奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的，因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律，硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰，这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET 以解决此问题。由于2D 材料具有二维表面，因此它们具有更好的迁移率水平，包括在 0.7 A 下实现激进的沟道长度缩放。自从在现代电子产品中引入场效应晶体管 (FET) 以来，理论和应用电路技术已经取得了多项改进。FET 是低频和中频的低噪声放大器以及高输入阻抗放大器、电荷敏感放
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栅极 FET
３月下旬，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。Matter出世，化解万物互联生态壁垒物联网让我们曾经畅想的万物互联生活逐渐成为现实，但要将数以百亿计的设备进行有效的互联还面临巨大壁垒，Matter 标准的出现打破了这个局面。作为Matter的积极参与者，Qorvo 率先打造符合 Matter 标准的
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Qorvo Matter SiC FET UWB
IT之家 10 月 21 日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛。该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示，三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的 3 纳米芯片，与 5 纳米芯片相比，3 纳米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面积减少了 16%。三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的生产能力，其目标是到 2027 年将其生产能力提高三倍以上。为此，这家芯片
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三星 GAA 技术
2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。事实上，GaN行业已经在可靠性方面投入了大量精力和时间。而人们对于硅可靠性方面的问题措辞则不同，比如“这是否通过了鉴定？”尽管GaN器件也通过了硅鉴定，但电源制造商仍不相信采用硅方法可以确保GaN FET的可靠性。这是一个合理的观点，因
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GaN FET 电源 可靠性
2022年6月30日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布, 基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%三星电子首次实现GAA"多桥-通道场效应晶体管"（简称: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高
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三星 3纳米 GAA
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。 贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了
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SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过
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Mentor P Qorvo SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过
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SiC FET
图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率，但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过，SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍，一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标，又要用功率因素校正（PFC）将线路谐波发射保持在低水平，以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下，会通过升压转换器部分实施PFC，升压转换器会将整流后
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SiC FET PFC
GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会？此次GaN FET的突破性技术是什么？为此，电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
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GaN FET SiC
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