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用IGBT代替MOSFET的可行性分析

  • 一、引言电力电子设备正朝着高频、高效、高可靠、高功率因数和低成本的方向发展,功率器件则要求高速、...
  • 关键字: IGBT  MOSFET  

小功率智能化中频逆变电源的研制

  • 摘要:研制一种基于TMS320LF2407A数字信号处理器和PS21964智能功率模块(IPM)的智能化SPWM中频逆变电源控制系统。对中频逆变电源的功率主电路、控制电路以及保护电路等进行了详细阐述。实现了中频逆变电源小型化和高性
  • 关键字: 中频逆变电源  DSP  SPWM  IPM  

IGBT应用设计全面剖析

  • 如何做好IGBT的保护众所周知,IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率...
  • 关键字: IGBT  应用设计  

IGBT使用和设计新方法

  • IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术,将功率MOSFET和功...
  • 关键字: IGBT  使用  设计  

IGBT基础知识梳理

  • 有关IGBT你了解多少,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)...
  • 关键字: IGBT  基础知识  

IGBT实用的驱动电路及细节设计

  • 1.IGBT的模型IGBT的模型在教科书上能找到,其栅极G,相当于一个数纳法(nF)的小电容(暂时这样认为),这与MOS...
  • 关键字: IGBT  驱动电路  细节设计  

12脉冲与IGBT高频整流器

  • 一、概述12脉冲整流器的由来对于直流来说不存在什么功率因数问题,因为直流的电流和电压永远是同相...
  • 关键字: 12脉冲  IGBT  高频整流器  

如何控制IGBT逆变器设计中的杂散电感

  • IGBT技术不能落后于应用要求。因此,英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计 ...
  • 关键字: IGBT  逆变器设计  杂散电感  

全方位了解IGBT的基础知识

  • 有关IGBT你了解多少,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MO...
  • 关键字: IGBT  基础知识  

大功率IGBT散热器水冷热阻计算

  • 为了优化水冷散热器散热能力,保障其可靠工作,引用了传热学中的基本原理与公式,以散热器外形的机械尺寸、水的强制对流换热系数和水的导热系数作为参数及变量推导了散热器水冷热阻的计算公式。同时为了满足实际应用,开发了一种专用水冷散热器热阻计算和曲线绘制软件,可以显示热阻随参数变化而变化的各种曲线,也可以直接计算显示热阻值。为散热器的设计中参数的优化选择提供直观方便的参考。
  • 关键字: IGBT  大功率  散热器  热阻计算    

针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器

  • 针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器,引言对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(200 W),并且常常会把电
  • 关键字: IGBT  MOSFET  栅极驱动器  

一种新型的零电压零电流三电平变换器的研究

  • 摘要:针对采用IGBT的软开关三电平变换器中IGBT关断过程存在的电流拖尾现象,以及基本三电平拓扑变压器次级存在的电压过冲和电压振荡现象,提出了改进型ZVZCS三电平结构。该结构在基于拓扑的三电平桥臂侧和两电平桥臂
  • 关键字: 三电平变换器  ZVZCS  辅助网络  IGBT  

IGBT础知识大全

  • IGBT础知识大全,有关IGBT你了解多少,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
  • 关键字: IGBT  础知识大全  

Tokyo搭载了光纤接口 还强化了IGBT驱动板的产品阵容

  • Tokyo Electron Device Limited(本社: 横滨市神奈川区,代表董事·总裁: 栗木 康幸,以下简称 TED)开发出在 1 块基板上实现 1700V/1200A 等级 IGBT 控制且搭载光纤接口的 IGBT 驱动板 “TD-BD-IGFB05K”, 并将于 2013 年 4 月 17 日开始销售。
  • 关键字: TED  IGBT  太阳能  

美高森美为NPT IGBT产品系列增添多款新器件

  • 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A额定电流型款。
  • 关键字: 美高森美  IGBT  
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