一种范式转变正在我们眼前发生。在 18 世纪和 19 世纪，大不列颠使用煤来为工业革命提供动力，推动向机器制造转型，第一次能源革命也因此开启。随后在美国发生了第二次能源革命，20 世纪石油产业的繁荣推动了汽车和电力领域取得前所未有的进步。如今，人工智能 (AI) 的快速发展正在引领第三次能源革命，涵盖产生、转换和分配为我们正在消耗的大量数据提供动力所需的能源。如何产生为数据中心供电所需的必要能量，以及如何有效地将这些能量沿着电源路径从电网传输到处理器的栅极，正迅速成为我们这个时代最令人兴奋的挑战。01不断
关键字：
TI
电网
栅极
IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。图 1. IGBT的等效电路一 了解基本驱动器图 2. IGBT的导通电流了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动
关键字：
IGBT
栅极
驱动
当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的，因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律，硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰，这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET 以解决此问题。由于2D 材料具有二维表面，因此它们具有更好的迁移率水平，包括在 0.7 A 下实现激进的沟道长度缩放。自从在现代电子产品中引入场效应晶体管 (FET) 以来，理论和应用电路技术已经取得了多项改进。FET 是低频和中频的低噪声放大器以及高输入阻抗放大器、电荷敏感放
关键字：
栅极
FET
具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比，在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中，我们介绍了LS（低边）SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。本文的关键要点1 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。2 要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对
关键字：
ROHM
桥式结构
栅极
在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中，介绍了相互影响的动作情况。● 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MO
关键字：
罗姆
栅极，桥式结构
半导体制程工艺上，英特尔要是说第二，那没人敢说第一。晶圆制造这个圈子，英特尔毫无疑问处于第一流，其他厂商包括IBM，英飞凌，NEC，意法半导体以及东芝等公司，以及目前半导体代工行业的老大老二老三——台积电、GlobalFoundries、三星，统统都是二流。
关键字：
英特尔
半导体
栅极
在之前的章节已经说道，如果要实现一个放大器的功能，需要一个固定的放大倍数(Gain)，这也就是说输出信号应该是跟随输入信号变化而变化，换句话说输出信号应该要受到输入信号的控制。
关键字：
放大器
输入信号
三极管
二极管
栅极
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出可在1.5V～5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关--- SiP32458和SiP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20mΩ低导通电阻，同时保持低静态电流的栅极泵。
关键字：
Vishay
栅极
当数字功率放大器的输出功率大于50W之后，就无法只用单片全集成的集成电路来构成放大器，必须采用栅极驱动器集 ...
关键字：
栅极
驱动器
集成电路
数字功率放大
由于SI技术得到广泛应用，而电子电路都可能有故障存在，这就提出一个新的课题：怎样对SI电路进行故障诊断。 ...
关键字：
采样
栅极
线性
激励
通过利用JFET在零偏置时导通大电流的能力，能够设计出一种自起动、低输入电压的转换器。...
关键字：
绕组
电压
栅极
偏压
栅极介绍
由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，插在电子管另外两个电极之间,起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用。
在场效应管中,栅极是由英文gate electrode翻译而来的.位置类似于晶体三极管中的Gate. [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473