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ADS 晶体管 基站功率放大器 仿真 LDMOS
- LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此
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优势 使用 特点 结构 LDMOS
- 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，这种产品
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LDMOS 大功率 测试 晶体管
- 飞思卡尔推出RF LDMOS功率管 可在阻抗失配条件下使用,飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界
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LDMOS 飞思卡尔 功率管 阻抗
- TD-SCDMA(时分同步码分多址接入)是第三代移动通信三大主流标准之一，是我国具有自主知识产权的通信标准，它标志着中国在移动通信领域已经进入世界先进行列，目前，TD-SCDMA的商用化进程正在顺利地进行之中[1]。TD-
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- LDMOS的性能概述 与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6d ...
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LDMOS 性能 制造工艺
- 摘要：本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能
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- 摘要：文中针对高压节能应用领域，开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺，实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4．5mu;m，漂移区长度缩减至70mu;m，使得芯片面积和制
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D-RESURF LDMOS 设计 新型 扩散 超薄 外延 技术 基于
- 飞思卡尔半导体近日推出其下一代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）射频功率晶体管，以满足蜂窝发射器降低功耗的...
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- Infineon的LDMOS功放管凭优良的产品质量性能已广泛应用在移动通信设备中，在国内外不少知名通信设备生产商的设备中Infineon的功放管都占有一定的份额。
其中，Infineon专门为了满足移动通信市场需求设计了应用频率范围为700MHz到2.2GHz的4W、8W、12W宽带功放管，增益在900MHz为19dB,2.1GHz为16dB，漏极供电为直流28V，线性指标良好，效率高。这三个不同功率等级的功放管封装结构完全一样，电路简单可相互兼容。该类功放管超宽的工作带宽及同封装不同功率等级的
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Infineon LDMOS 移动通信
- 英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一，其前身是西门子集团的半导体部门。在中国，英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，该公司凭借其雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。
在LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)晶体管方面，英飞凌立足于最先进的LDMOS工艺技术和改善散热性能的封装，这家公司可制造门类齐全的RF功
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英飞凌 晶体管 LDMOS
- 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射频研发的投资，2010年上半年先后在中国上海以及美国马塞诸塞州比尔里卡市(近波士顿)开设两家恩智浦高性能射频(RF)产品技术中心。中心主要从事射频/微波集成电路(IC)设计，涉及领域包括国防航空、工业、科学和医学卫星接收器及宽带通信中等。其中，于年内第一季度成立的上海恩智浦高性能射频产品技术中心，特别致力于为大中华区域的客户提供更及时周到的服务，包括从射频前端到末级放大器的射频器件设计开发、技术支持、售后服务等一条龙全方位射频解
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NXP 射频 LDMOS
- 我国的3G网络发展潜力举世瞩目，3G建设中最为关键的基站部署也已成为业界关注的核心。以高效功放、多载频技术、分布式架构、增强型室内覆盖等为代表的新一代基站创新性技术，将会让运营商实现高性能、低成本的网络部署。其中，功放效率问题是所有厂家追求的一个热点。因为提高功放效率不仅能够为运营商节省电费、节省电源等配套设施的投资，还能降低整机散热的要求，增强设备的稳定性。
从成本上看，功率放大器是基站上最昂贵的器件，其成本约占基站总成本的60%，而功放管又是功率放大器上最贵的器件，其成本约占80%。除成本之
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恩智浦 3G基站 LDMOS
ldmos介绍
横向扩散金属氧化物半导体
LDMOS
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor
LDMOS技术是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。 与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，L [
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