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- 数字温度传感器系统接口：SPI、I2C 、SMBus如何选-对于需要经常进行数据流传输的系统数据，SPI是首选，因为它拥有较快的时钟速率，速率可从几兆赫兹到几十兆赫兹。然而，对于系统管理活动，如读取温度传感器的读数和查询多个从器件的状态，或者需要多个主器件共存于同一系统总线上（系统冗余常会要求这一点），或者面向低功耗应用，这时I2C 或 SMBus将是首选接口。
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SMBus I2C SPI 数字温度传感器
- DRAM/NAND都是啥？科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及，已掩盖电脑时代的辉煌，很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存储器
- 使用光学鼠标传感器实现旋转测量- 本设计实例使用光学电脑鼠标中的传感器测量圆盘的旋转，其中的圆盘可以通过机械方式连接到任何一种旋转装置。通过沿着圆盘半径改变传感器位置，该方案可以调整每次旋转的脉冲。
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光学鼠标 传感器 测量 SPI
- 带你详细解析串行外设接口(SPI)总线时序-SPI是一个环形总线结构，由ss（cs）、sck、sdi、sdo构成，其时序其实很简单，主要是在sck的控制下，两个双向移位寄存器进行数据交换。
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SPI 串行外设接口 数据交换
- 援引DigiTimes报道，东芝的NAND部门近日遭受了非常严重的恶意攻击，被迫关闭NAND生产线数周时间，这将导致近阶段公司NAND闪存的供应比较紧张。
DigiTimes消息称为了清除恶意程序，东芝公司的NAND生产线将停工3-6周时间才能恢复正常供应，预估将减少10万个wafers产量。PCGamesN网站预估假设这段停产时间正常生产，能够带来5000万个芯片或者40万TB的NAND闪存。
近年来由于智能手机和服务器的需求不断增大，NAND的售价也水涨船高。但是由于NAND厂商在生产
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东芝 NAND
- DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象，在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中，也许大家都是赢家。
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DRAM NAND
- 摘要：NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用，然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况，针对这种情况，本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法，实验结果表明，此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外，针对NAND FLASH的关键时序参数，如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成NAND FLASH的时序配合，从而达到器件性
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NAND magnum
- DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
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DRAM NAND RAM
- 单片机SPI通信接口-SPI 是一种高速的、全双工、同步通信总线，标准的 SPI 也仅仅使用 4 个引脚，常用于单片机和 EEPROM、FLASH、实时时钟、数字信号处理器等器件的通信。
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单片机 spi
- Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。 1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点：分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了
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Nand Flash 东芝
- 随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...
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3D NAND 摩尔定律
- SPI、I2C、UART三种串行总线协议的区别和SPI接口介绍，以及SPI接口详解-SPI接口在Master控制下产生的从器件使能信号和时钟信号，两个双向移位寄存器按位传输进行数据交换，传输数据高位在前，低位在后（MSB）。在SCK的下降沿上数据改变，上升沿一位数据被存入移位寄存器。
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spi 总线 uart
- 一招教你如何使用嵌入式参数代码，入门必懂知识-如果有几个设置参数需要存储到Flash中，我们一般会怎么存储呢？将不同的参数都存储到不同的页中，还是将这几个参数捆绑成一种结构体，每次修改都同时写入一次呢？将参数存储到固定的地址，则每个参数都将占用Flash的一个块。而将全部参数捆绑一起存入Flash块中，那么只有一个参数修改时，也需要将全部参数一起存一遍。那么有什么更好的方法吗？
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ram flash 源代码
- 带SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件诞生，它到底有多小？-富士通半导体（上海）有限公司日前宣布，成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09× 2.28 × 0.33 mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
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富士通 fram spi
- 内存股王群联电子昨(27)日举行股东临时会补选一席董事，由日商东芝内存株式会社(TMC)当选。在市场供需方面，群联董事长潘健成乐观表示，未来五年，储存型闪存(NANDFlash)将持续供不应求。
台湾东芝先进半导体因集团组织调整，今年8月1日辞去群联董事，群联昨日召开股东临时会补选，并顺利由东芝内存株式会社当选。
潘健成表示，东芝内存主导负责东芝的全球半导体事业，东芝已将群联股权移转给东芝内存;而群联与东芝间不仅相互投资，也透过合作互补，强化技术，双方关系将比过去15年更加紧密，在产业的竞
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NAND
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