随著马达(电动机)发展日新月异, 相对也提升家庭应用需求, 现阶段家用抽油烟机要求声音越变越小, 也要求变频省电, 更随著环保意识抬头, 抽油烟机的抽风效率更显重要!排油烟机是煮饭时最重要的工具，如果没有的话，你再煎鱼或是炒菜的时候，会导致全厨房都是油烟味，如果没有防治好的话，还会飘到客厅房间，除了油烟味很重外，对身体也不好！经过研究显示这些油烟含有多种致癌物，因此为了自己的健康着想，一台好的排油烟机可以给一个好的煮饭环境， 可以替你带走大量厨房油烟, 可以避免吸入致癌物, 同时又能降低噪音让厨房静悄悄,
关键字：
Toshiba TB9062 Motor Driver Pre-Driver
此电源设计最大输出功率为65W，配备1A1C双口输出，单USB-C口输出65W（20V/3.25A），单USB-A口输出；双口同时输出时，C+A同降为5V方案全系列采用双面板、最简化设计理念,尺寸才51X51X31mm！上下两片1.0mm左右厚铜散热既满足EMI又导热好！通标变压器设计，21V效率最高达到93%,驱动与MOS均采用美国安森美半导体技术！►场景应用图►展示板照片►方案方块图►C口支持协议►核心技术优势1.51.5*51.5*31 超小体积 功率密度：1.26cm³/W2. QR架构，COST
关键字：
安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
开关电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是电源供应器的一种高频化电能转换装置，也是一种以半导体功率器件为开关管，控制其关断开启时间比率，来保证稳定输出直流电压的电源。开关电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是电源供应器的一种高频化电能转换装置，也是一种以半导体功率器件为开关管，控制其关断开启时间比率，来保证稳定输出直流电压的电源。在目前电子产品的飞速增长中，开关电源凭借其70%~
关键字：
瑞森半导体 MOS 开关电源
极限TP4057充电模块TP4057是一款单节锂电池专用的恒流/恒压线性充电IC,其内部带有电池反接保护及防倒充电路。该充电IC的工作电压范围为4～6V,静态工作电流仅有40μA模块尺寸8x10mm。集成锂电保护和指示灯。可作为SMT贴片模块使用贴装在其他主板上
关键字：
充电IC TP4054 TP4056 TP4057 电源管理IC MOS
随著USB PD产品的广泛应用与普及化，Infineon推出全新数位共振返驰式PWM电源控制芯片，此一架构除较现行客户常使用之ACF架构更具竞争力，在电路设计上相对容易，还可减少元件数量，且数位化的设计界面可满足不同输出瓦数的产品应用，提高在设计上的灵活度与可靠性。同时搭配Cypress PD控制芯片，借由数位控制与参数设定功能来改变输出电压，藉以符合各种不同产品的应用。同时Infineon共振返驰式电源芯片在与Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率与功率密度的表现，更可以减少客户的产品设计与开发
关键字：
Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174
据外媒《NBC》报道，近日，晶圆代工厂商格芯（GlobalFoundries）获得3000万美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工厂研发和生产GaN芯片。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称，电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片将比前几代芯片能更好地处理高热量和电力需求。Caulfield在一份声
关键字：
格芯获 GaN
EPC9176是一款基于氮化镓器件的逆变器参考设计，增强了电机驱动系统的性能、续航能力、精度和扭矩，同时简化设计。该逆变器尺寸极小，可集成到电机外壳中，从而实现最低的EMI、最高的功率密度和最轻盈。 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9176。这是一款三相BLDC电机驱动逆变器，采用EPC23102 ePower™ 功率级GaN IC，内含栅极驱动器功能和两个具有5.2 mΩ典型导通电阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之间的输入电源电压下工作，可提供高达28 Apk(2
关键字：
GaN IC 电机驱动器
现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
关键字：
GaN 氮化镓 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3.3 MV/cm 的 20 倍临界电场击穿，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。其中许多应用需要很长的使用寿
关键字：
Wolfspeed 放大器 GaN
本文对于 MOS 管工作在开关状态下的 Miller 效应的原因与现象进行了分析。巧妙的应用 Miller 效应可以实现电源的缓启动。01 Miller效应一、简介MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。下面波形是在博文 ZVS振荡电路工作原理分析[1] 中观察到振荡 MOS 管栅极电压与漏极电压波形。可以看到栅极电压在上升阶段具有一个平坦的小台阶。这就是弥勒效应所带来的 MOS 管驱动电压波
关键字：
MOS Miller
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。不同类型的 GaN FET 具有不同的器件结构。GaN FET 包括耗尽型 (d-mode)、增强型 (e-mode)、共源共栅型 (ca
关键字：
TI GaN
2022年9月20日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化镓系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案的展示板图 以手机、电脑为代表的移动智能设备已经成为人们日常生活的重要工具，然而随着这些设备所覆盖的功能越来越多，设备有限的续航能力已经无法满足用户对
关键字：
大联大友尚 onsemi GaN System PD快充电源
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。不同类型的 GaN FET 具有不同的器件结构。GaN FET 包括耗尽型 (d-mode)、增强型 (e-mode)、共源共栅型 (ca
关键字：
德州仪器 GaN 功率密度
虽然增加可再生能源是全球的大趋势，但这还不够，能源效率是另一个重点领域，这是因为服务器及其冷却系统对能源消耗，占据了数据中心将近40%的运营成本。GaN具有独特的优势，提供卓越的性能和效率，并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求，并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。数字化和云端服务的快速建置推动了全球数据服务器的产业规模的成长。今天，数据服务器消耗了全球近1%的电力，这个数字预计会不断的成长下去。次世代的产业趋势，例如虚拟世界、增强实境和虚拟现实，所消耗大量电力将远超现今地球上所能
关键字：
GaN 数据服务器 效率
在电力电子应用中，为了满足更高能效和更高开关频率的要求，功率密度正在成为关键的指标之一。基于硅（Si）的技术日趋接近发展极限，高频性能和能量密度不断下降，功率半导体材料也在从第一代的硅基材料发展到第二代的砷化镓后，正式开启了第三代宽禁带技术如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的应用之门。SiC的耐高压能力是硅的10倍，耐高温能力是硅的2倍，高频能力是硅的2倍。相同电气参数产品，采用SiC材料可缩小体积50%，降低能量损耗80%。同样，GaN也有着许多出色的性能，它的带隙为3.2eV，几乎比硅的1.1eV带
关键字：
贸泽电子 GaN
gan mos driver介绍
您好，目前还没有人创建词条gan mos driver!
欢迎您创建该词条，阐述对gan mos driver的理解，并与今后在此搜索gan mos driver的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473