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- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动，加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下，供不应求的状况自2016年第三季起已持续六个季度;展望2018年，NAND Flash供给将增加42.9%，需求端将成长37.7%，明年整体供需状况将转为供需平衡。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，从NAND Flash的供给面来看，因为NAND制程从2D转进3D不如预期，导致2017年非三星阵营的新
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NAND 西数
- 9月6日，深圳市闪存市场资讯有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主办了“中国存储·全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017)，本文根据部分会议内容整理了国内外NAND闪存及部分非易失存储器市场信息。
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闪存 NAND 3D Xpoint 201710
- 日前，由深圳市闪存市场资讯有限公司主办的、以“中国存储 全球格局”为主题的中国闪存市场峰会在深圳圆满落幕。本次峰会齐聚三星、英特尔、美光、Marvell、谷歌、英伟达、Marvell、江波龙、慧荣、硅格、汉德资本、海康存储等企业重量级嘉宾，一起探讨存储产业未来发展和企业市场发展机会。峰会吸引全球近700家企业参会，其中包括东芝、西部数据、SK海力士、长江存储、华为、联想、中兴、网易、腾讯、阿里巴巴等企业参会，涵盖领域包括存储企业、手机、电脑、汽车、工业、大数据应用等，参会观众超
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NAND 闪存
- 在某产品测试过程中，工程师反馈偶尔会出现数据异常，经过系统性的分析，致远电子测试团队推测可能是ADC芯片的SPI通信总线的时序存在偶发异常，但由于异常出现概率很低，该如何对SPI通信总线偶发的时序问题进行定位呢? 一、搭建测试环境 SPI总线测试点位于主机的主板底部，时钟频率大约为33MHz，属高频信号，所以对探头的端接方式比较讲究;为了方便测试，如图1所示，用短线将测试点引出，探头的地线也从前端自绕线引出，这样可以提高信号完整性，减少示波器采样对时序分析过程的影响。
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时序 SPI
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，东芝公司已正式在9月20日决定将旗下半导体事业以2兆日圆出售给由美国私募股权业者贝恩资本(Bain Capital)代表的美日联盟，，由于此出售案较预期延宕，对于NAND Flash市场的产能影响，预期要到明年上半年才会趋于明显;中长期而言，在资金到位的情况下，将有助东芝在3D-NAND产能与技术上力拼三星。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，此次出售案的收购对象日美韩联盟成员中包括日本政府支持的产业革新机构(INCJ)财团、
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3D NAND 东芝
- 科普SPI：是一种高速的，全双工，同步的通信总线，并且在芯片的管脚上只占用四根线，分别是：SCK(时钟)、MOSI(主机发送数据)、MISO(主机接收数据)、NSS(片选)，其中NSS的片选信号，大部分情况下我们使用的是软件NSS，即为使用一个GPIO进行软件控制片选。值得注意的是，其中SPI有4中模式：分别是空闲时SCLK的电平高\低、MISO采样时第1\2个变化沿。 stm8s的SPI结构如下图，
如果用形象的比喻的话：SCK像一个发条齿轮，只有当发
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stm8s SPI
- 到底为什么东芝半导体可以引起如此大的波澜?产品和技术有什么过人之处?鸿海为首的“不差钱”军团又希望从东芝半导体得到什么?小编给你一一说明。
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东芝 NAND
- “串口下载”是大多数工程师最早接触的程序下载方式，尤其是一开始使用51单片机的工程师们。随着硬件集成度越来越高，芯片资源不断被压缩，工程师也想到了另一种“串口下载”方式，只需一根数据线即可。 随着半导体行业的飞速发展，芯片集成度越来越高，随之研发设计出来的PCBA大小已经能和硬币比肩，功能却一点都没有受到影响，是如何做到的呢?在不影响功能的情况下尽量裁剪硬件资源，这是每个工程师都头疼的问题，关键在于裁剪后如何保证编程能够正常进行。 编程接口多种多样，包括工程师们熟悉的UART、I2C、SPI、SW
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SPI 串口下载
- 9月6日，由深圳市闪存市场资讯有限公司主办以“中国存储•全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017)在深圳华侨城洲际酒店圆满落幕。本次峰会除了齐聚国内外产业链重要企业嘉宾演讲，其中包括三星、英特尔、美光、Marvell、谷歌、英伟达、江波龙、慧荣、硅格、大基金、汉德资本等业界知名企业领导。 当天吸引全球近700家企业参会，其中包括西部数据、SK海力士、长江存储、金士顿、华为、联想、中兴、百度、阿里巴巴等企业参会，涵盖领域包括存储企业、手机、电脑、
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NAND 闪存
- 与美国在半导体先进工艺制程等方面的差距，不仅表现在人材，技术等方面，可能更大的差距在于综合的国力，以及产业大环境的改善，所以此次奋力突围一定要取得更大的进步。
01引言
近期华尔街日报撰文“中国的下一个目标夺下美国的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立场，歪曲事实。
此次中国半导体业的“奋力突围”，有两层意义：
一个是差距大，希望迅速的成长，至多是扩大芯片的自给率。
另一个是西方千方百计的阻碍中国半导体业的进步
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NAND DRAM
- 2017年三星电子(SamsungElectronics)同步启动DRAM、3DNAND及晶圆代工扩产计划，预计资本支出上看150亿~220亿美元，远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模，三星为确保新产能如期开出，近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约，狂扫全球硅晶圆产能，并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%，主要便是为支持三星产能需求做准备。
三星为因应DRAM和3DNAND市场强劲需求，加上在逻辑事业全力投入7纳米制程，企图与台积电一较长短，抢
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三星 NAND
- 8月28日，三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
波澜的背后
据2017年第二季度财报显示，三星电子营收额高达554.1亿美元，同比增长19%，并且，三星电子以销售额14亿美元的成绩拿下45.9%的NAND Flash市占有率。
有业者分析称，三星第二季度如此强劲的主要原因是苹果等其他电子类产品生产需求旺盛，同时其
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三星 NAND
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响，即便处于传统NAND Flash的淡季，各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨，2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈
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NAND 东芝
- 开年以来大陆半导体产业发展似乎进入沉潜期。首先是年初长江存储CEO杨士宁郑重发布新闻稿澄清，表示从未发表过32层3DNANDFlash今年量产的消息。接下来是中芯国际董事长周子学表达的大陆半导体产业发展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的时间，大陆才能发展出比较有市场竞争力的企业主体。再来是最近紫光集团表示，由于长江存储的存储器芯片工厂专案投资规模过大，目前尚处于建设初期，短期无法产生销售收入，时机不成熟，停止收购长江存储的股份。虽然似乎大陆整个半导体产业持续其发展动能，但
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摩尔定律 NAND
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出，未签订长约的客户，内存供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。
集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。
业界表示，三大内存应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件，虽然单价远比DRAM
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NAND DRAM
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