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东芝推出4A输出智能门驱动光电耦合器

  •   东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其门驱动光电耦合器阵容增添新成员,用于驱动中等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款新的4A输出智能门驱动光电耦合器“TLP5214”采用纤薄的SO16L封装,并具有保护功能,可防止IGBT产生过流状况。这一新产品将于5月底开始量产出货。   &l
  • 关键字: 东芝  TLP5214  SO16L  IGBT  

最经典的IGBT资料大全,技术详解,设计技巧,应用案例

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: IGBT  基础理论  设计技巧  应用案例  杂散电感  DC/DC电源  

新能源汽车成为大功率IGBT的主要驱动力

  •   据Yole Developpement市场调查公司2013年报告,2014年IGBT市场总值将达到43亿美元,比2013年的39亿美元多出4亿美元。而从2011年~2018年可见,主要驱动力是电动汽车/混合动力(EV/HEV)汽车(下图草绿色部分)。  可靠性成为功率电力电子器件的关键指标  EV/HEV汽车用IGBT等大功率的电力电子器件不仅对性能指标要求高,目前电流已达600安培左右,同时对可靠性的要求更为严苛,例如汽车应用的期望寿命需要二三十年,需上万次甚至百万次的功率循环要求,而且需要在不同的
  • 关键字: IGBT  Mentor  MicReD  

Mentor推出1500A功率循环测试设备

  •   聚焦可靠性  IGBT等大功率的电力电子器件通常需要大电流,例如地铁需要800A,新能源汽车需要600A,风能需要1500A及以上。同时电力电子器件的可靠性非常关键,例如机车牵引的期望寿命超过三十年,功率器件通常需上万次甚至百万次的功率循环要求,对新型IGBT等电力电子器件的可靠性提出了巨大的挑战。  功率循环和热量导致与热相关的器件老化降级,容易导致焊线老化降级,金属层错位,焊接失效,硅芯片和基板的分层等问题。因此需要精密的实验设备对电力电子器件的可靠性进行评估。  传统的功率循环测试和失效分析有诸
  • 关键字: MicReD  IGBT  功率循环测试  

安森美半导体看好中国汽车市场

  •   中国已成为全球最大的汽车生产国和消费市场,2013年中国整体汽车销量增长14%至2,200万辆,其中乘用车销售约1,800万辆(份额80%),商用车约400万辆(份额20%);2014年整体销量可达2,300万辆,乘用车销量较2012年增长16%。汽车大趋势正在推动半导体成分的升高:IHS公司预测,由于汽车安全与导航等系统的不断采用,中国汽车半导体市场将在2014年增长11%,达到46亿美元。而在未来三年会延续增长势头,到2017年,中国汽车芯片市场将达到62亿美元。   面对巨大的需求,半导体厂商
  • 关键字: 安森美  汽车半导体  IGBT  

高铁“中国芯”即将量产:速度超600km/h

  • 高铁在技术上的突破确实令人欣慰,但这给老百姓带来的实惠非常有限,其在经济民生方面的意义更像是国家层面的形象工程。
  • 关键字: IGBT  芯片  

浅谈CPLD在IGBT驱动设计中的应用

  • 随着国民经济的不断发展,变频调速装置的应用越来越广泛。如何打破国外产品的垄断,已成为一个严肃的课题摆在我国工程技术人员的面前。 在某型号大功率变频调速装置中,由于装置的尺寸较大,考虑到结构和散热的条件,主控板上DSP产生的PWM信号需经过较长的距离才能送到IGBT逆变单元中。为保证PWM信号传输的准确性和可靠性,必须解决以下几个问题:首先是抗干扰问题,变频器工作时,IGBT的开关动作会产生高频干扰信号;其次是如何保证PWM信号的前、后沿质量,减少IGBT开关动作的过渡过程;最后是如何减少布线电感,尽可能
  • 关键字: CPLD  IGBT  

基于IGBT器件的大功率DC/DC电源技术方案

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: DC/DC  大功率输出  电源模块  IGBT  

国内首条8英寸IGBT芯片生产线将投产

  • 中国南车成为国内唯一一家全面掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。让我们了解一下......
  • 关键字: 8英寸  IGBT  芯片  

Vishay发布宽体IGBT和MOSFET驱动器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离,还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压,非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。  除了具有优异的隔离能力,使用可靠和久经考验的光电子
  • 关键字: Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

英飞凌加入中国国际电动汽车示范城市伙伴组织,助力本土产业发展

  •   英飞凌科技(中国)有限公司宣布正式加入“中国(上海)国际电动汽车示范城市伙伴组织”,该组织成员包括致力于推广电动车产业的上下游企业。作为全球领先的汽车电子供应商,英飞凌是首家加入的半导体科技公司。英飞凌将依托 “伙伴组织”框架机构,加强与“伙伴组织”成员及其他伙伴企业的交流与合作,助力推进电动汽车产业的发展。  作为全球最大的IGBT芯片及模块供应商,英飞凌可以为电动汽车的主要核心电子电器模块提供完整的解决方案,包括电机驱动、电池管理、高压辅助系统如DC/DC、车载充电器以及整车控制器。大量
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  IGBT  半导体  

IR推出坚固可靠的超高速1400V IGBT

  •   全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。  IRG7PK35UD1PbF与超低正向电压二极管共同封装,由于使用IR 的Gen7 薄晶圆沟道技术,可提供极低VCE(ON) 和超高速开关,
  • 关键字: IR  IRG7PK35UD1PbF  IGBT  1400V  

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

  • 2014年2月24日,英飞凌科技股份公司(法兰克福股票交易所股票代码:IFX / 美国柜台交易市场股票代码:IFNNY)推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件,再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  RC-H5  

工程师总结:IGBT知识梳理

  • 有关IGBT你了解多少,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MO...
  • 关键字: 工程师  IGBT  知识梳理  

基于散热器设计的大功率IGBT散热器水冷热阻计算

  • 为了优化水冷散热器散热能力,保障其可靠工作,引用了传热学中的基本原理与公式,以散热器外形的机械尺寸、水的强...
  • 关键字: 散热器设计  大功率  IGBT  
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