如今市场上先进功率元件的种类数不胜数，工程人员要为一项应用选择到合适的功率元件，的确是一项艰巨的工作...
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太阳能 逆变器 IGBT
一、IGBT溉述正常IGBT的工作频率在10—20kHz，其开关速度比GTO、IGCT快得多。在交流电动机变频调速...
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IGBT 软开关 应用开发
Power Integrations旗下子公司IGBT驱动器制造商CT-Concept Technologie AG已在德国Ense开设一家新的设计中心。该设计中心将基于其驱动核开发半定制门极驱动设计，并利用CONCEPT的SCALE-2®平台为大型项目研发和量身定制驱动器。
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CONCEPT 驱动器 IGBT
通常IPM模块应有四路独立电源供电，下桥臂三个IGBT控制电路共用一个独立电源，上桥臂三个IGBT控制电路用三...
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IPM 自举电路设计
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选。作为少数载流子器件，IGBT在该电压范围...
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IGBT 选型
提高太阳能逆变器效能的IGBT选择方法,如今市场上先进功率元件的种类数不胜数，工程人员要为一项应用选择到合适的功率元件，的确是一项艰巨的工作。就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他
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太阳能逆变器 IGBT 太阳能电池板
据IMSResearch数据，全球功率半导体市场2012年增长率为5.0%，达到320亿美元规模;预期2013年会恢复两位数字增长
作为仅次于大规模集成电路的另一大分支，功率半导体运行于弱电控制与强电之间，对降低电路损耗、提高电源使用效率，发挥着重要作用。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域，向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。关注功率器件行业的技术发展趋势，促进相关行业的发展至关重要。
增长点来自新领域
LE
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安森美 IPM
1 引言80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，IGBT成为了大功率开关电源、变频
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IGBT 功率器件 方法
IGBT是一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。本文介绍了驱动电路M57962L的工作原理及解决方案：IGBT是一种...
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M57962L 芯片 IGBT
1引言综合了gtr和mosfet优点的igbt，是一种新型的80年代问世的绝缘栅双极性晶体管，它控制方便、工作频率...
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IGBT 及解决方法
1 引言
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MOSFET IGBT 驱动器 芯片
为了实现电阻炉的快速升温及温度控制，采用运放退饱和的方法，当电阻炉温度未达到设定值时，运放饱和输出，所控制的驱动电路输出脉冲的占空比最大，IGBT近似全导通，电炉加热功率最大，温度快速上升；当温度达到设定值时，运放开始退饱和，输出电压逐渐减小，从而减小驱动电路输出脉冲的占空比，IGBT导通时间变短，电炉加热功率减小，实现温度控制。通过Multisim软件仿真及硬件电路测试，验证了本设计的可行性。该温度控制系统具有升温速度快、易于操作、滞后性较低的优点。
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电阻炉 温度控制 运放 退饱和 IGBT
11、请问：HCPl-316产品如何做到短路时软关断？谢谢！ HCPL-316J 饱和阈值的顶点设置在7V，这是对通过一个比较 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件，受到了国家的重视，近两年更是列入国家重大科技专项中提供多方位的支持。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛用于小体积、高效率的变频电源、电机
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新能源 功率器件 IGBT
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