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- 据韩联社报道，三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线近日正式投产。三星电子将在该工厂生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片，并计划持续扩充生产设备，解决近年来全球半导体市场上供不应求的局面。
据了解，位于韩国京畿道平泽市的三星电子平泽工厂于2015年5月动工建设，日均投入1.2万名施工人员，耗时两年多建成全球最大的单一产品生产线。
三星宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪存储器厂房投入14.4万亿韩圜(约合125.4亿美元)，并对华城市新建的半导体生产线投入6
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三星 V-NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快闪存储器厂东芝(Toshiba)28 日宣布，携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试样。该款产品为 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和存储卡等市场。
东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的
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东芝 NAND
- UFS普及并不缺乏机会，Flash产能的困境能否早日抒解，成为真正影响UFS茁壮的关键因素了。
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Flash UFS
- 64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎，预计将在未来18个月内成为市场主流...
Western Digital(WD)内存技术执行副总裁Siva Sivaram日前指出，64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎。
在最近接受《EE Times》的访问中，Siva Sivaram将64层3D NAND定义为一种「开创性技术」(seminal technology)，可望应用于WD逾50种产品线。 他预计今年WD约有一半的产品线都将采用3D
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NAND 堆栈
- 三星电子 15 日宣布，最新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。
64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。
其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD)，自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 I
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三星 NAND
- 鸿海董事长郭台铭昨(12)日证实，将筹组美、日、台梦幻团队，共同竞标东芝半导体。 对日本出现担心鸿海「中国因素」的评论，郭董炮火全开，左打美系私募基金，右批日本经济产业省高层，并强调，鸿海如果顺利得标，海外市场将优先考虑在美设内存芯片厂。
东芝半导体竞标案进入倒数计时，预计本周公布结果。 竞标者之一鸿海动作不断，郭台铭接连接受日经新闻、路透社专访。 郭董强调，如果鸿海顺利标下东芝半导体事业，希望未来能在海外建立内存工厂，地点将优先考虑美国。
郭台铭补充，因为美国国内市场需求在当地还没达到，
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东芝 NAND
- NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。
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MLC 闪存 NAND 英特尔
- 公司内部派系斗争问题，又因外部的2008年金融海啸与2011年福岛核灾影响日本经济及东芝业绩，造成派系斗争恶化，及为自保而伪造业绩歪风兴起，等到2015年事件爆发，发现该厂从2008会计年度(2008/4~2009/3)便有业绩灌水的问题，事件逐一发不可收拾。
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东芝 NAND
- NAND Flash控制芯片与模块厂群联董事长潘健成日前估计，接下来将面临史上最缺货的第3季，而该公司也积极备战，近日捧着5000多万美元现金，大举吃下某大厂释出的货源，为下半年建立更多库存。
群联在去年初NAND Flash市况尚未大热时，建立的库存水位一度超过三亿美元，后来市场景气于去年第3季开始往上，价格走升，也让该公司因此大赚。
潘健成提到，今年大概只有5月有机会多收货，所以该公司在前两个礼拜以现金买了大约5000多万美元的额外货源，预计可供第3季使用。
群联在今年4月时，手
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NAND
- 以AT45DB041B为例，将FPGA和大容量串行flash存储芯片的优点有效地结合起来，实现了FPGA对串行存储芯片的高效读写操作，完成了对大量测量数据的存储处理和与上位机的交换，并在某电力局项目工频场强环境监测仪中成功应用。
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Flash 串行存储 FPGA
- 介绍了一种基于FPGA的水声信号数据采集与存储系统的设计与实现,给出了系统的总体方案,并对各部分硬件和软件的设计进行了详细描述。系统以FPGA作为数据的控制处理核心,以存储容量达2 GB的大容量NAND型Flash作为存储介质。该系统主要由数据采集模块、数据存储模块和RS-232串行通信模块组成,具有稳定可靠、体积小、功耗低、存储容量大等特点,实验证明该系统满足设计要求。
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数据采集 Flash FPGA
- SPI 总线是一个同步串行接口的数据总线，具有全双工、信号线少、协议简单、传输速度快等特点。介绍了SPI 总线的结构和工作原理，对4 种工作模式的异同进行了比较，并着重分析了SPI 总线的工作时序。利用Verilog 硬件描述语言编写出SPI 总线的主机模块，经ModelSim 仿真得出相应的仿真波形。
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SPI 同步串行接口 Verilog
- SPI 接口应用十分广泛，在很多情况下，人们会用软件模拟的方法来产生SPI 时序或是采用带SPI 功能模块的MCU。但随着可编程逻辑技术的发展，人们往往需要自己设计简单的SPI 发送模块。本文介绍一种基于FPGA 的将并行数据以SPI 串行方式自动发送出去的方法。
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SPI VHDL FPGA
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