- 飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的50V LDMOS RF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用，包括空中交通管理和长射程气象雷达。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200 － 1400 MHz之间时， MRF6V14300H生成330 W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。
先进的RF功率
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飞思卡尔 晶体管 RF LDMOS
- 恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管，这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提高了20%，功率效率增长了两个百分点，而Rth热阻则降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶体管的最初原型将于2008年美国乔治亚州亚特兰大举办的IEEE MTT-S国际微波研讨会期间进行展示。
恩智浦R
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恩智浦 LDMOS 基站 功率晶体管
- 英飞凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）发布两款面向无线宽带应用的最新LDMOS射频功率晶体管，例如在2.5至2.7 GHz频段上运行的WiMAX应用。这些产品可提供最高达170 W的峰值输出功率，进一步壮大了英飞凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX应用的射频功率晶体管产品阵营。这款LDMOS射频功率晶体管杰出的峰值功率性能可支持设计师简化其射频功率放大器的设计。
英飞凌科技公司副总裁兼射频功率器件业务部总经理Helmut Volger表示：&ldqu
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英飞凌 LDMOS 晶体管
- 飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等
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嵌入式系统 单片机 飞思卡尔 LDMOS 晶体管 嵌入式
ldmos介绍
横向扩散金属氧化物半导体
LDMOS
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor
LDMOS技术是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。 与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，L [
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