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- NAND Flash内存设备的读写控制设计,引言
NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Flash因为具有非易失性及可擦除性,在数码相机、手机、个人数字助理( PDA)、掌上电脑、MP3播放器等手持设备中得到广泛的应用。NAND Flash
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控制 设计 读写 设备 Flash 内存 NAND
- 摘要:文中采用高精度AD芯片AD7891与C8051F040单片机组成高速数据采集系统,通过SPI总线,将AD7891与C8051F040直接连接,方便的实现了8路模拟量的高速采集和传输,并给出了SPI总线的接口电路及软件设计。
关键词:高
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SPI 总线 多路数据采集 系统
- 引言LIN协会于1999年发布了第一版LIN协议,至今已有十几年了,在这十几年中,LIN总线不断发展,已经在以车身控制为...
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LIN2.1协议 定时器 Flash
- /*--------------------〖说明〗SPI总线驱动源程序 默认11.0592Mhz的晶振。〖文件〗93CXX.C ﹫2003/5/12----- ...
- 关键字:
SPI 总线驱动 C语言源
- 基于ARM11的Linux NAND FLASH模拟U盘挂载分析,0 引 言
现阶段嵌入式产品作为U 盘挂载到PC机上在各类电子产品中被越来越多的应用,Linux操作系统在电子产品中的应用也越来越广泛,但是Linux中模拟U盘挂载到PC机中,与PC机上通用Windo
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模拟 分析 FLASH NAND ARM11 Linux 基于
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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Flash 存储管理策略 嵌入式系统
- 日本媒体报导,全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)于21日宣布,因半导体需求回温,故旗下日本半导体工厂将于今年年末的元旦假期期间加班赶工。东芝表示,于去年元旦假期停工8天的姬路半导体工厂今年将不停工持续进行生产;大分工厂今年元旦假期期间的停工天数则将自去年的6天减半至3天。
东芝姬路半导体工厂主要生产马达/PC用电源控制晶片、大分工厂主要生产影像感测器及系统整合晶片(SystemLSI)。
东芝于10月31日将今年度(2012年4月-2013年
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Toshiba FlashMemory NAND
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市调机构集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查,虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过,然在NAND Flash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下,12月上旬NAND Flash合约价较11月下旬仅小跌1-2%,预估缓跌走势将持续至明年1月份。
集邦表示,SK海力士在12月11日遇到产线短暂跳电,但相关NAND Flash的营运没有受到影响,现货价格虽因此有微幅上涨,但整体需求偏弱格局不变。市场面观察,智慧型手机与平板电脑厂商圣诞假期铺货高峰大多落在11月底与12月初
- 关键字:
SK NAND Flash 手机
- 在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据,MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash,可用于存储非易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本
- 关键字:
擦写 寿命 方法 Flash 单片机 MSP430G 系列 提高
- 11月29日消息,据国外媒体报道,荷兰一家法庭周三作出了有利于苹果的判决,责令禁止出售特定的三星Galaxy平板电脑和智能手机,因为这些产品侵犯了苹果的专利。
据悉,这项禁令适用于版本较老的三星Android设备,这些产品使用了通过触摸屏将图片拖入相册的苹果专利技术。法庭表示,这些2.2.1版本及以上的Galaxy设备并未使用三星更新后的“蓝色闪光”(blue flash)相册技术。
这家荷兰法庭在今周三作出裁决称,如果三星拒绝执行这项判决,那么就必须向苹果支付每天
- 关键字:
苹果 Galaxy blue flash
- 三星840系列固态硬盘开启了一个新时代,TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术,以及三星840的性能、可靠性,我们都已经做了比较深入的介绍,今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。
遗憾的是,没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度,只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次),而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量,再加上写入放大的缘故,根本无从得知写入了多少数据。
不过还是有个变通方法
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三星 闪存 TLC NAND
- 摘要:为了不增加硬件成本而提高显示数据的输出速度,在分析现有条形LED显示屏单元板电路的基础上,提出了...
- 关键字:
Flash LED显示屏 控制
- 嵌入式系统Flash存储管理策略研究, 1 引言
嵌入式系统中通常都需要存放一些非易失性数据, 并且数据量的大小和数据类型根据不同系统需求差异很大。因此选取合适的存储器是完成数据存储系统的第一步, 更重要的是使存储系统长期稳定、高效的工作, 这就
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策略 研究 管理 存储 系统 Flash 嵌入式
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