻辑和混合信号电路)所用晶圆(以200mm晶圆计)已超过世界每月晶圆产能的一半,计共922.7万片,占64%(其中存储器占36.1%,代工27.5%),随后逻辑电路占12.4%,微芯片(MPU,MCU和DSP)10.3%,模拟电路9.6%,其他4.1%。
  • 关键字: 存储器  晶圆  DRAM  201310  

SK海力士火灾致DRAM芯片价格创两年来新高

  •   北京时间9月24日晚间消息,在SK海力士无锡工厂本月发生火灾后,DRAM存储芯片的价格已大幅上涨42%,这意味着智能手机和计算机厂商正面临更高的元件成本。   根据亚洲最大DRAM存储芯片市场DRAMeXchange的数据,2GBDDR3DRAM芯片的价格周一上涨至2.27美元,而9月4日SK海力士无锡工厂发生火灾时为1.60美元。SK海力士预计,受火灾影响的生产线将于下月恢复生产。   SK海力士是全球第二大存储芯片提供商,客户包括苹果(489.1,-1.54,-0.31%)公司、戴尔(
  • 关键字: SK海力士  DRAM  

海力士火灾对内存芯片价格影响不大

  • 2013年9月4日下午3点半左右,位于江苏无锡新区的韩资企业海力士-意法半导体(中国)有限公司一车间突然发生火灾,冒起的滚滚浓烟蔓延周边数公里。
  • 关键字: 意法  海力士  晶圆  DRAM  

追梦中国集成电路

  • 《中国电子报—电子信息产业网》自6月初开始发表了《中国IC业十大“芯”结求解述评》系列文章,到7月底已连续发了7篇。
  • 关键字: IC产业  DRAM  NAND闪存  201309  

SK海力士成业界黑马

  •   根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示,第二季智能型手机出货季成长约7%,总出货来到约两亿两千余万支(222.7M),加上为后续旺季来临前所作的备货准备,行动式内存的总营收已逼近30亿美元,季增约11%,占总体DRAM营收的34%。   综观各家DRAM厂在行动式内存领域的市占排名,其中季成长最为显著的为排名第二的SK海力士,营收与上季相较成长超越30%,其主因受惠中国市场手机出货需求强劲及一线手机厂持续下单,市占较上季成长4%来到25.7%。后
  • 关键字: SK海力士  DRAM  
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