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gan mos driver 文章最新资讯

GaN 时代来了？

随着特斯拉宣布其下一代 EV 动力总成系统的 SiC 组件使用量减少 75%，预计第三代化合物半导体市场状况将发生变化，GaN 被认为会产生后续替代效应。据业内消息人士透露，这有望使台积电、世界先进半导体 (VIS) 和联华电子受益，它们已经进行了早期部署，并继续扩大其 8 英寸加工 GaN 器件的产能。GaN 和 SiC 的比较GaN 和 SiC 满足市场上不同的功率需求。SiC 器件可提供高达 1200V 的电压等级，并具备高载流能力，因此非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场和大型三相电网
关键字： GaN SiC

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保护

当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功率应用中实施。实现这一壮举的方法是提高电子设备的功率密度。硅基MOSFET具有较低的开关速度和热效率；因此，如果不增加尺寸并因此影响功率密度，它们就不能用于高功率应用。这就是基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 用于制造高功率密度电子产品的地方，适用于各行各业的不同应用。当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功
关键字： GaN HEMT 短路保护

英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems）

【2023 年 03 月 03日，德国慕尼黑和加拿大渥太华讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）和氮化镓系统公司（GaN Systems）联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化镓技术为打造更加
关键字：英飞凌将氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓产品

几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要，本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项。本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。VDD 电容VDD 引脚应有两个尽可能靠近 VDD 引脚放置的陶瓷电容。如图 7 所示，较低值的高频旁路电
关键字：安森美 GaN 驱动器 PCB

氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ，才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。NCP51820 是一款全功能专用驱动器，为充分发挥高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaNFET 的开关性能而
关键字：安森美 GaN PCB

纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD2621

前言现阶段的大多数 GaN 电源系统都是由多个芯片组成。GaN 器件在电路板上组装前采用分立式的元件组装会产生寄生电感，从而影响器件的性能。例如驱动器会在单独的芯片上带有驱动器的分立晶体管，受到驱动器输出级和晶体管输入之间以及半桥开关节点之间的寄生电感的影响，同时GaN HEMT 具有非常高的开关速度，如果寄生电感未被抑制，将会导致信号传输的波动。近日，纳芯微推出了两款全新的GaN相关产品，分别是GaN驱动NSD2621，一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；集成化的
关键字： GaN 纳芯微半桥驱动芯片

纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K

纳芯微全新推出GaN相关产品，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K，均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。其中，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。NSD2621产品特性： 01. SW引脚耐压±700V 02. 峰值驱动电流2A/-4A 03.&n
关键字：纳芯微 GaN

基于世平安森美半导体 LV8310 Single-Phase Pre Driver 应用于车内空调循环扇方案

由于现代人对于生活物质的享受要求愈来愈高,汽车驾驶人对于车内空间主观的价值感要求也是一样,不管是行驶时可能产生的种种噪音及静止时冷气空调循环扇的音量亦是,以空调风扇噪音来说,三相马达也许是低噪的最佳选择,但整体成本较高,基于成本及整体效能考量,安森美推出的可优化超前角单相直流无刷马达驱动方案,可说是性价比最高的选择。安森美新推出的LV8310 Single phase pre driver 提供可弹性选择功率晶体以配合不同功率需求的条件及可调整的转速曲线以优化可控转速档次的一致性和可调整超前角功能以优化功
关键字：安森美 ONSemi LV8310 Single-Phase Pre Driver 车内空调循环扇

基于安森美半导体高频率准谐振NCP1342搭配GaN的65W PD电源适配器

电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间，而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►产品实体图►方案方块图►核心技术优
关键字：安森美 NCP1342 PD QR 高频率 GaN

基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁挂炉热风机解决方案

近年来，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自动驾驶”等时髦的词汇，大家的注意力也都集中在这些领域，但其实，有一个已经真正落地，大部分人都还没注意到的应用——直流无刷电机（BLDC）市场正在悄然兴起，而且成长迅速。根据市场公开的资料，2018年全球无刷直流电机的市场规模为153.6亿美元，乐观的市场研究机构预计未来五年，市场将会以13%的年复合增长率持续增长；当然也有机构认为年复合增长率会在6.5%左右。但不论是6.5%，还是13%的增长率，这个市场都非常值得期待。由于BLDC本身可以节约能源，
关键字： Richtek RT7083GQW MCU Gate Driver 壁挂炉热风机

基于安森美半导体有源钳位的NCP1568搭配GaN的65W PD电源适配器

电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间，而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►展示板照片►方案方块图►核心技术优
关键字：安森美有源钳位 NCP1568 GaN PD电源适配器

世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案

安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
关键字： NCP51820 安森美半导体电源供应器 GaN MOS Driver

放大器设计：晶体管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶体管的区别

晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有
关键字：放大器晶体管 MOS BJT

英飞凌推出业界首款PFC和混合反激式组合IC，提高基于GaN的USB-C EPR适配器与充电器的性能

【2022年11月24日，德国慕尼黑讯】USB供电（USB-PD）已成为快速充电以及使用统一Type-C连接器为各种移动和电池供电设备供电的主流标准。在最新发布的USB-PD rev 3.1标准中，扩展功率范围（EPR）规格可支持宽输出电压范围和高功率传输。统一化和大功率容量再加上低系统成本的小外型尺寸已成为推动适配器和充电器市场发展的主要驱动力。为了加速这一趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新XDP™数字电源XDPS2221。这款用于USB-PD的高度集
关键字：英飞凌 PFC和混合反激式组合IC GaN USB-C EPR适配器

基于安森美半导体 NCP1632 Interleave PFC应用于的 1KW 马达驱动器解决方案

马达驱动系统是工业环境中自动化系统的关键组成部分，因为它们在电力消耗中占很大比例。这种驱动系统在实现节能方面具有核心作用。随著自动化的发展速度，马达驱动是未来工业设施的中坚力量。因应市场的增长及要求，安森美半导体关注于提高马达驱动系统的效率，同时为更高的电流、更精确的控制和更好的系统可靠性进行设计。安森美半导体完整的马达驱动解决方案，通过领先业界的 MOSFET、IGBT、栅极驱动器和电源模组解决了这一挑战。而此方案，支援各种低电压电机，包括有刷、无刷和步进马达，并提供可隔离及高性能运算放大器，保证用电安
关键字：安森美 NCP1632 Motor Driver onsemi

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几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要

纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD2621

纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K

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放大器设计：晶体管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶体管的区别

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