一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(GaN)衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司(以下简称苏州纳维)的主打产品。
“不会游泳的时候就跳下了水”
苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化镓
EPC公司将于2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES® 2018)展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线充电及自动驾驶汽车的激光雷达应用。 EPC将在AirFuel联盟于CES 2018展览摊位携手合作展示基于氮化镓器件并嵌入桌面的无线充电系统，可以在桌面上任何位置对多种设备同时充电，可传送高达300 W功率。可传送这么大功率使得我们可以同时对电脑、电脑显示器、桌灯、掌上型电脑及
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宜普 GaN
如何设计防反接保护电路？-利用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
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mos
揭秘高效电源如何选择合适的MOS管-在当今的开关电源设备中，MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。
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MOS 电源
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
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SiC GaN
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
未来几年，据Yole最新发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计，随着电信基站升级和小型基站部署的需求增长，RF功率市场将获得强劲增长。2016~2022年期间，整体RF功率市场营收或将增长75%，带来9.8%的复合年增长率。这意味着市场营收规模将从2016年的15亿美元增长至202
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GaN 5G
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
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5G GaN
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。
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MOS FinFET
什么是MOCVD?
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
MOCVD设备主要用于半导体材料衬底的外延生长，是LED以及半导体器件的关键设备。
根据Technavio统计，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从201
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MOCVD GaN
作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板（PCB）走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了PCB分布
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EMI 开关电源 MOS
随着无线通信的带宽、用户数目以及地理覆盖范围扩展，基地台收发器的功率放大器(PA) 部份对于更高效率的需求也不断成长。无线功率放大器所消耗的功率超过了基地台运作所需功率的一半。透过提高效率来减少功耗具有多项优势，首先，最明显的好 处是降低运营成本；同时，更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
如同摩尔定律所述，数十年来，芯片的密度和速度正呈指数级成长。众所周知，这种高速成长的趋势总有一天会结束，只是不知道当这一刻来临时，芯片的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，芯片密度不断增加，而闸级氧化层宽度不断减少，超大规模集成电路(VLSI)中常见的多种效应变得原来越重要且难以控制，天线效应便是其中之一。
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IC设计 天线 天线效应 充电损害 MOS
在开关电源电路设计当中，电流的转换分为很多种。其中直流转换是较常见的一种设计。通常称为DC-DC转换，是指将一个电压值转化为另一个电压值电能的装置。直流转换设计在开关电源当中非常常见，也是新手接触比较多一种电路设计，本篇文章将为大家介绍这种电路当中非同步与同步的区别。
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DC-DC MOS 同步 开关电源 非同步
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
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GaN SiC 第三代半导体材料
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